Al-AlN太阳能选择性吸收涂层的中频溅射工艺研究 被引量：1

1

作者 付志强 王成彪 +3 位作者 岳文 彭志坚 郭文利 梁彤翔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1753-1757,共5页

探讨了AlN膜和渐变Al-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术,结果表明:增大铝靶电流或减小氩气流量有助于改善AlN反应溅射的工艺稳定性;随着氮气流量的增加,AlN膜的N/Al原子比增大,减小氩气流量或增大铝靶电流对制备满足理想化学计量比的Al... 探讨了AlN膜和渐变Al-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术,结果表明:增大铝靶电流或减小氩气流量有助于改善AlN反应溅射的工艺稳定性;随着氮气流量的增加,AlN膜的N/Al原子比增大,减小氩气流量或增大铝靶电流对制备满足理想化学计量比的AlN膜有利;AlN膜的致密性随氮气流量和铝靶电流的增大而改善,但氩气流量对AlN致密性没有明显影响;制备的渐变Al-AlN选择性吸收涂层可见光反射率低于6%。光谱选择性较好。 展开更多

关键词 al-aln 选择性吸收涂层 中频反应溅射 工艺参数

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Al-AlN-Al_2O_3复相滑板的开发与应用性能 被引量：18

2

作者 卜景龙 于之东 +3 位作者 杨晓春 王志发 王瑞生 王榕林 《钢铁钒钛》 CAS 北大核心 2004年第4期24-28,共5页

以80%～90%板状刚玉、10%～20%金属铝为主要原料,采用1100℃的高温氮化反应烧结工艺,并经800℃的表面氧化处理,可制得以金属铝、氮化铝为结合相、以刚玉为主晶相的Al-AlN-Al2O3复相结构材料。以其作为钢包滑动水口的滑板材质,取得了良... 以80%～90%板状刚玉、10%～20%金属铝为主要原料,采用1100℃的高温氮化反应烧结工艺,并经800℃的表面氧化处理,可制得以金属铝、氮化铝为结合相、以刚玉为主晶相的Al-AlN-Al2O3复相结构材料。以其作为钢包滑动水口的滑板材质,取得了良好的应用效果。试验结果表明:熔融金属铝对刚玉颗粒间隙的填充,金属铝氮化及使用时金属铝氧化过程的体积膨胀效应,是获得滑板致密组织结构的主要原因。Al-AlN-Al2O3复相滑板的抗钢液侵蚀性能及抗热震性能优良,其使用寿命是Al2O3-C滑板的2倍。 展开更多

关键词 AL2O3 滑板 刚玉 侵蚀性能 金属铝 主晶相 填充 钢液 滑动水口 钢包

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Al-AlN纳米粉在空气中热处理产物的结构与形貌分析 被引量：1

3

作者 李冬妹 李红东 +5 位作者 李明辉 杨海滨 陈海勇 于三 李英爱 邹广田 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第2期66-68,共3页

利用 Ｘ 射线衍射光谱（ Ｘ Ｒ Ｄ）和透射电子显微镜（ Ｔ Ｅ Ｍ ）对 Ａｌ Ａｌ Ｎ 纳米粉在空气中不同热处理条件的产物结构与形貌进行分析． 结果表明， 原料的结构及加热过程是决定产物性质的主要因素．

关键词 纳米粉 热处理 形貌 铝 氮化铝 陶瓷材料 XRD

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Al-AlN选择性吸收涂层性能分析及光学模拟

4

作者 杨沐晖 夏建业 +1 位作者 郭廷伟 黄健 《太阳能》 2012年第17期37-39,共3页

研究了双层Al-AlN吸收层加减反射层结构膜系,并对这种结构膜系涂层性能进行分析和模拟,在模拟得到单层Al-AlN层的膜厚和填充因子基础上,工艺优化制备得到的Al-AlN选择性吸收涂层吸收率达到0.942,100℃发射率为0.044,聚光比为1条件下,光... 研究了双层Al-AlN吸收层加减反射层结构膜系,并对这种结构膜系涂层性能进行分析和模拟,在模拟得到单层Al-AlN层的膜厚和填充因子基础上,工艺优化制备得到的Al-AlN选择性吸收涂层吸收率达到0.942,100℃发射率为0.044,聚光比为1条件下,光热转换效率为0.89。 展开更多

关键词 al-aln 选择性吸收涂层 填充因子 吸收率 发射率

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AlN陶瓷与Al低温钎焊钎料设计及接头组织性能研究 被引量：2

5

作者 周航泽 龙飞 +4 位作者 徐瑞 王策 何鹏 施清清 赵岩 《稀有金属材料与工程》 北大核心 2025年第2期453-462,共10页

针对目前缺乏适合AlN陶瓷和Al低温钎焊的钎料的问题,通过向AgCuTi钎料中加入In和Sn元素来降低钎料熔点,制备了新型低温钎料Ag-28Cu-35In-2Ti和Sn-19Ag-14.35Cu-17.5In-1Ti(质量分数),从而实现AlN/Al接头的良好连接。探究了两种钎料对Al... 针对目前缺乏适合AlN陶瓷和Al低温钎焊的钎料的问题,通过向AgCuTi钎料中加入In和Sn元素来降低钎料熔点,制备了新型低温钎料Ag-28Cu-35In-2Ti和Sn-19Ag-14.35Cu-17.5In-1Ti(质量分数),从而实现AlN/Al接头的良好连接。探究了两种钎料对AlN陶瓷和Al的低温钎焊工艺和接头组织形貌及性能影响。结果表明:Sn-19Ag-14.35Cu-17.5In-1Ti钎料在钎缝处形成了InSn3、TiAl_(3)等相对稳定的化合物。Ag-28Cu-35In-2Ti钎料在钎缝处生成Al_(2)Cu、AgIn_(2)和TiAl_(3)等相对稳定的化合物,随着焊接温度的增加,接头强度随之提高。为阻止In的扩散析出,选择在Al表面镀Ni,但镀Ni使接头导热性能有所下降。发现使用Ag-28Cu-35In-2Ti钎料进行焊接,在640℃保温30 min的条件下,接头强度最高,为20.28 MPa;在620℃保温15 min的条件下,热扩散系数可达到65.941 m^(2)/s。该钎料为AlN陶瓷/Al的高可靠连接提供了一种新的方法。 展开更多

关键词 低温钎料 AlN/Al 组织性能 表面改性

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碳粉改性Al基氮化铝核壳相变蓄热材料热性能研究

6

作者 陈敬 陈玉 +3 位作者 李明 王云峰 杨亮糯 顾振华 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2025年第1期62-67,共6页

针对熔融盐高温蓄热材料在相变过程中的泄露腐蚀问题,采用碳粉复合氮化法制备了铝基核壳结构相变蓄热材料,通过热性能实验并结合多种表征手段,研究了碳粉比例对材料核壳结构的影响.结果发现:添加碳粉能够降低氮化反应温度,实现低温制备A... 针对熔融盐高温蓄热材料在相变过程中的泄露腐蚀问题,采用碳粉复合氮化法制备了铝基核壳结构相变蓄热材料,通过热性能实验并结合多种表征手段,研究了碳粉比例对材料核壳结构的影响.结果发现:添加碳粉能够降低氮化反应温度,实现低温制备Al@AlN-Al_(2)O_(3)核壳材料;添加碳粉后,在800℃煅烧温度条件下出现明显的AlN物相,且碳粉占比为10%时所制备的蓄热材料具有最佳的蓄热性能,熔融焓达307.07 J/g,50次热循环后熔融焓仅下降4.69%. 展开更多

关键词 Al@AlN-Al_(2)O_(3) 核壳结构 相变材料 低温氮化

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采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜 被引量：4

7

作者 池华敬 熊凯 +4 位作者 郭帅 许丽 王双 陈革 章其初 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期652-655,共4页

在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷... 在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷混合物增透膜AlNxOy。在3.2 mm厚的低铁玻璃上,溅射沉积厚度为120 nm的Al-AlN金属陶瓷薄膜,沸水氧化8 min,制备的单面增透膜AlNxOy试样的太阳透射比Te达93.5%,可见光透射比Tv达95.2%。制备的双面增透膜AlNxOy试样的Te,Tv进一步提高,Te高达95.6%,与未镀膜玻璃衬底的90.4%相比,增加了5.2%;Tv高达97.0%,与玻璃衬底的91.6%相比,增加了5.4%。 展开更多

关键词 增透膜 反应溅射 沸水氧化 薄膜 金属陶瓷 al-aln ALN AL2O3 AlNxOy

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添加铝对AlN_p/Cu复合材料组织与热性能的影响 被引量：7

8

作者 刘德宝 刘双进 崔春翔 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期7-11,共5页

为提高高体积分数AlNp/Cu复合材料的致密度,采用粉末冶金液相烧结工艺制备了含10vol%Al的AlNp/Cu复合材料,与未添加Al的AlNp/Cu复合材料以及AlN颗粒表面镀铜的AlNp/Cu复合材料进行了组织与热性能的比较。X射线衍射与显微组织观察表明,... 为提高高体积分数AlNp/Cu复合材料的致密度,采用粉末冶金液相烧结工艺制备了含10vol%Al的AlNp/Cu复合材料,与未添加Al的AlNp/Cu复合材料以及AlN颗粒表面镀铜的AlNp/Cu复合材料进行了组织与热性能的比较。X射线衍射与显微组织观察表明,添加的Al在烧结过程中扩散至铜基体形成固溶体,并能有效的提高AlNp/Cu复合材料的致密度,添加10vol%Al的复合材料相对密度与未添加Al的AlNp/Cu复合材料相比提高了3.5%。热膨胀试验表明：50-550℃之间,40%AlNp/Cu复合材料、添加10vol%Al的40%AlNp/Cu复合材料及AlN颗粒表面镀铜的40%AlNp/Cu复合材料的平均热膨胀系数分别为15.7、13.4和13.4,热循环后的残余应变分别为0.51%、0.18%和0.24%。Al的添加及AlN颗粒表面镀铜都能有效地降低AlNp/Cu复合材料的热膨胀系数和热循环后的残余应变。与表面镀铜的AlNp/Cu复合材料相比,Al的添加在一定程度上降低了AlNp/Cu复合材料的热传导性能,但材料的制备成本显著降低。 展开更多

关键词 铝 ALN 铜基复合材料 显微组织 热膨胀

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氮分压对钕铁硼表面直流磁控溅射沉积AlN/Al防护涂层结构和性能的影响 被引量：10

9

作者 李金龙 冒守栋 +1 位作者 孙科沸 宋振纶 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期80-83,共4页

采用直流磁控溅射在钕铁硼表面沉积AlN/Al双层防护薄膜来提高磁体的耐腐蚀性能。先在基体表面沉积纯Al薄膜,然后沉积外层AlN薄膜。沉积AlN薄膜时,改变氮气分压,研究氮分压对薄膜结构和耐腐蚀性能的影响。结果显示,AlN纳米颗粒形成于内... 采用直流磁控溅射在钕铁硼表面沉积AlN/Al双层防护薄膜来提高磁体的耐腐蚀性能。先在基体表面沉积纯Al薄膜,然后沉积外层AlN薄膜。沉积AlN薄膜时,改变氮气分压,研究氮分压对薄膜结构和耐腐蚀性能的影响。结果显示,AlN纳米颗粒形成于内层Al结晶体表面。氮氩分压比为1:1时,钕铁硼表面形成了更致密的AlN/Al薄膜。膜基界面存在元素的互扩散和冶金结合。氮氩分压为1:1的AlN/Al防护薄膜具有最好的耐腐蚀性能。 展开更多

关键词 NDFEB AlN/Al膜 结构 腐蚀性能

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铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究 被引量：8

10

作者 彭榕 周和平 +2 位作者 宁晓山 林渊博 徐伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1203-1208,共6页

在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现... 在675～750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大. 展开更多

关键词 铝/氮化铝电子陶瓷基板 制备 性能 敷接 结合强度 电子元器件

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AlN-Al_3Ti/ZL101原位复合材料力学性能研究 被引量：9

11

作者 李高宏 赵玉厚 +3 位作者 李建平 郭永春 董晟全 杨忠 《铸造》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期595-598,共4页

利用原位反应合成技术制备了AlN Al3 Ti/ZL10 1复合材料 ,分析了复合材料增强相Al3 Ti和AlN的微观组织 ,检测了该复合材料的常规力学性能 ,探讨了原位复合材料的增强和增韧机理。结果表明 :(1)无论是在铸态还是在热处理状态下 ,复合材... 利用原位反应合成技术制备了AlN Al3 Ti/ZL10 1复合材料 ,分析了复合材料增强相Al3 Ti和AlN的微观组织 ,检测了该复合材料的常规力学性能 ,探讨了原位复合材料的增强和增韧机理。结果表明 :(1)无论是在铸态还是在热处理状态下 ,复合材料的强度和硬度都较基体ZL10 1基体材料的高 ;(2 )AlN Al3 Ti/ZL10 1原位复合材料增强增韧的主要原因是晶粒细化、增强相均匀分布及增强相与基体的协同变形能力强。 展开更多

关键词 AlN-Al3Ti/ZL101原位复合材料 力学性能 铝基复合材料

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AlN颗粒在不同铝合金中的增强行为 被引量：10

12

作者 姜龙涛 武高辉 孙东立 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第1期47-51,共5页

LD2为了解AlN颗粒对不同强度等级的铝合金的增强效果及机制 ,对 40 %体积分数的AlN颗粒增强 10 70、10 6 1、LY12铝合金复合材料拉伸前后的微观组织进行了观察 ,发现拉伸前在基体中存在由热错配引起的高密度位错 ,在AlN颗粒的内部也存... LD2为了解AlN颗粒对不同强度等级的铝合金的增强效果及机制 ,对 40 %体积分数的AlN颗粒增强 10 70、10 6 1、LY12铝合金复合材料拉伸前后的微观组织进行了观察 ,发现拉伸前在基体中存在由热错配引起的高密度位错 ,在AlN颗粒的内部也存在大量的位错 ,拉伸后基体中的位错增殖 ,同时 ,AlN颗粒中的位错亦增多 .力学性能的测试结果表明 ,AlN颗粒对低强度、高塑性的L3纯铝增强率最高 ,中等强度、较高塑性的LD2铝合金不仅有较高的增强率 ,而且保持了一定的塑性 .AlN颗粒对基体的这种选择性主要与AlN颗粒在拉伸过程中产生微量变形 ,从而松弛部分界面应力有关 .LY12基体的塑性较低 ,易产生低应力断裂 ,因此 ,AlN颗粒的增强作用难以得到充分发挥 . 展开更多

关键词 氮化铝颗粒 颗粒强化 微观组织 力学性能 铝基复合材料 铝合金

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金属/陶瓷复合材料的原位合成及其结构研究 被引量：2

13

作者 朱诚意 李光强 +2 位作者 张峰 彭其春 刘君 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期33-35,39,共4页

以铝镁合金、高纯石英棒为原料,采用原位合成法在1 473 K氮气氛下保温2 h制备了Al(Si)/AlN/MgAl2O4复合材料。采用XRD、SEM和EDX等方法分析了所得材料的相组成与显微结构。结果表明:复合材料的物相为MgAl2O4、Al-Si、AlN、Mg2Si和Si;在... 以铝镁合金、高纯石英棒为原料,采用原位合成法在1 473 K氮气氛下保温2 h制备了Al(Si)/AlN/MgAl2O4复合材料。采用XRD、SEM和EDX等方法分析了所得材料的相组成与显微结构。结果表明:复合材料的物相为MgAl2O4、Al-Si、AlN、Mg2Si和Si;在铝与SiO2界面上形成的Al2O3与基体合金中的镁反应生成块状的MgAl2O4尖晶石晶体,在复合材料内部发现均匀分布的AlN晶须,部分氧、铝、镁、铁形成化合物与硅一起均匀弥散分布于复合材料中。 展开更多

关键词 金属/陶瓷复合材料 原位合成 相组成 显微结构

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镁铝钆合金在空气中的氧化与燃烧 被引量：3

14

作者 谢晓 隋颖 +1 位作者 黄晓昱 朱晨光 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期3924-3929,共6页

研究了在镁铝质量比为20:80的镁铝合金中加入稀土金属钆后,合金在空气中的氧化与燃烧特性。借助TG-DSC,SEM,XRD,EDS以及高速摄像仪等仪器对Mg-Al-Gd合金的氧化、燃烧过程及产物进行分析。结果表明:相对于不含钆的Mg-Al合金,Mg-Al-Gd合... 研究了在镁铝质量比为20:80的镁铝合金中加入稀土金属钆后,合金在空气中的氧化与燃烧特性。借助TG-DSC,SEM,XRD,EDS以及高速摄像仪等仪器对Mg-Al-Gd合金的氧化、燃烧过程及产物进行分析。结果表明:相对于不含钆的Mg-Al合金,Mg-Al-Gd合金在空气中的点火温度较低,约为487.6℃。在TG-DSC实验中,镁铝钆合金的氧化分为2个阶段,第1个阶段为镁的氧化反应,第2个阶段为氧化镁、铝以及氧气的反应,反应生成MgAl2O4。当Mg-Al-Gd合金在空气中燃烧时,合金粒子表面会形成一层薄的致密的氧化层,氧化层限制了合金粒子固相或液相的氧化,促进其气相燃烧,同时也导致燃烧出现喷射现象。燃烧没有生成MgAl2O4,而是形成了一种新的产物AlN。 展开更多

关键词 钆 镁铝合金 燃烧 ALN

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镁铝合金直接燃烧法合成AlN晶体 被引量：3

15

作者 谢晓 隋颖 +1 位作者 黄晓昱 朱晨光 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期439-443,共5页

以球形镁铝合金(Al12Mg17)颗粒为原料,在空气中直接燃烧合成氮化铝(Al N)晶体。实验样品堆积在直径为1cm的区域内,使用乙烷火焰点燃。使用高速摄像仪记录燃烧合成过程。借助XRD和SEM对原料和产物的组成及结构进行分析,并使用TG-DSC分析... 以球形镁铝合金(Al12Mg17)颗粒为原料,在空气中直接燃烧合成氮化铝(Al N)晶体。实验样品堆积在直径为1cm的区域内,使用乙烷火焰点燃。使用高速摄像仪记录燃烧合成过程。借助XRD和SEM对原料和产物的组成及结构进行分析,并使用TG-DSC分析合金的热力学性质。结果表明:镁铝合金中的铝可以全部转化为AlN晶体。合金的点火温度约为494.4℃,一旦点燃,不需要外界热源的持续加热,样品可持续燃烧。燃烧开始后,合金颗粒中镁快速汽化,与空气中氧发生优先反应,并耗掉颗粒周围的氧气,使氮气进入液态铝表层,生成氮化铝。燃烧产物有明显分层,检测结果表明上层产物为白色氧化镁,下层产物为黑色氮化铝晶体。合成过程中,镁对氮化铝的形成起着积极的促进作用。 展开更多

关键词 ALN 镁铝合金 燃烧

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航空航天用电子封装材料及其发展趋势 被引量：16

16

作者 陈寰贝 庞学满 +1 位作者 胡进 程凯 《电子与封装》 2014年第5期6-9,共4页

随着航空航天领域的迅速发展,其应用的电子器件不断微型化、高度集成化,并且可靠性要求越来越高,其电子封装材料具有更高的热导率及与芯片热膨胀系数的匹配性,还要求其电子封装材料具有更低的密度。BeO、AlN、Al/SiC与AlSi由于具有高热... 随着航空航天领域的迅速发展,其应用的电子器件不断微型化、高度集成化,并且可靠性要求越来越高,其电子封装材料具有更高的热导率及与芯片热膨胀系数的匹配性,还要求其电子封装材料具有更低的密度。BeO、AlN、Al/SiC与AlSi由于具有高热导率、低密度及与芯片材料良好的热膨胀匹配性,非常符合航空航天用电子封装材料的发展趋势,并已经逐步在取代常用的一些封装材料。重点介绍了四种材料的性能优势,以及它们之间的性能对比与应用前景分析。 展开更多

关键词 电子封装 氮化铝 碳硅铝 硅铝

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纯铝材电解液微弧氮化工艺探讨 被引量：2

17

作者 孙奉娄 戴茂飞 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期12-14,91,共3页

电解液微弧氮化工艺简单,过去未见用其制备AlN膜的报道。采用电解液微弧氮化工艺在纯铝基片上制备了AlN陶瓷膜,利用正交试验优化工艺,研究了最优工艺制备的膜层的物相、形貌,并探讨了占空比、放电频率对膜层硬度、绝缘电阻、耐压值的影... 电解液微弧氮化工艺简单,过去未见用其制备AlN膜的报道。采用电解液微弧氮化工艺在纯铝基片上制备了AlN陶瓷膜,利用正交试验优化工艺,研究了最优工艺制备的膜层的物相、形貌,并探讨了占空比、放电频率对膜层硬度、绝缘电阻、耐压值的影响。结果表明:正交试验优化的工艺为100 mL超纯水中CO(NH2)2 35.0 g,EDTA-2Na 3.0 g,放电频率1.0 kHz,占空比20%;各因素的影响由主到次依次为CO(NH2)2浓度、占空比、放电频率、EDTA-2Na浓度;最优工艺制备的陶瓷膜由多晶AlN组成,膜层致密;选择适当的占空比和放电频率有利于改善AlN陶瓷膜的性能。 展开更多

关键词 电解液微弧氮化 AlN陶瓷膜 纯铝材 电解液浓度 放电参数 性能

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MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变GaN的极性 被引量：1

18

作者 刘宝林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期433-436,共4页

讨论了采用MOCVD在Al2 O3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性 ,并用CICISS来测量这一极性 。

关键词 MOVCD 氮化镓 原子层控制 半导体材料

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电子能量损失谱及其在纳米多层膜研究中的应用

19

作者 肖晓玲 代明江 +5 位作者 周克崧 刘敏 D.G.McCulloch P.C.T.Ha D.R.Mckenzie M.M.M.Bilek 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期540-544,共5页

本文介绍了电子能量损失谱的基本原理、能量过滤成像分析及应用电子能量损失谱计算碳同素异构体的电子密度和sp2键结构的含量。同时应用透射电镜(TEM)和电镜配置的能量过滤成像系统(gatan imaging filter),结合电子能量损失谱研究类金刚... 本文介绍了电子能量损失谱的基本原理、能量过滤成像分析及应用电子能量损失谱计算碳同素异构体的电子密度和sp2键结构的含量。同时应用透射电镜(TEM)和电镜配置的能量过滤成像系统(gatan imaging filter),结合电子能量损失谱研究类金刚石(a-C/Ta-C)和Al/AlN两种纳米多层膜的形态、结构和膜中各元素的分布。结果显示透射电镜观察配合电子能量损失谱在纳米多层膜表征中将会扮演一个重要角色。 展开更多

关键词 电子能量损失谱 透射电镜 纳米多层膜 a-C/Ta-C Al/AlN

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Al/AlN/Si MIS结构的电学性质

20

作者 周春红 孔月婵 +2 位作者 席冬娟 陈鹏 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期143-147,共5页

用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2... 用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2;揭示了A lN/S i界面存在连续分布的载流子陷阱态,给出了陷阱态密度在S i禁带中随能量的分布;还观察到A lN界面层存在Et-Ev(A lN)=2.55 eV的分立陷阱中心。 展开更多

关键词 铝/氮化铝/硅 金属绝缘体半导体结构 极化性质 界面陷阱态

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