The residues of Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)in the environment pose an increasingly serious threat to human health and ecosystems.However,their specific and rapid detection remains challenging.In this study,we present ...The residues of Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)in the environment pose an increasingly serious threat to human health and ecosystems.However,their specific and rapid detection remains challenging.In this study,we present a water‑stable cadmium metal‑organic framework(Cd‑MOF)based luminescence probe,which can detect Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)ions in aqueous solutions via a luminescence“turn‑on”mode.The corresponding detection limits for the Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)ions were 2.31,3.06,and 2.78μmol·L^(-1),respectively.This probe operated effectively within a pH range of 3‑10 in an all‑aqueous environment.Investigations into the detection mechanism revealed that this“turn‑on”recognition is attributed to the formation of new structures upon ion interaction.展开更多
介绍了在 Al Ga As/ Ga As太阳电池上制备 Mg F2 / Zn S双层减反射膜的研究工作。引入了有效反射率 Re,并通过使 Re 极小来实现减反射膜的优化设计 ,考虑了 Mg F2 / Zn S双层减反射膜与窗口层的耦合。实验上获得了良好的减反射膜 ,提高...介绍了在 Al Ga As/ Ga As太阳电池上制备 Mg F2 / Zn S双层减反射膜的研究工作。引入了有效反射率 Re,并通过使 Re 极小来实现减反射膜的优化设计 ,考虑了 Mg F2 / Zn S双层减反射膜与窗口层的耦合。实验上获得了良好的减反射膜 ,提高了 Al Ga As/ Ga As太阳电池的短路电流和效率 ,表明用Re极小化来设计减反射膜是合理的。展开更多
采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载...采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移。分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加。此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小。展开更多
文摘The residues of Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)in the environment pose an increasingly serious threat to human health and ecosystems.However,their specific and rapid detection remains challenging.In this study,we present a water‑stable cadmium metal‑organic framework(Cd‑MOF)based luminescence probe,which can detect Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)ions in aqueous solutions via a luminescence“turn‑on”mode.The corresponding detection limits for the Al^(3+),Ga^(3+),and In^(3+)ions were 2.31,3.06,and 2.78μmol·L^(-1),respectively.This probe operated effectively within a pH range of 3‑10 in an all‑aqueous environment.Investigations into the detection mechanism revealed that this“turn‑on”recognition is attributed to the formation of new structures upon ion interaction.
文摘介绍了在 Al Ga As/ Ga As太阳电池上制备 Mg F2 / Zn S双层减反射膜的研究工作。引入了有效反射率 Re,并通过使 Re 极小来实现减反射膜的优化设计 ,考虑了 Mg F2 / Zn S双层减反射膜与窗口层的耦合。实验上获得了良好的减反射膜 ,提高了 Al Ga As/ Ga As太阳电池的短路电流和效率 ,表明用Re极小化来设计减反射膜是合理的。
文摘采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,而2DEG迁移率由于受到ns的调制作用略有增加,同时辐照导致的载流子浓度ns下降造成了沟道串联电阻的增加和异质结构阈值电压(VTH)的正向漂移。分析认为,辐照感生类受主缺陷是造成ns下降和阈值电压漂移的原因。原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)的测试结果表明,辐照后材料的表面形貌有所恶化,材料应变基本不变,而材料的螺位错和刃位错密度辐照后都略有增加。此外,实验结果还表明初始材料质量越好,辐照退化越小。
