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可光控Ag/AgBiI_(4)/ITO电阻式随机存储器阻变性能的研究
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作者 杨晓婷 赵非玉 +3 位作者 吴刚 于群 蔡昊成 田顺成 《科技和产业》 2025年第24期1-7,共7页
采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃上制备了AgBiI_(4)薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)扫描表征其表面形貌,再运用Keithley2400对电阻式随机存储器(RRAM)的阻变性能进行测试。研究发现,制备得到的Ag/AgBiI_(4)/ITO结构的RRAM具有明显的双极电... 采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃上制备了AgBiI_(4)薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)扫描表征其表面形貌,再运用Keithley2400对电阻式随机存储器(RRAM)的阻变性能进行测试。研究发现,制备得到的Ag/AgBiI_(4)/ITO结构的RRAM具有明显的双极电阻开关效应,同时能对450 nm紫外光照响应。经过紫外光照的阻变材料AgBiI_(4)薄膜中的银阳离子增多,器件更容易形成导电细丝,电阻开关比增大了100倍,稳定性也有一定的提升。此外还研究了Ag层与对Ag/AgBiI_(4)/ITO结构的RRAM电阻开关性能的调控作用,认为电阻开关比变大是由于银层与薄膜中的I-反应导致I空穴增加引起的。最后将少量Sb^(3+)阳离子掺杂在AgBiI_(4)中制备了稳定的Ag/AgBi_(1-x)Sb_(x)I_(4)/ITO结构的RRAM,测试结果表明,虽然在1000 s工作后器件损耗,但器件高低阻态保持稳定的转换可以达到600圈。 展开更多
关键词 agbii4 电阻开关 紫外光 离子掺杂 导电细丝 空穴
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