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退火温度对AZTO薄膜晶体管电学特性的影响 被引量：1
1
作者 左欢欢 王超 杨帆 《吉林建筑大学学报》 2020年第6期73-76,共4页
通过使用射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜,然后将制备的薄膜放入不同温度下进行退火,再制备成AZTO薄膜晶体管(TFT)器件,研究不同退火温度对AZTO薄膜晶体管器件性能的影响.实验结果表明,随着退火温度的升高,AZTO-... 通过使用射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜,然后将制备的薄膜放入不同温度下进行退火,再制备成AZTO薄膜晶体管(TFT)器件,研究不同退火温度对AZTO薄膜晶体管器件性能的影响.实验结果表明,随着退火温度的升高,AZTO-TFT器件的载流子迁移率和电流开关比随之增大,在600℃的温度条件下退火的器件性能最佳,其迁移率为10 cm^2/(V·s),阈值电压为13 V,电流开关比为6.29×10^6. 展开更多
关键词 铝锌锡氧化物(azto) 薄膜晶体管(TFT) 退火温度
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AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响
2
作者 胡小强 杨小天 +3 位作者 李慧 李博 胡伟涛 雷明洲 《吉林建筑大学学报》 CAS 2021年第6期80-83,共4页
随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的A... 随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的AZTO有源层.结果表明,随着有源层厚度增加,器件开关比减小,透光率下降,AZTO有源层厚度为52.5 nm时具有最高的开关比(1×106)和最高的光学透过率(97%). 展开更多
关键词 azto 薄膜晶体管 有源层厚度 磁控溅射
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沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响
3
作者 荆卫松 王超 +2 位作者 邓洋 杨帆 贾明瑞 《日用电器》 2023年第9期98-101,共4页
本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Trans... 本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。并采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、半导体参数仪和紫外-可见分光光度计,分别对薄膜表面粗糙度、薄膜的体相结构、器件电学性能以及光透过率进行表征。结果表明:上述条件制备的AZTO薄膜成膜质量较好,随着沟道宽度的变窄,开态电流逐步增大,阈值电压逐渐负向偏移,电流开关比逐渐变大,器件的整体性能依然是逐渐提高的,在沟道宽度为10 um时,开态电流为,阈值电压为-7.843 2 V,电流开关比达到。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 azto 沟道宽度
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有源层厚度对Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管和反相器性能的影响
4
作者 库来哲 王超 +6 位作者 郭亮 王杰阳 初学峰 杨帆 郝云鹏 高寒松 赵洋 《液晶与显示》 北大核心 2025年第9期1258-1267,共10页
为探究有源层厚度对铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜晶体管(TFT)及反相器性能的影响,推动其在逻辑电路中的应用,本文采用射频磁控溅射法制备不同厚度的AZTO薄膜,以其为有源层构建底栅顶接触结构的AZTO-TFT器件。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、... 为探究有源层厚度对铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜晶体管(TFT)及反相器性能的影响,推动其在逻辑电路中的应用,本文采用射频磁控溅射法制备不同厚度的AZTO薄膜,以其为有源层构建底栅顶接触结构的AZTO-TFT器件。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)表征薄膜微观结构与成分,测试器件的电学性能。研究发现,随AZTO有源层厚度增加,氧空位浓度逐渐上升。适度氧空位可减弱缺陷与杂质对载流子的散射作用,降低传输阻力,进而提升场效应迁移率;同时,开启状态下器件可通过更多载流子,源漏电流增大,开关比提高。结果表明,在有源层厚度为82 nm时,AZTO薄膜质量最好,器件性能最佳,场效应迁移率为7.47 cm^(2)·V^(−1)·s^(−1),阈值电压为14.25 V,亚阈值摆幅为1.35 V/dec,电流开关比为6.16×10^(7)。基于该优化条件制备的电阻负载型反相器在电源电压(VDD)为25 V时取得了8.8的高增益,且具备全摆幅特性与良好的噪声容限,可有效驱动逻辑电路下一级元件。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 azto 电阻负载型反相器
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Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响 被引量：1
5
作者 武明珠 郭永林 +2 位作者 苟昌华 关晓亮 王红波 《电子设计工程》 2015年第23期183-185,189,共4页
我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O... 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 azto 共溅射 沉积功率
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铝锌锡氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
6
作者 邓洋 王超 +4 位作者 杨帆 王艳杰 龙玉洪 贾明瑞 荆卫松 《光源与照明》 2022年第8期37-40,共4页
随着社会的不断发展,将透明的非晶氧化物半导体薄膜晶体管应用在显示技术行业成为人们关注的焦点,因此,人们对半导体薄膜晶体管电学性能的要求也日益提高。铝锌锡氧化物(AZTO)的化学成分中不含稀有有毒元素且成本低,被广泛用于半导体薄... 随着社会的不断发展,将透明的非晶氧化物半导体薄膜晶体管应用在显示技术行业成为人们关注的焦点,因此,人们对半导体薄膜晶体管电学性能的要求也日益提高。铝锌锡氧化物(AZTO)的化学成分中不含稀有有毒元素且成本低,被广泛用于半导体薄膜晶体管的研究。文章介绍了铝锌锡氧化物半导体薄膜晶体管(AZTO-TFT)电学性能的影响因素,如Al元素含量、退火温度和双沟道层结构,为今后改善AZTO-TFT的电学性能提供了有效方法,展望了今后的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 半导体薄膜晶体管 铝锌锡氧化物 azto 电学性能
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