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题名基于AZ4620光刻胶的垂直掩膜工艺参数优化
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作者
李啟
梁庭
雷程
贾平岗
余建刚
姚宗
李嘉龙
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机构
中北大学极限环境光电动态测试技术与仪器全国重点实验室
北方自动控制技术研究所
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出处
《半导体技术》
北大核心
2026年第2期139-143,共5页
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基金
国家重点研发计划(2023YFB3208500)
山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目(202201030201010)。
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文摘
针对光刻胶掩膜侧壁倾角不垂直导致压力传感器背腔刻蚀倾角偏差,进而影响传感器性能的问题,对光刻胶掩膜参数进行了探究,分析了匀胶转速、曝光剂量和后烘温度及时间等不同光刻参数对光刻胶掩膜侧壁倾角的影响。结果表明,采用以下光刻参数:AZ4620光刻胶,匀胶转速2500 r/min,110℃下前烘3 min,曝光剂量200 mJ/cm^(2),显影液AZ400K(AZ400K与去离子水体积比为1∶3),70℃下后烘10 min,可以得到侧壁倾角为90°的光刻胶掩膜,深刻蚀(390μm)后背腔倾角可以达到90.2°,为制备高性能压力传感器的关键刻蚀工艺提供了一种解决方案。
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关键词
光刻
az4620
侧壁倾角
垂直掩膜
压力传感器
背腔
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Keywords
lithography
az4620
sidewall tilt angle
vertical mask
pressure sensor
back cavity
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分类号
TP305.7
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名基于AZ4620光刻胶热熔制作微透镜阵列
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作者
谢石建
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机构
浙江大学微纳加工中心
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出处
《科技视界》
2025年第7期1-3,共3页
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文摘
本文系统研究了基于AZ4620光刻胶热熔工艺的微透镜阵列制备方法。通过实验研究,建立了AZ4620光刻胶的优化旋涂工艺曲线。以热熔成型技术为核心工艺,结合激光直写设备,成功制备了周期为50μm、单透镜直径40μm、高度7.6μm的均匀球冠状微透镜阵列,并给出了制备过程中的关键工艺参数,包括曝光剂量(130 mJ/cm²)、前烘条件(100℃/80 s)、热熔参数(140℃/20 min)、显影时间(5 min)及光刻胶体积收缩率(26%)等关键技术指标。通过对比分析激光直写技术与其他制备方法的优缺点,阐明了该工艺在加工精度与效率方面的优势,为微透镜阵列的工业化应用奠定了理论基础,并提供了技术指导。
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关键词
az4620
微透镜阵列
光刻胶热熔
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名用AZ4620制作微电镀模的工艺研究(英文)
被引量：2
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作者
王明亮
郑剑铭
孙道恒
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机构
厦门大学机电工程系
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第4期27-31,共5页
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基金
SupportedbyFujianNaturalScienceFund(A0110003)
KeyProjectofSciencePlanofFujian(2002H022)
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文摘
介绍了利用AZ4620光刻胶制作截面为5μm×5μm微电镀模的工艺流程,详细说明了工艺流程中影响实验结果的实验参数以及实验参数的优化方法,并用实验结果说明了应该避免的实验误区。最后根据优化后的参数制作出满足课题需要的实验结果。
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关键词
az4620
微电镀模
制作工艺
光刻
悬臂梁
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Keywords
photolithography
cantilever
microelectroplating
az4620
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名AZ4620光刻胶的喷雾式涂胶工艺
被引量：2
- 4
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作者
邢栗
汪明波
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机构
沈阳芯源微电子设备有限公司
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出处
《电子工业专用设备》
2011年第12期43-46,共4页
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文摘
对于一些MEMS应用,需要在形貌起伏很大的晶圆表面均匀地涂布光刻胶。喷雾式涂胶工艺满足了这些要求。研究了几种稀释的AZ4620光刻胶溶液的雾化喷涂性能,在沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机上进行了雾化喷涂试验,分别对裸片及深孔不同尺寸的晶圆进行喷雾式涂胶实验;特别研究了决定喷涂薄膜膜厚和均匀性的光刻胶流量和浓度;实验得到的膜厚和均匀性可以满足图形复杂、有深孔的晶圆。结尾列出了喷雾式涂胶在实际中的一些应用。这些结果证明喷雾式涂胶存在的潜力以及美好前景。
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关键词
喷雾式涂胶机
az4620光刻胶
膜厚
均匀性
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Keywords
Spray coating
AZ4562 Photoresist
Thickness
Uniformity
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名紫外线厚胶光刻技术研究及应用
被引量：4
- 5
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作者
李雯
谭智敏
薛昕
刘理天
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机构
清华大学微电子学研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期151-153,共3页
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文摘
紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。
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关键词
紫外线厚胶光刻技术
SU-8
az4620
双面对准光刻机
紫外线光刻工艺
胶结构图形
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Keywords
UV lithography
SU 8
az4620
3D MEMS
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分类号
TN405.7
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名结构化晶圆表面厚胶喷涂工艺
被引量：4
- 6
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作者
杨芳
武忙虎
王浩亮
翟鑫月
王勋
李宝霞
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机构
西安微电子技术研究所
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第11期933-938,共6页
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基金
国家重点研发计划项目(2017YFB0406400)
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-109)
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文摘
采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜。分别研究了稀释质量比、超声功率、氮气体积流量、喷嘴与晶圆表面的间距、载台温度等工艺参数对TSV硅片表面喷涂质量的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到表面胶颗粒细小、膜厚均匀性好、台阶覆盖率高的涂覆刻蚀片。实验结果表明,超声雾化喷涂法可以很好地应用于三维结构表面涂覆,克服了旋涂方法在三维结构应用中带来的缺陷,同时有效地提高了光刻胶的利用率,在集成电路(IC)制造和微电子机械系统(MEMS)工艺中有着广阔的应用前景。
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关键词
喷胶
az4620光刻胶
硅通孔(TSV)
胶颗粒粒径
台阶覆盖率
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Keywords
spray coating
az4620 photoresist
through silicon vias(TSV)
photoresist parti-cle diameter
step coverage
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名聚合物芯片复型模具的新型制作工艺研究
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作者
许龙芳
张平
吴一辉
刘永顺
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机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
中国科学院研究生院
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期60-63,68,共5页
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基金
国家"863"计划B类项目(2006AA04Z367)
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文摘
AZ4620是一种广泛应用于微系统制作的正性光刻胶。高温改性后的AZ4620在紫外曝光时光照部分不再发生光化学反应,基于这样的材料特性,以220℃高温硬烘30 min获得改性的无光敏性的光刻胶,通过Plasma氧刻蚀制作出底层结构,再在底层结构表面涂胶采用多次曝光和显影制作出具有三层微结构的光刻胶模具,利用模塑法制作聚合物PDMS芯片。对光刻胶高温硬固工艺进行分析,对产生回流、残余应力、气泡等问题进行理论分析和实验研究,优化了模具加工工艺。采用多次喷涂,Plasma氧处理改善浸润性,高温硬烘0.5℃/min的升温速率得到了质量较好的多层光刻胶模具,为利用正性厚胶制作多层微结构提供了新的方法。
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关键词
az4620
高温改性
多层微结构
光刻胶模具
PDMS
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Keywords
az4620
thermal disposing modification
multi-layered microstructure
photoresist mold
PDMS
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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