针对单一的非线性电阻元件无法模拟金属氧化物压敏电阻片的伏安特性,对IEEE模型与P-G模型进行了对比介绍,并利用ATP-EMTP仿真软件对二者使用波形为8/20μs,幅值分别为5 k A,10 k A,20 k A的雷电流进行仿真冲击。最后将仿真得到的残压与...针对单一的非线性电阻元件无法模拟金属氧化物压敏电阻片的伏安特性,对IEEE模型与P-G模型进行了对比介绍,并利用ATP-EMTP仿真软件对二者使用波形为8/20μs,幅值分别为5 k A,10 k A,20 k A的雷电流进行仿真冲击。最后将仿真得到的残压与实验数据对比。结果显示模型皆有较好的仿真结果,最大的不同就是模型中对参数值估算的复杂度不一样,P-G模型较为简单,仿真结果更精确,电路的组成更简单,实用性更强。展开更多
文摘针对单一的非线性电阻元件无法模拟金属氧化物压敏电阻片的伏安特性,对IEEE模型与P-G模型进行了对比介绍,并利用ATP-EMTP仿真软件对二者使用波形为8/20μs,幅值分别为5 k A,10 k A,20 k A的雷电流进行仿真冲击。最后将仿真得到的残压与实验数据对比。结果显示模型皆有较好的仿真结果,最大的不同就是模型中对参数值估算的复杂度不一样,P-G模型较为简单,仿真结果更精确,电路的组成更简单,实用性更强。
