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Fe掺杂钛基SnO2/Sb电催化电极的制备及表征 被引量:3
1
作者 张翼 刘蕾 +2 位作者 孙晓东 张荣庆 王磊 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期31-33,70,共4页
为了改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了Fe掺杂钛基SnO2/Sb电极。采用SEM、EDX以及XRD等方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,并以苯酚为目标有机物,研究了所制备电极对有机污染物的电催化降解能... 为了改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了Fe掺杂钛基SnO2/Sb电极。采用SEM、EDX以及XRD等方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,并以苯酚为目标有机物,研究了所制备电极对有机污染物的电催化降解能力。结果表明,适量Fe的掺杂有利于晶粒细化和导电性的提高;但过量Fe的掺杂可能导致SnO2晶格的混乱程度增大,甚至使晶格破坏,从而使电极性能降低;掺杂0.5%Fe的SnO2/Sb电极对苯酚的降解效果优于未掺杂Fe的电极;电解3 h后,苯酚去除率和化学需氧量(COD)去除率分别达到100.0%和92.0%。 展开更多
关键词 sno2/sb电极 Fe 电催化 苯酚
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SnO2纳米颗粒制备及其对溶胶-凝胶Sb:SnO2薄膜性能的影响
2
作者 王黎 周嶅 毕文跃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3209-3212,共4页
以Sn(OEt)2为起始原料,采用水热晶化法合成了分散性良好的金红石结构的SnO2纳米颗粒.采用X射线衍射对其进行了表征,表明SnO2纳米颗粒的结晶性良好,颗粒尺寸小于10nm.将合成的SnO2纳米颗粒均匀分散到Sb:SnO2镀膜液中,经陈化后制成镀膜溶... 以Sn(OEt)2为起始原料,采用水热晶化法合成了分散性良好的金红石结构的SnO2纳米颗粒.采用X射线衍射对其进行了表征,表明SnO2纳米颗粒的结晶性良好,颗粒尺寸小于10nm.将合成的SnO2纳米颗粒均匀分散到Sb:SnO2镀膜液中,经陈化后制成镀膜溶胶,以溶胶-凝胶浸渍镀膜工艺制备纳米颗粒掺杂Sb:SnO2薄膜.分别采用范德堡(Van Der Pauw)法、UV/VIS分光光度计和FTIR中红外分析仪测量并分析膜层的导电性能、光学性能及结构特征,研究了导电纳米颗粒添加对Sb:SnO2薄膜电性能、光学性能和结构的影响. 展开更多
关键词 水热合成 sno2纳米颗粒 sb:sno2薄膜 溶胶-凝胶
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喷雾热解法制备SnO2:Sb+F透明导电薄膜
3
作者 赵高扬 魏征 +1 位作者 郅晓 张卫华 《中国材料科技与设备》 2006年第5期83-85,共3页
采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度... 采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度550℃的条件下,制备的SnO2:Sb+F薄膜具有最佳的导电性能及较高的透光率,薄膜方阻达25Ω/□,电阻率为7.5×10^-4Ω·cm,平均可见光透过率为77.4%,辐射率e=0.208,表现出了较好的低辐射性。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 sno2:sb+F 喷雾热解 光电性能 大面积
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SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2:Sb薄膜光电性能的影响 被引量:3
4
作者 陈帅 赵小如 +4 位作者 段利兵 白晓军 刘金铭 谢海燕 关蒙萌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期27-29,38,共4页
以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光... 以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 透明导电氧化物 sb掺杂sno2 缓冲层
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Anodic oxidation of formic acid on PdAuIr /C-Sb2O5·SnO2 electrocatalysts prepared by borohydride reduction 被引量:2
5
作者 A. O. Neto J. Nandenha R. F. B. De Souza G. S Buzzo J. C. M . Silva E. V. Spinacé M . H. M . T. Assumpo 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期851-857,共7页
PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2electrocatalysts with Pd∶Au∶Ir molar ratios of 90∶5∶5,70∶20∶10 and 50∶45∶5 were prepared by borohydride reduction method.These electrocatalysts were characterized by EDX,X-ray diffracti... PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2electrocatalysts with Pd∶Au∶Ir molar ratios of 90∶5∶5,70∶20∶10 and 50∶45∶5 were prepared by borohydride reduction method.These electrocatalysts were characterized by EDX,X-ray diffraction,transmission electron microscopy and the catalytic activity toward formic acid electro-oxidation in acid medium investigated by cyclic voltammetry(CV),chroamperometry(CA)and tests on direct formic acid fuel cell(DFAFC)at 100℃.X-ray diffractograms of PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2electrocatalysts showed the presence of Pd fcc phase,Pd-Au fcc alloys,carbon and ATO phases,while Ir phases were not observed.TEM micrographs and histograms indicated that the nanoparticles were not well dispersed on the support and some agglomerates.The cyclic voltammetry and chroamperometry studies showed that PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2(50∶45∶5)had superior performance toward formic acid electro-oxidation at 25℃compared to PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2(70∶20∶10),PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2(90∶5∶5)and Pd/C-Sb2O5·SnO2electrocatalysts.The experiments in a single DFAFC also showed that all PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2electrocatalysts exhibited higher performance for formic acid oxidation in comparison with Pd/C-Sb2O5·SnO2electrocatalysts,however PdAuIr/C-Sb2O5·SnO2(90∶5∶5)had superior performance.These results indicated that the addition of Au and Ir to Pd favor the electro-oxidation of formic acid,which could be attributed to the bifunctional mechanism(the presence of ATO,Au and Ir oxides species)associated to the electronic effect(Pd-Au fcc alloys). 展开更多
关键词 PdAuIr/C—sb2O5·sno2 甲酸氧化 燃料电池 电力
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温度控制对ATO纳米分散液水热生长的影响 被引量:2
6
作者 白凡飞 何云 +1 位作者 贺平 贾志杰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期28-30,共3页
以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液.用XRD、TEM、X射线能量散射谱(EDS)和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征.结果表明:温度控制、分段... 以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液.用XRD、TEM、X射线能量散射谱(EDS)和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征.结果表明:温度控制、分段加热的水热法,可以一步合成粒径为10~15 nm,高比表面积、分散性好的ATO纳米晶导电粉体,在低温短时的条件下,同时实现了氧化物的掺杂和分散.并对生长机理做了初步探讨. 展开更多
关键词 无机非金属材料 ato(sno2:sb) 水热法 温度控制 分散
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SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质 被引量:4
7
作者 王玉恒 马瑾 +3 位作者 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期922-926,共5页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2 晶格中.室温条件下对样品进行光致发光测量,在392nm附近观测到强的紫外紫光发射,发射强度随制备功率的增加而增强,且样品退火后发射强度也明显增强.紫外紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁. 展开更多
关键词 sno2:sb薄膜 射频磁控溅射 光致发光
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钕改性钛基SnO_2/Sb电催化电极的制备及表征 被引量:18
8
作者 李善评 胡振 曹翰林 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期291-297,共7页
为改善钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Nd改性钛基SnO2/Sb电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察电极的电催化性能,对制备温度和Nd掺杂量进行了研究,确定了适宜的制备条件为:热处理温度550℃,Nd掺杂量1.0%。采用SEM,EDS,... 为改善钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Nd改性钛基SnO2/Sb电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察电极的电催化性能,对制备温度和Nd掺杂量进行了研究,确定了适宜的制备条件为:热处理温度550℃,Nd掺杂量1.0%。采用SEM,EDS,XRD及XPS等分析方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,发现掺杂Nd可使SnO2粒径变小,有利于电极电催化性能的改善,同时Nd元素的引入可使杂质元素Sb,Nd在电极表面涂层富集。Nd改性钛基SnO2/Sb电极表面主要是四方相金红石结构的SnO2晶体,掺杂的Sb和Nd分别以Sb5+和Nd3+的形式存在。电极动电位扫描测试结果表明,Nd改性钛基SnO2/Sb电极具有较高的阳极析氧电位,有利于有机物的阳极氧化降解。 展开更多
关键词 sno2/sb电极 掺杂 电催化 稀土
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喷雾热解法制备SnO_2:Sb透明导电薄膜 被引量:17
9
作者 张聚宝 侯春 +5 位作者 翁文剑 程逵 杜丕一 沈鸽 汪建勋 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1063-1068,共6页
采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:... 采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11%(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82%,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10^(-4)Ω·cm。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺锑二氧化锡 喷雾热解 光电性能 sno2:sb
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磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜 被引量:8
10
作者 杨田林 杨光德 +1 位作者 高绪团 万云芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期64-67,共4页
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶... 采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。 展开更多
关键词 磁控溅射法 制备 sno2 sb透明导电膜
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Sb掺杂纳米SnO_2/多孔Ti电极的制备及其降解甲基橙性能(英文) 被引量:4
11
作者 李广忠 李纲 +4 位作者 王辉 向长淑 庄建东 刘茜 汤慧萍 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1326-1330,共5页
利用热分解方法在多孔钛上制备了Sb掺杂纳米SnO2电极。也研究了该电极降解甲基橙的电化学性能。SEM和XRD测试表明,在多孔钛基体上可获得完整的、无裂缝的涂层。无裂缝的涂层表面由粒径范围在80-230 nm的Sb掺杂SnO2纳米颗粒组成。HRTEM... 利用热分解方法在多孔钛上制备了Sb掺杂纳米SnO2电极。也研究了该电极降解甲基橙的电化学性能。SEM和XRD测试表明,在多孔钛基体上可获得完整的、无裂缝的涂层。无裂缝的涂层表面由粒径范围在80-230 nm的Sb掺杂SnO2纳米颗粒组成。HRTEM测试结果表明,SnO2纳米颗粒由5-6 nm细小颗粒构成。在其余条件相同的情况下,强化寿命试验表明,Sb掺杂纳米SnO2/多孔Ti电极的寿命远大于致密钛基体上的电极。Sb掺杂纳米SnO2/多孔Ti电极可将浓度为100 mg/L的甲基橙溶液降解到8 mg/L,显示出该电极具有很强的有机物污染物电催化降解能力。并指出采用简单的表面处理技术,将使多孔钛具有很高的潜力被应用到有机污水降解领域。 展开更多
关键词 sb掺杂 纳米sno2 多孔Ti电极 甲基橙
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基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响 被引量:7
12
作者 谢莲革 汪建勋 +3 位作者 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期411-413,418,共4页
以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性... 以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 展开更多
关键词 APCVD法 sb掺杂sno2薄膜 基板温度
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退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响 被引量:6
13
作者 王玉恒 马瑾 +2 位作者 计峰 余旭浒 马洪磊 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1747-1750,共4页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 sno2:sb薄膜 光致发光
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耐酸非贵金属Ti/MO_2阳极SnO_2+Sb_2O_4中间层研究 被引量:12
14
作者 梁镇海 张福元 孙彦平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1605-1609,共5页
采用热分解法制备了非贵金属SnO2+Sb2O4中间层Ti基MO2活性层电极,利用SEM,XRD和XPS方法对中间层进行了表征。测定了Ti/SnO2+Sb2O4/MnO2和Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2电极在硫酸溶液中的析氧极化曲线,二者起始析氧过电位均比贵金属小;考察了在高... 采用热分解法制备了非贵金属SnO2+Sb2O4中间层Ti基MO2活性层电极,利用SEM,XRD和XPS方法对中间层进行了表征。测定了Ti/SnO2+Sb2O4/MnO2和Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2电极在硫酸溶液中的析氧极化曲线,二者起始析氧过电位均比贵金属小;考察了在高电流密度(4A/cm2)下的加速寿命,二者依次分别达到18h和86h。实验表明,SnO2+Sb2O4是一种具有良好导电性和结合力的耐酸Ti基MO2电极中间层材料。 展开更多
关键词 sno2+sb2O4中间层 钛基氧化物 耐酸阳极 非贵金属
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量:7
15
作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD) sb掺杂sno2薄膜 掺杂量
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有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究 被引量:8
16
作者 马瑾 郝晓涛 +2 位作者 马洪磊 张德恒 徐现刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期599-603,共5页
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺... 采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率~ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度~ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率~ 13cm2 · V- 1 · 展开更多
关键词 有机衬底 sno2:sb 磁控溅射 透明导电膜 二氧化锡
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Sn_(1-x)Sb_xO_2固溶体电极的形成能与电子结构 被引量:3
17
作者 梁镇海 丁永波 +2 位作者 樊彩梅 郝晓刚 韩培德 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期758-762,共5页
为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的... 为研究Sb掺杂对Ti/SnO2电极稳定性与导电性的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对金红石型SnO2及不同比例Sb掺杂SnO2体系进行了第一性原理计算,用广义梯度近似方法优化了Sn1-xSbxO2固溶体电极的晶体结构,计算了掺杂前后体系的电子结构以及不同掺杂比例时的形成能.结果表明:Sb替代Sn后,晶格常数与晶胞体积均增加,但掺杂形成能随掺杂量变化不大,在掺杂量为0.083时掺杂形成能达到最低值5.08eV,稳定性最好.掺杂Sb后,在费米能级至最低导带处存在Sb5s电子态分布,产生施主能级;同时Sb掺杂后,在导带底形成的可填充电子数也从未掺杂的4增加到了掺杂后的19,导电性明显增强,且在掺杂量为0.063时导电性最强.本文的计算结果为钛基Sn1-xSbxO2氧化物电极的开发与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 电子结构 sb掺杂sno2 第一性原理 形成能
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Sb掺杂SnO_2纳米粉体的结晶行为和电学性能 被引量:22
18
作者 张建荣 顾达 杨云霞 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期552-555,共4页
采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶... 采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶粒生长分为 2个阶段 ,其活化能分别为 2 1 .94和 4.5 2 k J/mol. 展开更多
关键词 sb 掺杂 sno2 纳米粉体 结晶行为 电学性能 半导体材料 二氧化锡 非均相成核法
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Ti/SnO_2+Sb_2O_3/β-PbO_2阳极电化学氧化异噻唑啉酮 被引量:8
19
作者 韩卫清 周刚 +2 位作者 王连军 孙秀云 李健生 《过程工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期566-570,共5页
采用提拉法和电沉积法制作Ti/SnO2+Sb2O3/β-PbO2阳极,通过SEM扫描、XRD分析和极化曲线测定表征具有良好结构和催化性能.利用该电极氧化异噻唑啉酮水溶液,研究运行参数(电化学氧化时间、电流密度和水溶液pH值)的变化对异噻唑啉酮和化学... 采用提拉法和电沉积法制作Ti/SnO2+Sb2O3/β-PbO2阳极,通过SEM扫描、XRD分析和极化曲线测定表征具有良好结构和催化性能.利用该电极氧化异噻唑啉酮水溶液,研究运行参数(电化学氧化时间、电流密度和水溶液pH值)的变化对异噻唑啉酮和化学耗氧量(ChemicalOxygenDemand,CODcr)降解效果的影响,降解过程符合一级动力学方程.在异噻唑啉酮水溶液初始浓度200mg/L、电流密度15mA/cm2、电化学氧化180min时,异噻唑啉酮、CODcr去除率可分别达到98%和43%.通过紫外光谱图分析了异噻唑啉酮氧化过程为先开环,再生成低分子有机酸,最后矿化为CO2和H2O. 展开更多
关键词 异噻唑啉酮 电化学氧化 钛基β-氧化铅阳极(Ti/sno2+sb2O3/β-PbO2) 化学耗氧量
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SnO_2∶Sb/SiO_2复合薄膜的制备与光学性能 被引量:3
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作者 王贺 魏长平 +2 位作者 彭春佳 程果 李丛昱 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期683-687,共5页
采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约10... 采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105 nm,折射率为1.352,底层SnO2∶Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2∶Sb薄膜,在相同情况下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2∶Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2∶Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率。相比于单层SnO2∶Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 sno2sb SIO2 复合薄膜 透过率
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