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铝基SiOx膜层滑动磨损及其机理研究
1
作者 张际亮 沃银花 +1 位作者 郦剑 甘正浩 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期422-424,共3页
本文采用低温常压CVD方法制备铝基SiOx陶瓷膜层。以黄铜为对磨材料 ,使用销 -盘式磨损试验机对比研究纯铝表面与SiOx膜层的滑动磨损性能 ,通过SEM分析磨损的表面形貌并分析其磨损机理。结果表明纯铝表面发生粘着磨损 ,存在大量塑性变形... 本文采用低温常压CVD方法制备铝基SiOx陶瓷膜层。以黄铜为对磨材料 ,使用销 -盘式磨损试验机对比研究纯铝表面与SiOx膜层的滑动磨损性能 ,通过SEM分析磨损的表面形貌并分析其磨损机理。结果表明纯铝表面发生粘着磨损 ,存在大量塑性变形和折叠 ,导致片状脱落 ,磨损率高 ;SiOx薄膜硬度较高 ,存在孔隙 ,表面发生塑性变形、崩塌和磨粒磨损 ;因薄膜孔隙具有储存润滑剂 (水 )的作用 ,磨损率明显低于对比纯铝样品 ;随沉积时间增加 ,SiOx膜层变厚 ,承载能力提高 ,磨损量减小。 展开更多
关键词 铝基SiOx膜 apvcd 滑动磨损
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SIPOS障的结构织成
2
作者 谭凌 雷沛云 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期890-896,共7页
采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）方法，生长了不同氧含量的ＳＩＰＯＳ（半绝缘含氧多晶硅）膜，研究了ＳＩＰＯＳ膜的结构组成．ＳＩＰＯＳ膜是微晶，多晶和非晶共存的结构，其晶态物中含有缺氧的α－Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ（方... 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）方法，生长了不同氧含量的ＳＩＰＯＳ（半绝缘含氧多晶硅）膜，研究了ＳＩＰＯＳ膜的结构组成．ＳＩＰＯＳ膜是微晶，多晶和非晶共存的结构，其晶态物中含有缺氧的α－Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ（方石英）结构．膜中含氧量可变，以ＳｉＯｘ（ｘ＜２）表示，随着氧含量的增加或减少，其结构向非晶或多晶方向移动．膜中氧原子分布不均匀，局部有氧原子微区集中或缺少现象，使Ｘ＝０或１或２． 展开更多
关键词 SIPOS膜 硅 apvcd法
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常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究
3
作者 孟祥森 马青松 +1 位作者 葛曼珍 杨辉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2000年第2期19-21,共3页
我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40％，并具有良好的抗高温氧化性，这... 我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40％，并具有良好的抗高温氧化性，这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景。 展开更多
关键词 氮氧化硅 APCVD 高温氧化 改性 陶瓷薄膜
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