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题名28nm制程下多电压设计中AOCV的应用
被引量：1
- 1
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作者
王帅
王殿超
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机构
北京航空航天大学软件学院
超威半导体产品(中国)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2014年第8期43-49,共7页
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文摘
随着IC工艺技术的进步和发展,我们已经进入28nm工艺制程时代。相对于使用基于设置全局derate值的传统OCV方法,Advanced-OCV方法具有更精准和合理的优势,同时多电压设计已经成为实现低功耗设计的重要手段。因此,本文将基于28nm工艺的设计,介绍AOCV在多电压设计中的时序分析和验证的实际应用以及其带来的优势。
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关键词
aocv
OCV
多电压
28nm
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Keywords
OCV
aocv
Multi-VDD
28nm
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于AOCV的低功耗标准单元设计
被引量：3
- 2
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作者
张振鹏
张立军
郑坚斌
于跃
索超
李有忠
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机构
苏州大学
苏州兆芯半导体科技有限公司
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出处
《电子设计工程》
2017年第7期134-138,共5页
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基金
国家自然科学基金(61272105)
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文摘
近年来,物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法,但是随着电压的降低,电路的性能也会急剧下降。针对这一问题,本文运用AOCV的时序分析方法,使得电路设计在保证性能的基础上,最大程度地降低工作电压。在先进工艺下,运用AOCV方法能够使得工作电压由1.05 V降为1 V左右,在典型工艺角下的功耗得到了有效降低,同时保证了电路的速度和时序要求。
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关键词
低功耗
工艺偏差
aocv
时序裕量
PrimeTime
标准单元
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Keywords
low power
process variation
aocv
timing margin
PrimeTime
standard cell
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高效精确的创新AOCV芯片设计流程
被引量：1
- 3
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作者
陈圣丰
陈宏铭
鲍帅
王志恒
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机构
智原科技
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出处
《中国集成电路》
2014年第12期44-49,共6页
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文摘
由于工艺的偏差主导了大部分器件的长度和宽度,所以这种偏差在更先进的工艺节点上尤其重要。传统的片上偏差(on-chip variation,OCV)已经使用了一个下降因子(derating factor)在所有的时序路径上,去模仿工艺变化,这样对于增加工艺偏差来说太悲观了。对比与传统的片上偏差,先进的片上偏差(Advanced OCV,AOCV)在不同的时序路径上给出了不同的下降因子。这样就可以减轻由于下降和减少过度设计和时序收敛周期而引起的过度悲观。这篇文章中我们介绍了一种创新的AOCV芯片设计流程,包括AOCV表格生成,执行和si gn-of f阶段。在AOCV表格生成中,我们重点介绍如何选择设计相关的工艺偏差参数。执行相关的AOCV表格可以加快转换周期,而且EDA时序修改工具能支持AOCV表格。在sign-of f阶段,我们对比了Synopsys Primetime基于路径分析AOCV的实验结果,表明误差在1%以内。
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关键词
先进的片上偏差
新思科技
Primetime
HSPICE
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Keywords
aocv
Synopsys
primetime
HSPICE
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名16nm工艺下的新一代静态时序分析技术SOCV
被引量：3
- 4
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作者
胡云生
胡越黎
王伟平
承文龙
杨晔晨
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机构
上海大学微电子研究与开发中心
上海大学机电工程与自动化学院
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出处
《计算机测量与控制》
2017年第4期213-215,243,共4页
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文摘
工艺偏差在更加先进的工艺节点上别的尤为重要;最初使用工艺偏差方法学(on-chip variation,OCV)使用一个系数因子在整条时序路径上放大缩小来模仿工艺变化,这种方法学过于悲观;先进的片上误差方法学(advanced ocv,AOCV)可以在不同的时序路径上不同的逻辑深度添加不同的系数因子来模拟工艺误差;但是这种方法学分析的时间太长,消耗的内存太多,并且分析的场景出现的概率很低;介绍一种在16nm下最新的一代时序分析技术-统计学片上误差分析(statistic ocv,SOCV);SOCV能够模拟某种误差使得延时出现的概率,因此SOCV较AOCV更为准确,能够去除部分特别悲观和特别乐观的场景;SOCV耗时明显要低于AOCV,因此SOCV能加快sign-off的时间。
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关键词
静态时序分析
aocv
SOCV
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Keywords
static timing analysis
advanced on--chip variationl statistical on-chip variation
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分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于22nm工艺的GNSS芯片片上偏差的时序分析
- 5
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作者
符强
黄三峰
纪元法
肖有军
屈康杰
梁家瑞
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机构
桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室
桂林电子科技大学信息与通信学院
南宁桂电电子科技研究院有限公司
创意电子股份有限公司
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出处
《桂林电子科技大学学报》
2024年第4期401-408,共8页
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基金
国家自然科学基金(62061010,62161007)
广西科技厅项目(桂科AA20302022,桂科AB21196041,桂科AB22035074,桂科AD22080061)
+2 种基金
桂林市科技项目(20210222-1)
广西高校中青年教师科研基础能力提升项目(2022KY0181)
广西精密导航与应用重点实验室开放基金(DH202215,PT22001P)。
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文摘
静态时序分析是芯片设计的一个重要环节。在22nm工艺下的静态时序分析中,采用传统的OCV方法会导致时序不准确、性能不稳定和设计鲁棒性下降等问题。为了提高时序精确性和缩小设计周期,提出了一种基于22 nm工艺的GNSS导航芯片分析方法,使用ICC2实现布局布线以及PrimeTime工具实现静态时序分析;将遵循正态分布的局部参数替代固定的全局参数,采用参数式片上偏差技术结合路径分析模式进行建模。实验结果表明,参数式片上偏差与路径相结合建模的分析方法相较于先进式片上偏差技术,WNS优化了约56.2%,TNS改善了约82.2%,总违例路径减少了58.7%,节省了高达50.8%的时序分析时间,验证了参数式片上偏差与路径相结合的方法的优越性,降低了悲观度,提高了时序精确性,缩小了设计周期。
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关键词
22nm工艺
静态时序分析
先进式片上偏差
参数式片上偏差
路径分析模式
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Keywords
22 nm process
STA
aocv
POCV
PBA mode
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分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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