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Effect of the Variable B-Field on the Dynamic of a Central Electron Spin Coupled to an Anti-Ferromagnetic Qubit Bath 被引量:1
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作者 Martin Tchoffo Georges Collince Fouokeng +5 位作者 Siaka Massou Ngwa Engelbert Afuoti Issofa Nsangou Lukong Cornelius Fai Alex Ghislain Tchouadeu Jean-Pierre Kenné 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2012年第4期246-256,共11页
This present issue is an extension of the work of Y. Xiao-Zhong et al. who investigated the influence of constant external magnetic field on the decoherence of a central electron spin of atom coupled to an anti-ferrom... This present issue is an extension of the work of Y. Xiao-Zhong et al. who investigated the influence of constant external magnetic field on the decoherence of a central electron spin of atom coupled to an anti-ferromagnetic environment. We have shown in this work that the character variability of the field induces oscillations amongst the eigen modes of the environment. This observation is made via the derivation of the transition probability density of state, a manner by which critical parameters (parameters where transition occur) of the system could be obtained as it shows resonance peak. We equally observed that the two different magnons modes resulting from the frequency splitting via the application of the time-varying external B-Field, exhibit each a resonant peak of similar amplitude at different temperature ranges. This additional information shows that the probability for the central spin system to remain in its initially prepared diabatic state is enhanced for some temperature ranges for the corresponding two magnon modes. Hence, these temperature ranges where the probability density is maximum could save as decoherence free environment;an important requirement for the implementation of quantum computation and information processing in solid state circuitry. The theoretical and numerical results presented for the decoherence time and the probability density are that of a decohered central electron spin coupled to an anti-ferromagnetic spin bath. The theory is based on a spin wave approximation and on the density matrix using both transformations of Bloch, Primakov and Bogoliobuv in the adiabatic limit. 展开更多
关键词 Decoherence SPIN Wave anti-ferromagnetic Environment CENTRAL SPIN VARIABLE B-Field
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D-Type Anti-Ferromagnetic Ground State in Ca_2Mn_2O_5
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作者 Pan Liu Wei-Hua Wang +3 位作者 Wei-Chao Wang Ya-Hui Cheng Feng Lu Hui Lin 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第2期80-82,共3页
We study the electronic and magnetic properties of an oxygen-deficient perovskite Ca2Mn2O5 based on the first principle calculations. The calculations show that the ground state of Ca2Mn2O5 is a D-type anti-ferromagne... We study the electronic and magnetic properties of an oxygen-deficient perovskite Ca2Mn2O5 based on the first principle calculations. The calculations show that the ground state of Ca2Mn2O5 is a D-type anti-ferromagnetic structure with the anti-ferromagnetic spin coupling along the c-direction. The corresponding electronic structure of the D-type state is investigated, and the results display that Ca2Mn2O5 is an insulator with an indirect energy gap of -2.08eV. By the partiM density-of-state analysis, the valence band maximum is mainly contributed to by the 0-213 orbitMs and the conduction band minimum is contributed to by the 0-213 and Mn-3d orbitals. Due to the Coulomb repulsion interaction between electrons, the density of state of Mn-3d is pulled to -6--4.5eV. 展开更多
关键词 Mn CA D-Type anti-ferromagnetic Ground State in Ca2Mn2O5 AFM DOS OER
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低居里点高强铝合金芯高导硬铝绞线防冰导线制备
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作者 夏霏霏 田崇军 刘宇 《光纤与电缆及其应用技术》 2025年第5期32-35,40,共5页
为了提高敷设于冰雪地区的架空输电线路运行安全性,展开了低居里点高强度铝合金芯高导电率硬铝绞线防冰导线的研制。该防冰导线由LH1高强度铝合金线绞合而成芯线,由62.5%IACS高导电率硬铝型线绞合而成内层绞线,由62.5%IACS高导电率硬铝... 为了提高敷设于冰雪地区的架空输电线路运行安全性,展开了低居里点高强度铝合金芯高导电率硬铝绞线防冰导线的研制。该防冰导线由LH1高强度铝合金线绞合而成芯线,由62.5%IACS高导电率硬铝型线绞合而成内层绞线,由62.5%IACS高导电率硬铝圆线和低居里点铁磁性钢线间隙绞合而成外层绞线。针对该防冰导线特殊的结构和性能设计,展开了铝杆/铝合金杆连铸连轧、铝杆/铝合金杆拉丝、铝合金线时效处理、防冰导线绞制等一系列工艺研究和创新,建立了完整的工艺体系,确保制备的防冰导线具有与相同截面钢芯铝绞线基本相同的机械性能和电气性能,且同时具有抗覆冰特性。 展开更多
关键词 防冰导线 高强度铝合金线 高导电率硬铝线 低居里点铁磁性钢线 抗覆冰性能
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叠氮桥对双核镍配合物磁性影响的密度泛函理论研究 被引量:7
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作者 边江鱼 岳淑美 +1 位作者 张敏 张景萍 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1086-1092,共7页
结合对称性破损(BS)方法,采用不同的密度泛函理论(DFT)对反铁磁性μ-1,3-N3-Ni(II)叠氮配合物[LNi2(N3)](Cl O4)2(L=pyrazolate)的磁特性进行了研究.结果显示,杂化密度泛函理论(HDFT)的计算结果与实验数据非常吻合,能够准确描述配合物... 结合对称性破损(BS)方法,采用不同的密度泛函理论(DFT)对反铁磁性μ-1,3-N3-Ni(II)叠氮配合物[LNi2(N3)](Cl O4)2(L=pyrazolate)的磁特性进行了研究.结果显示,杂化密度泛函理论(HDFT)的计算结果与实验数据非常吻合,能够准确描述配合物的磁特性.磁轨道研究结果表明,配合物表现出较大的单占据轨道能量劈裂(0.93-0.99 e V),显示配合物的单占据轨道去简并化程度较大,且配合物中的2个磁通道(叠氮基、配体pyrazolate)中都分别存在有氮原子之间的p轨道重叠,这些都使得体系表现为反铁磁耦合作用.另外,配合物的磁性与叠氮桥和两金属离子间形成的二面角(τ,Ni-N-N-N-Ni)密切相关,τ从-55.38°逐渐变化到-1.5°的过程中,其反铁磁性逐渐增强,交换耦合常数(Jab)的绝对值逐渐增大,并在-11.95°处达到最大值(Jab=-151.02 cm-1).在此过程中,配合物中叠氮桥及其所连接的2个Ni离子与pyrazolate基配体L-中的2个桥原子N(4)、N(5)形成的七元环共平面性不断增强,即共平面性会诱导增强体系的反铁磁相互作用. 展开更多
关键词 密度泛函理论-对称性破损方法 叠氮配合物 交换耦合常数 反铁磁相互作用
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[Nd(ONO_2)_6][Cu(Im)(Phen)_2]_2(OH)·4H_2O的合成、晶体结构及磁性质 被引量:2
5
作者 牛淑云 杨忠志 +3 位作者 杨清传 杨冰 曹金全 杨光弟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期179-183,共5页
用Nd(NO3)3·6H2O、Im(C3H4N2)、Phen(C12H8N2)和Cu(NO3)2·3H2O为原料,两步反应合成了标题化合物.该化合物晶体属P1空间群,晶胞参数a=1.0126(2)nm,b=1... 用Nd(NO3)3·6H2O、Im(C3H4N2)、Phen(C12H8N2)和Cu(NO3)2·3H2O为原料,两步反应合成了标题化合物.该化合物晶体属P1空间群,晶胞参数a=1.0126(2)nm,b=1.1792(2)nm,c=1.3985nm,α=111.32(3)°,β=93.17(3)°,γ=90.33(3)°,Z=1,R=0.043.测定了化合物的UV-Vis-NIR及IR光谱和变温磁化率,发现标题化合物在低温下具有反铁磁性质. 展开更多
关键词 合成 晶体结构 分子磁体 反铁磁行为
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Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响 被引量:4
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作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期94-96,共3页
定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的... 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 掺杂浓度 共掺杂
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(CoCr)_n(n=1-5)合金团簇的结构和磁性 被引量:3
7
作者 吕瑾 许小红 武海顺 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1252-1256,共5页
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对(CoCr)n(n=1-5)团簇的几何结构、电子结构和磁性进行了系统的研究,确定了团簇的基态和亚稳态.结果表明,CoCr二元合金团簇的基态几何构型呈对称有序排列,其磁性均呈反铁磁性耦合;团簇键长和配位... 采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对(CoCr)n(n=1-5)团簇的几何结构、电子结构和磁性进行了系统的研究,确定了团簇的基态和亚稳态.结果表明,CoCr二元合金团簇的基态几何构型呈对称有序排列,其磁性均呈反铁磁性耦合;团簇键长和配位数的大小对原子局域磁性有很明显的影响;受Cr原子的影响,在(CoCr)4团簇中,非相邻的Co原子之间呈现反铁磁性耦合. 展开更多
关键词 基态构型 合金团簇 磁矩 反铁磁性 态密度
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稀磁半导体材料居里温度的极值点 被引量:3
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作者 陈余 关玉琴 赵春旺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期702-705,共4页
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度... 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
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(CoMn)_n(n=1~5)合金团簇的结构和磁性 被引量:2
9
作者 吕瑾 许小红 武海顺 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第4期552-558,共7页
采用密度泛函理论中的局域自旋密度近似和广义梯度近似对(CoMn)n(n=1~5)团簇的几何构型进行优化、能量、频率和磁性计算,确定了团簇的基态,对其基态的磁性和电子结构进行了系统研究,并与相对应的一元团簇进行了结构和磁性比较.研究表明... 采用密度泛函理论中的局域自旋密度近似和广义梯度近似对(CoMn)n(n=1~5)团簇的几何构型进行优化、能量、频率和磁性计算,确定了团簇的基态,对其基态的磁性和电子结构进行了系统研究,并与相对应的一元团簇进行了结构和磁性比较.研究表明,两种方法确定的基态构型基本一致,当n=1~4时,等比CoMn二元合金团簇的几何形状仍与一元团簇相同;(CoMn)3和(CoMn)4团簇出现了磁性双稳态,显示铁磁性和反铁磁性耦合;二元CoMn合金团簇中Co、Mn原子磁性仍能保持一元Co、Mn团簇基态的磁性. 展开更多
关键词 基态构型 舍金团簇 磁矩 反铁磁性 自旋密度
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新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能 被引量:2
10
作者 安卫军 常永勤 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1057-1061,共5页
采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5~ 30 0K和磁场强度范围 0~ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率... 采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5~ 30 0K和磁场强度范围 0~ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率曲线变化很小 .随着x的增加Cd1-xMnxIn2 Te4 的光学带隙移向高能端 .磁化率倒数 χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里 万斯定律 ,在低温下x≥ 0 2 2时向下偏离该定律 .与具有相同Mn2 + 浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体的交换积分常数较小 . 展开更多
关键词 稀磁半导体 Cd1-xMnxIn2Te4 红外透过度 磁化率 反铁磁交换作用 DMS
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Cr掺杂纤锌矿GaN的磁性和光学性质 被引量:2
11
作者 黄保瑞 张富春 王海洋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第10期34-38,共5页
采用自旋极化密度泛函理论方法,对Cr掺杂纤锌矿GaN的能带结构和态密度进行计算,通过计算的能带结构和光学线性响应函数,系统讨论了Cr掺杂对纤锌矿GaN电子结构、磁学和光学属性的影响。计算结果显示:Cr掺杂纤锌矿GaN的反铁磁态具有半金... 采用自旋极化密度泛函理论方法,对Cr掺杂纤锌矿GaN的能带结构和态密度进行计算,通过计算的能带结构和光学线性响应函数,系统讨论了Cr掺杂对纤锌矿GaN电子结构、磁学和光学属性的影响。计算结果显示:Cr掺杂纤锌矿GaN的反铁磁态具有半金属特征,铁磁态具有金属特性和磁性,磁矩主要源于费米能级附近的Cr 3d和N 2p能带发生劈裂导致自旋向上和自旋向下的电子的态密度不同所致。光学性质计算结果显示,Cr掺杂纤锌矿GaN的费米能级附近出现极大的介电峰,具有优异的发光性能,峰值对应于紫外波段,在高能区吸收峰发生了红移现象,在低能区红外波吸收增强。理论计算表明,Cr掺杂纤锌矿GaN可能是一种性能优异的磁光材料。 展开更多
关键词 电子结构 纤锌矿Ga N 稀磁半导体 密度泛函理论 铁磁态 反铁磁态
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层间反铁磁耦合双层薄膜的自旋波研究 被引量:3
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作者 荣建红 云国宏 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期402-407,共6页
重点研究了界面为反铁磁性耦合情况下,两层铁磁性薄膜中自旋波的本征模、色散关系及波形等问题,同时与界面为铁磁性耦合的结论作了比较,结果发现:界面耦合对膜中的体模影响不大,但是对于界面模有着重要的影响.
关键词 自旋波 铁磁性双层薄膜 界面反铁磁耦合
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反铁磁性交换作用对稀磁半导体(DMS)居里温度的影响 被引量:7
13
作者 胡作启 陈飞 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第4期21-24,共4页
DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>100... DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>10000 时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响十分显著;当 ni/nc<10时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响将会明显减弱,随着空穴浓度的增加,空穴对反铁磁性交换作用有强的抑制作用。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 反铁磁性交换作用
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Co掺杂闪锌矿ZnO的磁性和光学性质 被引量:2
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作者 张富春 崔红卫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期508-514,共7页
采用自旋极化密度泛函理论方法对Co掺杂闪锌矿Zn O的能带结构、态密度、磁学和光学属性进行了研究。计算结果显示:Co掺杂闪锌矿Zn O的基态是反铁磁态,具有金属性特征;而铁磁态具有半金属性特征。铁磁耦合在费米能级附近出现了明显的自... 采用自旋极化密度泛函理论方法对Co掺杂闪锌矿Zn O的能带结构、态密度、磁学和光学属性进行了研究。计算结果显示:Co掺杂闪锌矿Zn O的基态是反铁磁态,具有金属性特征;而铁磁态具有半金属性特征。铁磁耦合在费米能级附近出现了明显的自旋劈裂现象,表现出明显的不对称性和强烈的Co 3d和O 2p杂化效应。磁矩主要来源于Co 3d轨道电子以及部分近邻耦合的O 2p轨道电子,大小与Co原子的掺杂位置有关。光学性质计算结果显示,Co掺杂闪锌矿Zn O在可见光范围内都有较强的光吸收能力,吸收峰在高能区发生了红移现象。理论计算结果表明,Co掺杂闪锌矿Zn O或许是一种优异的磁光材料。 展开更多
关键词 CO掺杂 闪锌矿ZnO 第一性原理 铁磁和反铁磁 光学性质
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(1,2-(1H-1,2,4-三唑))乙烷的一维双链Cu(Ⅱ)配合物合成与表征(英文) 被引量:1
15
作者 丁斌 常若男 +2 位作者 武向侠 王丹 马玲玲 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第1期189-192,共4页
利用高度柔性的双三唑配体(1,2-(1H-1,2,4-三唑))乙烷(L)和铜盐反应合成了1个新的具有一维双链结构的铜(Ⅱ)配合物{[Cu(cis-L)2Br]Br.2H2O}n(1)。单晶结构表明:配合物1的晶体属于三斜晶系,P1空间群。在配合物1中双三唑配体采用反式构型... 利用高度柔性的双三唑配体(1,2-(1H-1,2,4-三唑))乙烷(L)和铜盐反应合成了1个新的具有一维双链结构的铜(Ⅱ)配合物{[Cu(cis-L)2Br]Br.2H2O}n(1)。单晶结构表明:配合物1的晶体属于三斜晶系,P1空间群。在配合物1中双三唑配体采用反式构型,桥联相邻的中心铜离子形成一维双链结构,晶格中游离的Br原子同配位水分子形成了四元环状的Br…O超分子环。测定了配合物1在2~300 K的变温磁化率,结果表明相邻铜离子间存在弱的反铁磁相互作用。 展开更多
关键词 (1 2-(1H-1 2 4-三唑))乙烷 铜配合物 一维双链 反铁磁
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Synthesis of two lanthanide clusters Ln^(Ⅲ)_(4)(Gd_(4) and Dy_(4)) with [2×2] square grid shape:Magnetocaloric effect and slow magnetic relaxation behaviors 被引量:5
16
作者 Chunying Xu Zhilei Wu +3 位作者 Chenjuan Fan Lili Yan Wenmin Wang Baoming Ji 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第9期1082-1088,共7页
Two isostructural tetranuclear lanthanide clusters named [Ln_(4)(L)_(4)(CH_(3) O)_(4)]·CH_(3) OH(Ln=Gd(Ⅲ) for 1,Dy(Ⅲ) for 2,H_(2) L=N’-(2-hydroxy-3-methoxybenzylidene)-6-(hydroxymethyl) picolinohydrazide) were... Two isostructural tetranuclear lanthanide clusters named [Ln_(4)(L)_(4)(CH_(3) O)_(4)]·CH_(3) OH(Ln=Gd(Ⅲ) for 1,Dy(Ⅲ) for 2,H_(2) L=N’-(2-hydroxy-3-methoxybenzylidene)-6-(hydroxymethyl) picolinohydrazide) were successfully isolated by using a polydentate Schiff based ligand and Ln(Ⅲ) nitrate salts.The structures of 1 and 2 were characterized by X-ray structural analyses,they are held by four double deprotonated ligands L2-.In them all the lanthanide ions are eight-coordinated and distributed over four vertices of a parallelogram,presenting a Ln4 cluster with a strict [2 × 2] square grid pattern.The details of magnetic analysis show that 1 displays weak anti-ferromagnetic exchange between neighboring Gd(Ⅲ) ions through carboxylate oxygen and methanol oxygen ligand atoms.Furthermore,1 exhibits significant magnetocaloric effect with the maximum entropy change-ΔSm value of 28.5 J/(kg K) for ΔH=7.0 T at 2.0 K.For compound 2,remarkable slow magnetic relaxation behaviors are observed in the presence of zero magnetic field with τ0=1.02 × 10^(-6) s and energy barrier ΔE/kB=43.24 K. 展开更多
关键词 Lanthanide clusters [2×2]square grid anti-ferromagnetic couplings Magnetocaloric effect Slow magnetic relaxation Rare earths
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P型稀磁半导体材料的居里温度 被引量:2
17
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2010年第5期521-524,共4页
稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂... 稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
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反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响 被引量:1
18
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期250-252,共3页
居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁... 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度
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