期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响 被引量：2
1
作者 张辉 滕蛟 +2 位作者 于广华 吴杏芳 朱逢吾 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期449-452,共4页
采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件。测量了NiFe元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明... 采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件。测量了NiFe元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明,理论和实验符合。 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 amr元件 非均匀退磁场
在线阅读 下载PDF
NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性 被引量：1
2
作者 张辉 滕蛟 +2 位作者 于广华 吴杏芳 朱逢吾 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期599-602,共4页
采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算... 采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2．5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和μm的AMR元件．测量了AMR元件的磁电阻效应．考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率．结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程．宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难．在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘． 展开更多
关键词 NiFe膜 各向异性磁电阻(amr) amr元件 非均匀退磁场 磁化反转
在线阅读 下载PDF
各向异性磁电阻传感器Barber电极的优化设计 被引量：4
3
作者 陈雁 高晓光 李建平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第12期62-64,共3页
利用ANSYS软件对各向异性磁电阻(AMR)传感器不同取向的Barber电极进行分析和计算,得到不同取向Barber电极的磁电阻相对变化率随归一化磁场的变化曲线,从而为改善具有Barber电极的AMR传感器输出曲线的对称性、优化AMR传感器的输出特性提... 利用ANSYS软件对各向异性磁电阻(AMR)传感器不同取向的Barber电极进行分析和计算,得到不同取向Barber电极的磁电阻相对变化率随归一化磁场的变化曲线,从而为改善具有Barber电极的AMR传感器输出曲线的对称性、优化AMR传感器的输出特性提供了理论依据。 展开更多
关键词 各向异性磁电阻效应 Barber电极 有限元分析
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部