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AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构双极特性的研究 被引量：1
1
作者 韩铁成 彭晓灿 《北华航天工业学院学报》 CAS 2024年第4期5-8,共4页
通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层... 通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层厚度增加,GaN沟道层/AlGaN缓冲层界面(底部界面)的势垒高度会增加。当沟道层厚度达到50nm后,在缓冲层Al组分为0.08的情况下,该异质结构会在底部界面附近诱导出2DHG,出现“双极特性”。一旦2DHG形成,缓冲层Al组分的持续增加将导致更高密度的2DHG,而对能带、2DEG限域性和2DEG密度的影响变得不明显。 展开更多
关键词 AlGaN/GaN/AlGaN 二维电子气 AlGaN缓冲层 二维空穴气
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