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BBDMS-PPV/ITO界面结构ADXPS研究 被引量:3
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作者 宋伟杰 朱永法 +3 位作者 曹立礼 李展平 王道元 黄维 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期836-838,共3页
We analyzed the structure of buried interface of BBDMS PPV/ITO system using a high resolution ADXPS technique. A transitional layer structure, whose chemical composition, state and valence band changed gradually from ... We analyzed the structure of buried interface of BBDMS PPV/ITO system using a high resolution ADXPS technique. A transitional layer structure, whose chemical composition, state and valence band changed gradually from BBDMS PPV surface of film to substrate ITO, was observed. It was found that O 2- ion from ITO diffused into polymer film, interacted with back bone carbon and formed the carbonyl bonding which could possibly constructed the channel of the carrier on the heterointerface. Indium of ITO also diffused into BBDMS PPV layer and In(OH) 3 was formed during diffusion. The diffusion and reaction between PPV/ITO interface may affect the performance of PLED significantly. 展开更多
关键词 PPV/ITO界面 界面结构 界面分析 adxps 聚合物电致发光器件 ITO膜 阳极 BBDMS-PPV
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SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 被引量:2
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作者 王德君 赵亮 +3 位作者 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期944-949,共6页
采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的... 采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H—SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5nm)样品,同时借助标准物对照分析,提高了谱峰分解的可靠性.结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面,同时存在着Si^,Si^2+,Si^3+ 3种低值氧化物,变角分析表明,一个分层模型适合于描述该过+渡区的成分分布.建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度.结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压(C-V)测试分析,揭示了过渡区成分与界面态的直接关系. 展开更多
关键词 SiO2/SiC界面 4H—SiC adxps 界面态 缺陷
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