设计并制备了110V Ga N基交流高压LED芯片,阐述了其制作的关键工艺,并通过I-U-L曲线,近场光型等手段进行表征,该芯片具有良好的光电性能,通过两并两串方式封装在陶瓷支架并匹配相应的限流电阻组装成灯具,对比测试了灯具初态和稳态下的...设计并制备了110V Ga N基交流高压LED芯片,阐述了其制作的关键工艺,并通过I-U-L曲线,近场光型等手段进行表征,该芯片具有良好的光电性能,通过两并两串方式封装在陶瓷支架并匹配相应的限流电阻组装成灯具,对比测试了灯具初态和稳态下的光电参数。展开更多