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半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响 被引量：1
1
作者 徐岳生 付生辉 +3 位作者 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-77,共6页
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺... 研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。 展开更多
关键词 LEC SI-GAAS 位错 ab-epd 跨导 饱和漏电流 夹断电压
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LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
2
作者 徐岳生 付生辉 +3 位作者 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期540-543,共4页
用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性... 用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。 展开更多
关键词 LEC SI-GAAS ab-epd 跨导 衬底 位错 PL mapping 临界值
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非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷 被引量：1
3
作者 孙卫忠 牛新环 +2 位作者 王海云 刘彩池 徐岳生 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1544-1547,共4页
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运... 用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用;杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布。 展开更多
关键词 SI-GAAS 微缺陷 位错 AB腐蚀 杂质碳
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