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Na掺杂P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3块状合金热电性能的研究
1
作者 胡孔刚 段兴凯 +3 位作者 满达虎 丁时锋 张汪年 林伟民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第22期108-111,共4页
采用真空熔炼（1073 K,8 h）和热压烧结（733 K,1 h）制备了Na掺杂P型Bi0.5 Sb1.5 Te3热电材料,并在293～473 K范围内进行了电导率、塞贝克系数测试.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的物相结构和表面形貌进行了表征.... 采用真空熔炼（1073 K,8 h）和热压烧结（733 K,1 h）制备了Na掺杂P型Bi0.5 Sb1.5 Te3热电材料,并在293～473 K范围内进行了电导率、塞贝克系数测试.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的物相结构和表面形貌进行了表征.XRD分析表明,真空熔炼合成粉末和热压烧结块体材料的XRD图谱峰与Bi0.5Sb1.5-Te3的标准衍射图谱（01 089-4302）相对应,表明Na元素已经完全固溶到Bi0.5Sb1.5Te3晶体结构中,形成了单相固溶体合金.SEM分析说明,Bi0.Sb1.5xNax Te3热压块体材料在平行和垂直于热压方向的断面上都分布着大量的层片状结构.Na掺杂明显提高了Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数,但降低了电导率.在实验掺杂浓度范围内,Na掺杂使P型Bi0.5 Sb1.5 Te3块体材料的功率因子均减小. 展开更多
关键词 BI0 5Sb1 5te3 掺杂 热电性能
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熔体过热处理对SnAg3Te5合金凝固组织的影响
2
作者 吕雪 李先芬 +1 位作者 祖方遒 赵振兴 《金属功能材料》 CAS 2012年第2期12-17,共6页
本文以直流四电极法、热分析法分别测量了SnAg3Te5合金熔体的电阻率-温度曲线及热分析曲线。结果表明:在连续两轮的升降温过程中,合金熔体的电阻率在远高于液相线几百度的温区内发生了不可逆转变,不同热历史下相同成分合金的热分析曲线... 本文以直流四电极法、热分析法分别测量了SnAg3Te5合金熔体的电阻率-温度曲线及热分析曲线。结果表明:在连续两轮的升降温过程中,合金熔体的电阻率在远高于液相线几百度的温区内发生了不可逆转变,不同热历史下相同成分合金的热分析曲线也存在明显差异。同时,在不同冷却方式下转变前后的合金凝固组织都发生了显著变化,这些差别充分表明,SnAg3Te5合金熔体在升降温过程中的某个特定温度区间内,由于熔体内部化学短程序的打破或重组而发生了温度诱导的液态结构转变。 展开更多
关键词 液态结构转变 电阻率 热分析法 凝固组织 SnAg3Te5合金
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三元缺陷化合物CuGa_3Te_5的热电性能
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作者 任伟 孟庆森 +2 位作者 陈少平 孙政 崔教林 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3129-3132,共4页
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物Cu Ga3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 e V。经热电性能测试分析,在717 K时Cu Ga3Te5的ZT值达... 采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物Cu Ga3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 e V。经热电性能测试分析,在717 K时Cu Ga3Te5的ZT值达到最大值0.3。 展开更多
关键词 热电性能 缺陷化合物 CuGa3Te5
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非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体Cu_3Ga_5Te_9的热电性能
4
作者 孙政 陈少平 +2 位作者 杨江锋 孟庆森 崔教林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期346-352,共7页
热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料,在制冷和发电领域极具应用潜力.本文采用金属Sb元素非等电子替换Cu3Ga5Te9化学式中的Cu和Te,观察到材料Seebeck系数和电导率提升的现象.这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增... 热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料,在制冷和发电领域极具应用潜力.本文采用金属Sb元素非等电子替换Cu3Ga5Te9化学式中的Cu和Te,观察到材料Seebeck系数和电导率提升的现象.这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关.载流子浓度的提高是由于Sb原子占位在Te晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致,同时也与Cu含量减少后铜空位(V-1Cu)浓度增大相关联.另外,非等电子替换后,阴离子(Te2-)移位导致了晶格结构缺陷参数u和η的改变,其改变量fiu和fiη与材料晶格热导率(κL)的变化密切相关.在766 K时,适量的Sb替换量使材料的最大热电优值(ZT)达到0.6,比Cu3Ga5Te9提高了近25%.因此,通过选择替换元素、被替换元素及替换量有效地调控了材料的电学及热学性能,在黄铜矿结构半导体中实现了非等电子元素替换改善热电性能的思想. 展开更多
关键词 黄铜矿结构半导体 Cu3Ga5Te9 非等电子替换 热电性能
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