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两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律 被引量：1
1
作者 商丽燕 林铁 +6 位作者 周文政 郭少令 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期3818-3822,共5页
研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分... 研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数. 展开更多
关键词 In0·53ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱 填充因子 磁输运
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InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究 被引量：7
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作者 孙巧霞 徐向晏 +6 位作者 安迎波 曹希斌 刘虎林 田进寿 董改云 郭晖 李燕红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3163-3167,共5页
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而... 文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参数和掺杂浓度的优化，得到在吸收层和发射层厚度分别为2μm、0.5μm，掺杂浓度分别为1.5×1015 cm-3、1.0×1016 cm-3时，在适当场助偏压下光电阴极的响应时间可优于100 ps。 展开更多
关键词 红外光电阴极 INP IN0 53ga0 47As INP 时间响应特性
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