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＝4．03GeV下τ~±→π~＋π~－π~±υ_τ衰变的测量
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作者 白景芝 陈光培 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1995年第5期385-392,共8页
利用北京谱仪（ＢＥＳ）在４．０３ＧｅＶ正负电子对撞能量下获取的数据，［研究了，τ＋τ－产生过程．借助双标记方法分析了τ±→π＋π－π±υτ衰变事例．测定分支比Ｂｒ（τ±→ａ１±υτ→ρ０π±υτ，... 利用北京谱仪（ＢＥＳ）在４．０３ＧｅＶ正负电子对撞能量下获取的数据，［研究了，τ＋τ－产生过程．借助双标记方法分析了τ±→π＋π－π±υτ衰变事例．测定分支比Ｂｒ（τ±→ａ１±υτ→ρ０π±υτ，ρ０→π＋π－＝（７．３±０．５）％，Ｂｒ（τ±→Ｋ＊±υτ→Ｋｓ０π±υτ，Ｋｓ０→π＋π－）＝（０．６±１．５）×１０－３．并由Ｄａｌｉｚ投影分布的分析，确认ａ１的主要衰变方式ρπ．同时，也观察到ａ１衰变中以Ｓ波贡献为主的现象．采用Ｋｕｈｎ模型拟合实验数据，得到：ｍａ１＝１．２４±０．０２ＧｅＶ，Γａ１Ｔ＝０．５７±０．０７ＧｅＶ． 展开更多
关键词 4.03gev τ衰变 分支比 Dalitz投影
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