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Fabrication of 4-Inch Nano Patterned Wafer with High Uniformity by Laser Interference Lithography 被引量:3
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作者 Gen Yue Yu Lei +2 位作者 Jun-Hui Die Hai-Qiang Jia Hong Chen 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第5期56-59,共4页
We report the fabrication of 4-inch nano patterned wafer by two-beam laser interference lithography and analyze the uniformity in detail. The profile of the dots array with a period of 800 nm divided into five regions... We report the fabrication of 4-inch nano patterned wafer by two-beam laser interference lithography and analyze the uniformity in detail. The profile of the dots array with a period of 800 nm divided into five regions is characterized by a scanning electron microscope. The average size in each region ranges from 270 nm to 320 nm,and the deviation is almost 4%, which is approaching the applicable value of 3% in the industrial process. We simulate the two-beam laser interference lithography system with MATLAB software and then calculate the distribution of light intensity around the 4 inch area. The experimental data fit very well with the calculated results. Analysis of the experimental data and calculated data indicates that laser beam quality and space filter play important roles in achieving a periodical nanoscale pattern with high uniformity and large area. There is the potential to obtain more practical applications. 展开更多
关键词 exp Fabrication of 4-inch Nano Patterned Wafer with High Uniformity by Laser Interference Lithography
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4英寸高质量GaN单晶衬底制备
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作者 齐占国 王守志 +11 位作者 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期717-720,共4页
本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自... 本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自支撑GaN单晶衬底。该衬底兼具优异的结晶质量与出色的力学稳定性,表面无裂纹,应力分布均匀;阴极荧光光谱(CL)表征位错密度为9.6×10^(5)cm^(-2),高分辨X射线衍射(HRXRD)(002)面摇摆曲线半峰全宽低至57.91″;原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度Ra<0.2 nm,呈现原子级平整表面。制备的衬底开盒即用,能够满足蓝绿激光器及电力电子器件的需求。 展开更多
关键词 GaN单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工
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4英寸低位错锗单晶生长 被引量:12
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作者 冯德伸 李楠 +2 位作者 苏小平 杨海 闵振东 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期34-37,共4页
采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求。
关键词 4英寸锗单晶 温度梯度 缩颈 工艺参数 位错密度
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6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制 被引量:1
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作者 薛爱杰 黄润华 +2 位作者 柏松 刘奥 栗锐 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第3期161-165,177,共6页
基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基(JBS)结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外... 基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基(JBS)结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。 展开更多
关键词 4H-SIC 结型势垒肖特基(JBS)二极管 结终端技术 浮空场限环 4英寸外延
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4吋套管内打捞工艺技术的研究及应用
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作者 李翔 《石化技术》 CAS 2017年第1期92-92,共1页
随着油田4吋套管井数量的增多,4吋套井如何实现高效打捞已是提高作业施工效率的重要影响因素。针对4吋套内打捞复杂的问题,自主设计了高效4吋套打捞工艺。该工艺采用高效套铣工艺,由原来起下4趟钻打捞1根油管改进为起下3趟钻打捞出1根油... 随着油田4吋套管井数量的增多,4吋套井如何实现高效打捞已是提高作业施工效率的重要影响因素。针对4吋套内打捞复杂的问题,自主设计了高效4吋套打捞工艺。该工艺采用高效套铣工艺,由原来起下4趟钻打捞1根油管改进为起下3趟钻打捞出1根油管,很大程度提高了打捞效率。 展开更多
关键词 套铣 4吋套管 打捞 高效
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4寸套管加固修复技术在濮城油田的应用
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作者 安新良 《内蒙古石油化工》 CAS 2014年第5期111-112,共2页
濮城油田是一个复杂断块油气田,三套盐层发育,具有井深、高温、高压、高盐、腐蚀严重的特点。随着开发时间的延长,在地应力不断变化、盐岩层蠕变、后期频繁的采油工艺措施和注水压力的连年提升诸多因素影响下,导致油层套管的技术状况变... 濮城油田是一个复杂断块油气田,三套盐层发育,具有井深、高温、高压、高盐、腐蚀严重的特点。随着开发时间的延长,在地应力不断变化、盐岩层蠕变、后期频繁的采油工艺措施和注水压力的连年提升诸多因素影响下,导致油层套管的技术状况变差,导致部分油水井不能正常生产;仅采用常规的卡挤堵漏工艺已无法实现油水井正常生产,应用4寸套管进行封固修复工艺,可以实现归位生产,实现油田长期高效开发的目的。 展开更多
关键词 濮城油田 4寸套管 修复技术 研究与应用
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提高复杂断块油藏开发效益 被引量:8
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作者 朱学谦 周琦 +1 位作者 宋冬梅 郝敬华 《大庆石油地质与开发》 CAS CSCD 2003年第2期21-23,共3页
以文留复杂断群油藏为例,对特殊钻井和下φ101 6mm套管重新完井技术在不同类型、不同开发阶段中的应用进行了归纳分类,认为特殊钻井技术和完井新技术对改善油田开发效果、提高开发综合经济效益发挥了独到的作用,并进行了技术经济评价、... 以文留复杂断群油藏为例,对特殊钻井和下φ101 6mm套管重新完井技术在不同类型、不同开发阶段中的应用进行了归纳分类,认为特殊钻井技术和完井新技术对改善油田开发效果、提高开发综合经济效益发挥了独到的作用,并进行了技术经济评价、指出特殊钻井技术是复杂断块油田经济高效开发的主导,下φ101 6mm套管重新完井技术是解决井况恶化和实现层系细分开发的有效途径。 展开更多
关键词 钻井技术 复杂断块油田 套管 复杂断群油藏 完井技术 油藏开发
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医用电子宫腔镜光学成像系统设计 被引量:1
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作者 全薇 张雷 +1 位作者 张正正 赵力强 《沈阳理工大学学报》 CAS 2014年第5期6-9,共4页
根据无麻醉宫腔病变诊断的需要,设计一个电子宫腔镜光学成像系统,可用于1/4英寸CCD宫腔镜成像.该系统视场角为80°,工作景深为15 ~150mm,放大倍率为26倍,组成系统所有透镜的口径均小于4.5mm.该系统畸变小于4%,能实现局部范围内病... 根据无麻醉宫腔病变诊断的需要,设计一个电子宫腔镜光学成像系统,可用于1/4英寸CCD宫腔镜成像.该系统视场角为80°,工作景深为15 ~150mm,放大倍率为26倍,组成系统所有透镜的口径均小于4.5mm.该系统畸变小于4%,能实现局部范围内病灶的低畸变高清晰图象放大,适用于无麻醉宫腔病变的诊断,为子宫恶性肿瘤的早期诊断提供可靠依据. 展开更多
关键词 电子宫腔镜 1/4英寸CCD 光学成像系统 宫腔疾病诊断
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HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究 被引量:1
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作者 李玉茹 黄清芳 +3 位作者 李晓岚 邵会民 史艳磊 孙聂枫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期840-844,850,共6页
摘要:利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP—LEC)研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54cm)InP单晶的生长。通过多次实验,可重复生长... 摘要:利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP—LEC)研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54cm)InP单晶的生长。通过多次实验,可重复生长出直径80~110mm、长62~112mm的3~4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析,认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成,不存在所谓的“临界放肩角”。通过热场调整和工艺控制,可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3~4英寸头部;通过等径控制,可以生长出无孪晶或挛晶较少的高质量InP单晶。 展开更多
关键词 直径4英寸 INP单晶 平放肩 孪晶 高压液封直拉技术
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HY级超高强度抽油杆在文南油田中的应用 被引量:2
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作者 王跃华 《石油石化节能》 2019年第2期63-65,I0006,共4页
针对文南油田低液面、低产能井应用HL级高强度抽油杆导致抽油机井悬点载荷过大,地面提升设备要求过高,消耗能源过大等问题,为了满足油井节能降耗,降低地面设备成本,在文南油田中采用了"HY级超高强度抽油杆深抽"技术。从技术... 针对文南油田低液面、低产能井应用HL级高强度抽油杆导致抽油机井悬点载荷过大,地面提升设备要求过高,消耗能源过大等问题,为了满足油井节能降耗,降低地面设备成本,在文南油田中采用了"HY级超高强度抽油杆深抽"技术。从技术分析角度阐述了HY级超高强度抽油杆与HL级抽油杆的性能参数对比,由于HY级超高强度抽油杆性能指标更高,在油井设计应用中可实现二级杆组深抽。2014年成功运用6井次HY级超高强度抽油杆进行深抽,最大泵挂深度达3 000 m。使用HY级抽油杆可延长检泵周期,降低设备投资,节约能源,减少生产运行维护成本。自2015年起,此抽油杆逐步用于深抽井中。 展开更多
关键词 深抽井 HY级超高强度抽油杆 HL级抽油杆 性能参数 应用效果
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