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超导材料Nb_3Ge表面氧化
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作者 陈川 王红斌 +2 位作者 吴卫东 彭丽萍 房奇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2307-2312,共6页
运用密度泛函理论计算了氧(O)在Nb3Ge表面的吸附,结果表明O倾向于吸附在Nb原子周围,并与Nb的电子轨道发生了明显的交叠,O与Nb形成兼具共价键和离子键特性的化学键。利用X射线光电子能谱对自然氧化的Nb3Ge表面进行成分分析发现:氧化层中... 运用密度泛函理论计算了氧(O)在Nb3Ge表面的吸附,结果表明O倾向于吸附在Nb原子周围,并与Nb的电子轨道发生了明显的交叠,O与Nb形成兼具共价键和离子键特性的化学键。利用X射线光电子能谱对自然氧化的Nb3Ge表面进行成分分析发现:氧化层中只存在Nb的氧化物,理论计算结果与实验结果一致。由于O容易与Nb结合,最外层的Nb因逐渐氧化而耗尽,在接触势的驱使下,内部的Nb原子与最外层的Ge原子交换,最终使得Nb与O的形成氧化物在Nb3Ge表面聚集,在该氧化层下面是由于Nb的耗尽而形成的Ge聚集层。 展开更多
关键词 Nb3ge 氧化 吸附 X射线光电子能谱
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Quantum critical behavior in an antiferromagnetic heavy-fermion Kondo lattice system(Ce(1-x)Lax)2Ir3Ge5
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作者 Rajwali Khan Qianhui Mao +7 位作者 Hangdong Wang Jinhu Yang Jianhua Du Binjie Xu Yuxing Zhou Yannan Zhang Bing Chen Minghu Fang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第1期438-443,共6页
The measurements on temperature dependences of magnetic susceptibility χ(T), specific heat C(T), and electrical resistivity ρ(T) were carried out for the antiferromagnetic(AFM)(Ce(1-x)Lax)2Ir3Ge5(0 ≤ x... The measurements on temperature dependences of magnetic susceptibility χ(T), specific heat C(T), and electrical resistivity ρ(T) were carried out for the antiferromagnetic(AFM)(Ce(1-x)Lax)2Ir3Ge5(0 ≤ x ≤ 0.66) system. It was found that the Neel temperature TNdecreases with increasing La content x, and reaches 0 K near a critical content xcr =0.6. A new phase diagram was constructed based on these measurements. A non-Fermi liquid behavior in ρ(T) and a log T relationship in C(T) were found in the samples near xcr, indicating them to be near an AFM quantum critical point(QCP) with strong spin fluctuation. Our finding indicates that(Ce(1-x)Lax)2Ir3Ge5 may be a new platform to search for unconventional superconductivity. 展开更多
关键词 quantum critical point antiferromagnetic Kondo lattice system (Ce1-xLax)2Ir3ge5
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基于三菱FX3GE的自动化炼胶输送线控制系统RS-485通信的应用
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作者 赵尊梅 陆永高 +3 位作者 梁帅 丁建华 吴双丽 杨晓 《橡塑技术与装备》 CAS 2021年第4期44-49,共6页
该炼胶线由开炼机、开炼机自动冷却装置、输送导胶系统组成,本项目的核心技术是通过RS-485通信实现驱动控制、调速和速度实时监控等,控制胶料的自动进胶,成环,翻料,拉断,排胶等,实现炼胶自动混炼,减少胶料混炼中的人工干预。
关键词 自动化炼胶输送线 FX3ge RS-485 变频器
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C掺杂Mn3Ge的电子结构和磁性 被引量:2
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作者 张雪颖 冯琳 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期742-748,共7页
采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGe Cx的晶体结构进行几何优化,发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化,发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大,其中Mn3Ge C0. ... 采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGe Cx的晶体结构进行几何优化,发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化,发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大,其中Mn3Ge C0. 4总磁矩接近零,可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3Ge C0. 4多层膜的磁性,给出总磁矩接近零的Mn3Ge C0. 4多层膜结构,为Mn3Ge的实际应用提供参考. 展开更多
关键词 HEUSLER合金 Mn3ge C掺杂 磁性
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Bi3+掺杂K4(Sr,Ca)Ge3O9窄带荧光粉的发光性能调控研究
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作者 温润祺 张晨曦 +3 位作者 勾庆东 余美东 刘建蒂 孙心瑗 《井冈山大学学报(自然科学版)》 2025年第6期10-16,共7页
采用高温固相法制备了K4SrGe3O9:xBi3+(0≤x≤0.01)与K4Sr(1-y)CayGe3O9:0.002Bi3+(0≤y≤1)系列荧光粉,并通过X射线衍射、荧光光谱、荧光衰减曲线及X射线激发发射光谱等手段,对荧光粉的结构与发光性能进行了研究。结果表明,K4SrGe3O9:x... 采用高温固相法制备了K4SrGe3O9:xBi3+(0≤x≤0.01)与K4Sr(1-y)CayGe3O9:0.002Bi3+(0≤y≤1)系列荧光粉,并通过X射线衍射、荧光光谱、荧光衰减曲线及X射线激发发射光谱等手段,对荧光粉的结构与发光性能进行了研究。结果表明,K4SrGe3O9:xBi3+荧光粉在313 nm激发下,最佳掺杂浓度为x=0.002,发射峰位位于363 nm,得到相应半高宽为45 nm的窄带发射峰,荧光衰减时间为540 ns。在此基础上,通过Ca2+逐渐替代Sr2+制备了K4Sr(1-y)CayGe3O9:0.002Bi3+系列荧光粉。在此替换下,由于替换后样品的晶体收缩效应,XRD衍射峰主峰峰位向高角度偏移0.46°,同时观察到因替代的局域对称性破坏以及不完全替代的成分起伏,导致替代后发射峰半高峰宽变宽(约为48 nm)。通过对结构的探讨,本实验研究再一次确认窄带发光对高对称性结构的需求。本研究成果对未来在高对称性结构晶体中掺杂制备窄带发光荧光粉提供了实验研究基础与科学依据。 展开更多
关键词 Bi3+掺杂 K4(Sr Ca)Ge3O9 窄带发光 高对称晶体结构 LED
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有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷 被引量:2
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作者 陈奇志 褚武扬 颜庆云 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-5,共5页
利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的L12相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程.实验发现首先形核的是外禀层错,外禀层错比孤立的内禀层错扩展得快,并且扩展得较宽,它们有可能长大成为DO1... 利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的L12相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程.实验发现首先形核的是外禀层错,外禀层错比孤立的内禀层错扩展得快,并且扩展得较宽,它们有可能长大成为DO19相的核胚. 展开更多
关键词 Fe3ge FCC HCP 外禀层错 有序合金 相变温度
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磁性Fe_3O_4/石墨烯Photo-Fenton催化剂的制备及其催化活性 被引量:18
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作者 何光裕 张艳 +2 位作者 钱茂公 陈海群 汪信 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2306-2312,共7页
采用共沉淀法制备磁性Fe3O4/GE(石墨烯)催化剂,实现Fe3O4纳米颗粒生长和氧化石墨烯还原同步进行,采用FTIR、XRD、TEM及低温氮吸附-脱附等对Fe3O4/GE纳米催化剂的物相、颗粒粒径及比表面积进行了表征。在H2O2存在条件下,以亚甲基蓝为目... 采用共沉淀法制备磁性Fe3O4/GE(石墨烯)催化剂,实现Fe3O4纳米颗粒生长和氧化石墨烯还原同步进行,采用FTIR、XRD、TEM及低温氮吸附-脱附等对Fe3O4/GE纳米催化剂的物相、颗粒粒径及比表面积进行了表征。在H2O2存在条件下,以亚甲基蓝为目标降解物,考察了在模拟太阳光下Fe3O4/GE的催化活性,当氧化石墨烯与Fe3O4的质量比为1∶10时,经过2 h催化反应,在pH=6条件下,对亚甲基蓝的降解率达到98.7%,经过10次循环使用后对染料溶液的降解率仍保持在95.7%以上,明显优于纯的Fe3O4。 展开更多
关键词 纳米Fe3O4/GE 磁分离 Photo-Fenton反应
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基于BGO晶体的反射型法拉第光纤电流传感器 被引量:10
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作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 赵建林 卫沛锋 张鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1186-1190,共5页
采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验... 采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验测量得到的法拉第转角与采用倍频法测量的结果符合较好,但与实际结果存在一较大比例系数.对产生该系统误差的主要因素——传感头端面金属膜反射引起的相移及入射角偏离临界角时产生的相移进行了详细地理论分析和数值模拟.结果表明,金属膜反射和偏离临界角引起的相移对测量结果均有较大影响,但输出与作用在传感头上的磁感应强度呈很好的线性关系,可以通过将传感器的测量值乘上一个补偿系数来消除反射相移所产生的误差. 展开更多
关键词 光纤电流传感器 Bi4Ge3O12(BGO)晶体 法拉第效应 反射相移
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Ca_3Al_2Ge_3O_(12):Cr^(3+)的光谱性质及晶场参数计算 被引量:4
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作者 袁剑辉 程玉民 张振华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1059-1062,共4页
为了解Cr3+离子在钙铝锗酸盐Ca3Al2Ge3O12石榴石中的光谱性质,合成了Ca3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料;测量了其X射线衍射图,漫反射光谱,激发、发射光谱等;分析了Cr3+离子在钙铝锗酸盐中的发光特性;计算了其晶场强度(Dq/B),Stokes位移(ΔEs)... 为了解Cr3+离子在钙铝锗酸盐Ca3Al2Ge3O12石榴石中的光谱性质,合成了Ca3Al2Ge3O12:Cr3+多晶材料;测量了其X射线衍射图,漫反射光谱,激发、发射光谱等;分析了Cr3+离子在钙铝锗酸盐中的发光特性;计算了其晶场强度(Dq/B),Stokes位移(ΔEs)及黄昆-里斯因子(S)等.在450nm激发下,Ca3Al2Ge3O12:Cr3+室温发射光谱主要由三个宽带及附加其上的弱R线构成,分别对应于Cr3+离子的4T1、4T2、2T2到4A2能级跃迁.低温时R线变得强而锐.通过计算,Dq/B=2.43,ΔEs=1884cm-1,S=5.21.表明在Ca3Al2Ge3O12中Cr3+离子处于较弱的晶场强度,电子-声子耦合较强,为发展可调谐激光材料提供重要线索. 展开更多
关键词 光谱学 Ca3Al2Ge3O12:Cr^3+宽带发射 晶场参数 可调谐激光材料
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BGO∶TR(TR=Nd,Er),Cr,Fe晶体的吸收光谱和发光光谱 被引量:2
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作者 刘建成 胡关钦 +4 位作者 冯锡淇 赵元龙 王效仙 薛志麟 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期297-306,共10页
在化学计量的Bi_2O_3(5N)和 GeO_2(6N)的配料里,加入0.01wt%Nd_2O_3,0.01wt%Er_2O_3,0.02wt%Cr_2O_3或0.02wt%Fe_2O_3,用 Bridgman 方法生长 Bi_4Ge_3O_(12)掺杂晶体。给出 eulytite 的结构投影和 BGO 晶体的点阵常数。掺杂稀土 BGO 晶... 在化学计量的Bi_2O_3(5N)和 GeO_2(6N)的配料里,加入0.01wt%Nd_2O_3,0.01wt%Er_2O_3,0.02wt%Cr_2O_3或0.02wt%Fe_2O_3,用 Bridgman 方法生长 Bi_4Ge_3O_(12)掺杂晶体。给出 eulytite 的结构投影和 BGO 晶体的点阵常数。掺杂稀土 BGO 晶体的室温吸收光谱由稀土离子所特有的几个吸收带所组成。采用3d^3电子的能量久期方程计算 O_h 场下掺 Cr^(3+)BGO 的库仑相互作用参数和内晶体场参数,其吸收光谱是由基态~4A_2到~2E,~4T_2和~4T_1跃迁的三个带组成。以300nm 激发观察到纯锗酸铋强的宽带发光,其峰值位置在498和550nm。这种发射被认为是 Bi^(3+)的~3P_1→~1S_0跃迁。由于存在大的 Stokes 迁移,Bi^(3+)系统猝灭心受到阻止。另外,由于~3P-~1S 能级差别大,使多声子过程中的非辐射衰减亦受到限制。通过接收498nm 发射波长,测量纯 BGO 室温激发光谱,其峰值位置在250、272和285nm,这和 M.J.Weber 测定的吸收收和反射光谱的结果基本一致。按不同波长范围分别采用光电倍增管和 PbS 接收,测量了 BGO 掺 Nd^(3+)的~4F_(3/2)→~4I_(11/2),~4I_(13/2)跃迁;掺 Er^(3+)的~4I_(13/2)→~4I_(15/2)跃迁的荧光光谱。强的荧光发射以及发射带宽界于 YAG和玻璃之间,表明掺杂稀土的 BGO 晶体是一类有希望的激光材料。 展开更多
关键词 Bi4Ge3O2 BGO 晶体 稀土元素 光谱
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用于光纤电流传感器的BGO晶体磁光特性研究 被引量:5
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作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 张鹏 赵建林 张浩 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期100-104,共5页
在理论分析Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果·同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁... 在理论分析Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果·同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁光优值曲线·进而将BGO晶体的磁光特性与光纤电流传感器常用的几种磁光材料作了对比,结果表明BGO晶体适合用于光纤电流传感器· 展开更多
关键词 Bi4Ge3O12晶体 费尔德常量 磁光优值 光纤电流传感器
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热工水力子通道分析程序ATHAS的稳态验证 被引量:4
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作者 刘伟 朱元兵 +4 位作者 白宁 单建强 张博 苟军利 厉井钢 《核科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期187-192,共6页
利用具有自主知识产权的子通道程序ATHAS对GE3×3组件进行稳态计算,并将ATHAS的预测值与实验测量值及其他子通道程序的预测值进行了对比分析,结果表明:ATHAS能够准确预测GE3×3组件内的热工水力参数分布,展示了ATHAS可靠的物理... 利用具有自主知识产权的子通道程序ATHAS对GE3×3组件进行稳态计算,并将ATHAS的预测值与实验测量值及其他子通道程序的预测值进行了对比分析,结果表明:ATHAS能够准确预测GE3×3组件内的热工水力参数分布,展示了ATHAS可靠的物理模型。本文对ATHAS进行稳态验证的思路和方法,对我国核电站热工水力软件自主化的设计开发具有借鉴意义。 展开更多
关键词 子通道分析程序ATHAS GE3×3组件 稳态验证
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红色Bi_4Ge_3O_(12)晶体在低温下的发光性能 被引量:1
13
作者 俞平胜 苏良碧 +1 位作者 王庆国 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期828-832,共5页
用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度... 用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度随温度降低而增强,衰减时间为几百μs。 展开更多
关键词 红色Bi4Ge3O12 低温 发光
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掺杂的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的近红外发光性能 被引量:1
14
作者 俞平胜 苏良碧 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期283-287,共5页
生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯... 生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。 展开更多
关键词 Bi4Ge3O12 光致发光 近红外
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Ge_(10)O_(28)单元构建的两个三维锗酸盐结构:(H_3O)_4Ge_7O_(16)·3H_2O和K_4Ge_9O_(20) 被引量:1
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作者 周亚明 刘志城 +2 位作者 陈珍霞 翁林红 赵东元 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期382-387,共6页
在半水溶剂热条件下 ,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛 :(H3O) 4Ge7O16 ·3H2 O和K4 Ge9O2 0 .X射线单晶结构解析表明 ,两个晶体结构具有相同的“火箭状”二级结构单元 (SBU) ,SBU的不同的连接方式导致了完全不同的... 在半水溶剂热条件下 ,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛 :(H3O) 4Ge7O16 ·3H2 O和K4 Ge9O2 0 .X射线单晶结构解析表明 ,两个晶体结构具有相同的“火箭状”二级结构单元 (SBU) ,SBU的不同的连接方式导致了完全不同的空间结构 .H4 Ge7O16 ·7H2 O的结晶学数据为Mr=894 2 7,P 43m ,a =0 7730 9( 18)nm ,V =0 462 0 5 ( 19)nm3,Z =1,MoKα ,λ =0 0 710 73nm ,R(F) =3 48% ,wR(F2 ) =8 39% .K4 Ge9O2 0 的结晶学数据为 :Mr=112 9 71,I4( 1) /a ,a =1 5 0 0 2 ( 3)nm ,c =0 7383( 2 )nm ,V =1 6618( 7)nm3,Z =4,MoKα ,R(F) =3 92 % ,wR(F2 ) =11 97% . 展开更多
关键词 Ge10O28 (H3O)4Ge7O16·3H2O K4Ge9O20 微孔材料 锗酸盐 晶体结构 溶剂热合成 分子筛
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声表面波用压电晶体的新进展(英文) 被引量:1
16
作者 徐家跃 武安华 +3 位作者 陆宝亮 张爱琼 范世■ 夏宗仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期553-558,共6页
报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga... 报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作工序 ,而且使成品率提高了 5~ 8百分点。此外 ,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3 晶体 ,观察到一些新的现象。 展开更多
关键词 声表面波 压电晶体 改进型坩埚下降法 晶体生长 LiB4O7 硼酸锂 低静电黑片 Sr3Ga2Ge4O14晶体
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低磁场条件下Mn5(Ge_(3-x)Sb_x)(x=0、0.1、0.2、3)合金磁热效应研究 被引量:1
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作者 陆兵 王贵 +5 位作者 陈明 李保卫 黄焦宏 金培育 刘金荣 徐来自 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1509-1510,1513,共3页
用真空高频悬浮炉在高纯氩气保护下制备了Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T),结果表明,用元素Sb替代Mn5Ge3合金中的Ge原子,不能增强合... 用真空高频悬浮炉在高纯氩气保护下制备了Mn5(Ge3-xSbx)(x=0、0.1、0.2、3)合金系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(ΔTad-T),结果表明,用元素Sb替代Mn5Ge3合金中的Ge原子,不能增强合金的磁热效应,但对合金的居里温度有一定影响。 展开更多
关键词 金属功能材料 磁热效应 磁致冷材料 Mn5Ge3型合金 低磁场 合金 效应研究 热效应曲线 氩气保护 测量方法 磁热效应 居里温度 悬浮炉
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Cd_2Ge_7O_(16)中Tb的长余辉发光特性 被引量:4
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作者 易守军 刘应亮 +3 位作者 张静娴 袁定胜 容建华 黄浪欢 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期247-250,235,共5页
本文研究了Cd2Ge7O16∶Tb3+材料的发光及其长余辉性质。指出Tb3+的发光是该离子的5D3鄄7FJ、5D4鄄7FJ两种跃迁产生的;随着掺杂浓度的增加5D4鄄7FJ跃迁增强,发光颜色由蓝变绿。并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴... 本文研究了Cd2Ge7O16∶Tb3+材料的发光及其长余辉性质。指出Tb3+的发光是该离子的5D3鄄7FJ、5D4鄄7FJ两种跃迁产生的;随着掺杂浓度的增加5D4鄄7FJ跃迁增强,发光颜色由蓝变绿。并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱。提出余辉机理模型。 展开更多
关键词 Cd2Ge7O16∶Tb3+ 长余辉 发光机理
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三价镧系离子掺杂的Cd_3Al_2Ge_3O_(12)的长余辉发光
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作者 刘正伟 刘应亮 +3 位作者 黄浪欢 袁定胜 张静娴 容建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期211-214,共4页
系统地研究了三价镧系离子在Cd3Al2Ge3O12基质中的长余辉发光。总结了余辉性能与激活离子电负性的关系。研究发现该体系中易失电子的激活离子产生的余辉效果较好。在254nm紫外光激发下,基质和所有镧系离子(Pm除外)掺杂的样品都有发光和... 系统地研究了三价镧系离子在Cd3Al2Ge3O12基质中的长余辉发光。总结了余辉性能与激活离子电负性的关系。研究发现该体系中易失电子的激活离子产生的余辉效果较好。在254nm紫外光激发下,基质和所有镧系离子(Pm除外)掺杂的样品都有发光和余辉。按照发光和余辉性质的不同可以将激活离子分为三类:Pr3+、Tb3+和Dy3+等是有特征余辉发光的离子;Eu3+和Sm3+等是有特征发射,但没有特征余辉发光的离子;Ce4+、La3+、Nd3+以及其他是没有特征发光的镧系离子。长余辉的产生是由缺陷引起的。由于Cd2+离子在高温下容易挥发,基质中存在大量的Cd2+离子空位,这种空位可以作为俘获电子的陷阱。同时为了补偿Cd2+所产生的正电荷,在Cd2+离子空位周围会有相应的负离子空位产生,比如氧离子空位。这种补偿作用的存在使得基质本身的缺陷种类和数量十分丰富,使得该体系的余辉性能比较优越。 展开更多
关键词 长余辉 Cd3Al2Ge3O12 热释光
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光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究 被引量:4
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作者 吴庆辉 唐慧丽 +4 位作者 苏良碧 罗平 钱小波 吴锋 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1440-1444,共5页
采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯... 采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。 展开更多
关键词 Ge∶β-Ga2O3单晶 晶体生长 光学浮区法 电导率
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