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DRAM研究现状与发展方向
1
作者
牛君怡
孙锴
《电子技术应用》
2024年第12期21-30,共10页
动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。...
动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。其次,详细介绍了DDR SDRAM的关键性能指标以及专用DRAM的发展。然后,介绍了提高DRAM访问速度、容量与密度的创新DRAM架构和技术,以及无电容存储单元结构、3D堆叠DRAM技术以及Rowhammer安全问题及其防御机制。最后,展望了DRAM技术的未来发展方向,阐述了为了应对日益增长的高速、低功耗和高可靠性的存储需求,对现有DRAM技术的进行深入研究和创新的重要性。
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关键词
DRAM
无电容存储单元
3D
DRAM
Rowhammer
2T0C
DRAM
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职称材料
题名
DRAM研究现状与发展方向
1
作者
牛君怡
孙锴
机构
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院微电子研究所
出处
《电子技术应用》
2024年第12期21-30,共10页
基金
国家自然科学基金面上项目(62374173)。
文摘
动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。其次,详细介绍了DDR SDRAM的关键性能指标以及专用DRAM的发展。然后,介绍了提高DRAM访问速度、容量与密度的创新DRAM架构和技术,以及无电容存储单元结构、3D堆叠DRAM技术以及Rowhammer安全问题及其防御机制。最后,展望了DRAM技术的未来发展方向,阐述了为了应对日益增长的高速、低功耗和高可靠性的存储需求,对现有DRAM技术的进行深入研究和创新的重要性。
关键词
DRAM
无电容存储单元
3D
DRAM
Rowhammer
2T0C
DRAM
Keywords
DRAM
non capacitive storageunit
3ddram
Rowhammer
2TOCDRAM
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
出处
发文年
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1
DRAM研究现状与发展方向
牛君怡
孙锴
《电子技术应用》
2024
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