3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数。因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型、失效概率的计算方法,并由此计算预测每百万缺陷数(DPPM)。该算...3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数。因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型、失效概率的计算方法,并由此计算预测每百万缺陷数(DPPM)。该算法涉及多种数学模型如泊松分布、正态分布等,同时对3D NAND中不同层次的失效概率进行计算。根据该算法可以得到DPPM与SEG高度的关系,并对SEG高度最优值、DPPM对不同区域的SEG高度的敏感性进行了研究。展开更多
3D NAND Flash制造工艺的快速发展,在提高存储密度降低成本的同时,也带来了新的存储特性。对3DFlash存储特性的研究,有利于其进一步的应用和发展。采用S281芯片为控制芯设计了3DFlash通用测试平台,实验结果表明,该平台可以实现对所有型...3D NAND Flash制造工艺的快速发展,在提高存储密度降低成本的同时,也带来了新的存储特性。对3DFlash存储特性的研究,有利于其进一步的应用和发展。采用S281芯片为控制芯设计了3DFlash通用测试平台,实验结果表明,该平台可以实现对所有型号Flash的时序验证,同时还可以用于3DFlash的特性分析,通过实测得到的存储特性数据进一步验证了平台设计的可靠性。展开更多
