期刊文献+
共找到101篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
3D interconnected nanoporous TaN films for photoelectrochemical water splitting: thickness-controlled synthesis and insights into stability 被引量:3
1
作者 Qiang Wang Lingxia Zhang +2 位作者 Bing Li Hongmin Zhu Jianlin Shi 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第8期1876-1888,共13页
Solar-driven photoelectrochemical(PEC) water splitting is a promising technology for sustainable hydrogen production, which relies on the development of efficient and stable photoanodes for water oxidation reaction. T... Solar-driven photoelectrochemical(PEC) water splitting is a promising technology for sustainable hydrogen production, which relies on the development of efficient and stable photoanodes for water oxidation reaction. The thickness and microstructure of semiconductor films are generally crucial to their PEC properties. Herein, three-dimensional(3D) interconnected nanoporous Ta3N5 film photoanodes with controlled thickness were successfully fabricated via galvanostatic anodization and NH3 nitridation. The porous Ta3N5 nanoarchitectures(NAs) of 900 nm in thickness showed the highest PEC performance due to the optimal lightharvesting and charge separation. Compared with the holeinduced photocorrosion, the electrochemical oxidation at high anodic potentials resulted in severer performance degradation of Ta3N5. Although the surface oxide layer on deteriorated Ta3N5 photoanodes could be removed by NH3 re-treatment,the PEC performance was only partially recovered. As an alternative, anchoring a dual-layer Co(OH)x/Co OOH co-catalyst shell on the porous Ta3N5 NAs demonstrated substantially enhanced PEC performance and stability. Overall, this work provides reference to controllably fabricate 3D nanoporous Ta3N5-based photoanodes for efficient and stable PEC water splitting via optimizing the light absorption, hole extraction,charge separation and utilization. 展开更多
关键词 Ta3N5 3d interconnected porous nanoarchitectures thickness-controlled synthesis photoelectrochemical water splitting PHOTOSTABILITY
原文传递
MoS2 embedded in 3D interconnected carbon nanofiber film as a free-standing anode for sodium-ion batteries 被引量:8
2
作者 Hai Yang Min Wang +2 位作者 Xiaowu Liu Yu Jiang Yan Yu 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第7期3844-3853,共10页
As a typical two-dimensional transition metal dichalcogenide, molybdenum disulfide (MoS2) is considered a potential anode material for sodium-ion batteries (NIBs), due to its relatively high theoretical capacity ... As a typical two-dimensional transition metal dichalcogenide, molybdenum disulfide (MoS2) is considered a potential anode material for sodium-ion batteries (NIBs), due to its relatively high theoretical capacity (~ 670 mAh·g--1). However, the low electrical conductivity of MoS2 and its dramatic volume change during charge/discharge lead to severe capacity degradation and poor cycling stability. In this work, we developed a facile, scalable, and effective synthesis method to embed nanosized MoS2 into a thin film of three-dimensional (3D)-interconnected carbon nanofibers (CNFs), producing a MoS2/CNFs film. The free-standing MoS2/CNFs thin film can be used as anode for NIBs without additional binders or carbon black. The MoS2/CNFs electrode exhibits a high reversible capacity of 260 mAh·g^-1, with an extremely low capacity loss of 0.05 mAh·g^-1 per cycle after 2,600 cycles at a current density of 1 A·g^-1. This enhanced sodium storage performance is attributed to the synergistic effect and structural advantages achieved by embedding MoS2 in the 3D-interconnected carbon matrix. 展开更多
关键词 MOS2 sodium ion batter flexible electrode three-dimensional 3dinterconnected carbon nanofiber
原文传递
基于直写增材的引信层叠式3D电气互联结构
3
作者 李诗怡 娄文忠 +4 位作者 冯恒振 阚文星 吕斯宁 肖川 任杰 《兵工学报》 北大核心 2025年第S1期31-40,共10页
微小型引信异质异构(不同材料、结构)电气互联(电性能连接),是制约体积进一步缩小,实现更高密度集成的关键问题。针对引信小型化过程中电气互联空间利用率低的问题,提出了一种基于增材制造技术的引信层叠式3D电气互联结构,并通过性能仿... 微小型引信异质异构(不同材料、结构)电气互联(电性能连接),是制约体积进一步缩小,实现更高密度集成的关键问题。针对引信小型化过程中电气互联空间利用率低的问题,提出了一种基于增材制造技术的引信层叠式3D电气互联结构,并通过性能仿真分析、样件制备及多维度、多环境试验验证了该结构的可行性。研究结果表明,层叠式3D电气互联结构通过垂直堆叠实现图形化、高密度、高集成度的电气互联,减小甚至消除电路与电子器件之间的间隙,显著提升空间利用率与连接效率;与引信发火控制电路集成后,相较于传统插针连接,整体结构高度降低约80%,同时电阻仅为0.018Ω;历经-54~71℃的热冲击试验、轮式车辆运输振动试验、55000 g高冲击过载试验等极端环境下,垂直通孔与水平迹线的显微图像显示结构未损坏,发火控制模块起爆性能测试显示电性能完好,结构性能与电性能均体现出了高可靠性。 展开更多
关键词 微小型引信 敏捷制造 3d电气互联 3d直写技术 环境试验
在线阅读 下载PDF
面向3D-SiP模组的超宽带互联技术研究
4
作者 吕嘉然 阚尧 +3 位作者 刘士杰 徐梦苑 汤君坦 成海峰 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期47-53,共7页
针对有源相控阵天线前端向低剖面、超宽带、高集成方向发展的趋势,基于三维系统级封装(Three-dimensional system-in-package, 3D-SiP)技术的TR模组成为了当前研究的热点。本文面向一种采用高温共烧陶瓷(High temperature co-fired cera... 针对有源相控阵天线前端向低剖面、超宽带、高集成方向发展的趋势,基于三维系统级封装(Three-dimensional system-in-package, 3D-SiP)技术的TR模组成为了当前研究的热点。本文面向一种采用高温共烧陶瓷(High temperature co-fired ceramic, HTCC)技术和球栅阵列(Ball grid array, BGA)堆叠技术实现的3D-SiP TR模组,开展了三维超宽带互联结构的技术研究。对三种基础结构进行了超宽带仿真研究,在此基础上实现了组成3DSiP TR模组内部的2~18 GHz的高密度三维互联结构,并对采用该互联结构的3D-SiP TR模组进行了实物研制及测试。测试结果显示,该3D-SiP TR模组在2~18 GHz频带内反射系数≤-10 dB,插入损耗≤3.8 dB。 展开更多
关键词 超宽带 垂直互连 高温共烧陶瓷(HTCC)技术 三维系统级封装(3d-SiP)
原文传递
Facile fabrication of three-dimensional interconnected nanoporous N-TiO_2 for efficient photoelectrochemical water splitting 被引量:4
5
作者 Yingzhi Chen Aoxiang Li +3 位作者 Qun Li Xinmei Hou Lu-Ning Wang Zheng-Hong Huang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第6期955-960,共6页
Three-dimensional (3D) interconnected porous architectures are expected to perform well in photoelectrochemical (PEC) water splitting due to their high specific surface area as well as favourable porous properties... Three-dimensional (3D) interconnected porous architectures are expected to perform well in photoelectrochemical (PEC) water splitting due to their high specific surface area as well as favourable porous properties and interconnections. In this work, we demonstrated the facile fabrication of 3D interconnected nanoporous N-doped TiO2 (N-TiO2 network) by annealing the anodized 3D interconnected nanoporous TiO2 (TiO2 network) in ammonia atmosphere. The obtained N-TiO2 network exhibited broadened light absorption, and abundant, interconnected pores for improving charge separation, which was supported by the reduced charge transfer resistance. With these merits, a remarkably high photocurrent density at 1.23 V vs. reversible hydrogen electrode (RHE) was realized for the N-TiO2 network without any co-catalysts or sacrificial reagents, and the photostability can be assured after long term illumination. In view of its simplicity and efficiency, this structure promises for perspective PEC applications. 展开更多
关键词 3d interconnected nanoporous N-TiO2 N-TiO2 nanotube arrays Anodization Photoelectrochemical water splitting
原文传递
基于MCM-C工艺的3D-MCM实用化技术研究 被引量:5
6
作者 王玉菡 程瑶 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期818-821,共4页
基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3DMCM样品。该样品具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。经使用测试,样... 基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3DMCM样品。该样品具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。经使用测试,样品的技术指标完全合格,使用情况良好。 展开更多
关键词 三维多芯片组件 多层基板 互连 金属引线互连
原文传递
3D Grid of Carbon Tubes with Mn3O4-NPs/CNTs Filled in their Inner Cavity as Ultrahigh-Rate and Stable Lithium Anode 被引量:1
7
作者 Shiping Zhang Fangming Han +7 位作者 Qijun Pan Dou Lin Xiaoguang Zhu Cheng Shao Gaixia Zhang Zhaoming Wang Shuhui Sun Guowen Meng 《Energy & Environmental Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期187-194,共8页
Transition metal oxides are regarded as promising candidates of anode for next-generation lithium-ion batteries(LIBs)due to their ultrahigh theoretical capacity and low cost,but are restricted by their low conductivit... Transition metal oxides are regarded as promising candidates of anode for next-generation lithium-ion batteries(LIBs)due to their ultrahigh theoretical capacity and low cost,but are restricted by their low conductivity and large volume expansion during Li^(+)intercalation.Herein,we designed and constructed a structurally integrated 3D carbon tube(3D-CT)grid film with Mn_(3)O_(4)nanoparticles(Mn_(3)O_(4)-NPs)and carbon nanotubes(CNTs)filled in the inner cavity of CTs(denoted as Mn_(3)O_(4)-NPs/CNTs@3D-CT)as high-performance free-standing anode for LIBs.The Mn_(3)O_(4)-NPs/CNTs@3D-CT grid with Mn_(3)O_(4)-NPs filled in the inner cavity of 3D-CT not only afford sufficient space to overcome the damage caused by the volume expansion of Mn_(3)O_(4)-NPs during charge and discharge processes,but also achieves highly efficient channels for the fast transport of both electrons and Li+during cycling,thus offering outstanding electrochemical performance(865 mAh g^(-1)at 1 A g^(-1)after 300 cycles)and excellent rate capability(418 mAh g^(-1)at 4 A g^(-1))based on the total mass of electrode.The unique 3D-CT framework structure would open up a new route to the highly stable,high-capacity,and excellent cycle and high-rate performance free-standing electrodes for highperformance Li-ion storage. 展开更多
关键词 3d interconnected carbon tube arrays ANODE FREE-STANDING Mn_(3)O_(4)
在线阅读 下载PDF
基于埋置式基板的3D-MCM封装结构的研制 被引量:5
8
作者 徐高卫 吴燕红 +1 位作者 周健 罗乐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1837-1842,共6页
研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片... 研制一种用于无线传感网的多芯片组件(3D-MCM).采用层压、开槽等工艺获得埋置式高密度多层有机(FR-4)基板,通过板上芯片(COB)、板上倒装芯片(FCOB)、球栅阵列(BGA)等技术,并通过引线键合、倒装焊等多种互连方式将不同类型的半导体芯片三维封装于一种由叠层模块所形成的立体封装结构中;通过封装表层的植球工艺形成与表面组装技术(SMT)兼容的BGA器件输出端子;利用不同熔点焊球实现了工艺兼容的封装体内各级BGA的垂直互连,形成了融合多种互连方式3D-MCM封装结构.埋置式基板的应用解决了BGA与引线键合芯片同面组装情况下芯片封装面高出焊球高度的关键问题.对封装结构的散热特性进行了数值模拟和测试,结果表明组件具有高的热机械可靠性.电学测试结果表明组件实现了电功能,从而满足了无线传感网小型化、高可靠性和低成本的设计要求. 展开更多
关键词 3d-MCM 嵌入式基板 多种互连融合 焊球熔融兼容性 热机械可靠性
在线阅读 下载PDF
3D IC集成与硅通孔(TSV)互连 被引量:29
9
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2009年第3期27-34,共8页
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV封装技术的应用前景。
关键词 3d封装 芯片互连 深硅刻蚀 硅通孔(TSV) TSV刻蚀系统
在线阅读 下载PDF
新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
10
作者 范汉华 成立 +2 位作者 植万江 王玲 伊廷荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期409-413,共5页
为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后... 为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后用Cu/Sn混合凸点互连芯片和基板,从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本。对该样本的接触电阻进行了实验测试,结果表明,100μm^2Cu/Sn混合凸点接触电阻约为6.7mΩ,高90μm的斜通孔电阻在20~30mΩ,该模型在高达10GHz的频率下具有良好的机械和电气性能。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 3d堆叠式封装 铜互连 贯穿硅通孔
在线阅读 下载PDF
基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究 被引量:2
11
作者 刘欣 谢廷明 +2 位作者 罗驰 刘建华 唐哲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期291-294,299,共5页
基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品... 基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。 展开更多
关键词 3d-MCM 内埋置基板 叠层型结构 三维叠层互连
原文传递
3D片上光互连网络研究(本期优秀论文) 被引量:1
12
作者 吴华炳 陈舜儿 刘伟平 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2014年第6期1-4,共4页
介绍了片上光互连的优势及其几个重要器件,并分析其网络的基本单元、开关网络结构和3D互连结构,提出了现阶段最主要的技术问题及其未来研究方向集中在片内光源的研制和片外光源耦合、互连网络功耗和温度的控制、互连网络结构和路由算法... 介绍了片上光互连的优势及其几个重要器件,并分析其网络的基本单元、开关网络结构和3D互连结构,提出了现阶段最主要的技术问题及其未来研究方向集中在片内光源的研制和片外光源耦合、互连网络功耗和温度的控制、互连网络结构和路由算法的优化三方面。 展开更多
关键词 片上光互连 3d 光互连网络 微环谐振器 高速数据传输
在线阅读 下载PDF
硅通孔3D互连热-力可靠性的研究与展望 被引量:2
13
作者 吴鲁超 陆宇青 王珺 《电子与封装》 2024年第6期18-33,共16页
硅通孔(TSV)技术是3D集成封装中用于实现高密度、高性能互连的关键技术,TSV的热-力可靠性对3D集成封装的性能和寿命有直接影响。从TSV的制造工艺、结构布局、材料可靠性以及评估方法等多个方面对TSV 3D互连的热-力可靠性进行研究,对其... 硅通孔(TSV)技术是3D集成封装中用于实现高密度、高性能互连的关键技术,TSV的热-力可靠性对3D集成封装的性能和寿命有直接影响。从TSV的制造工艺、结构布局、材料可靠性以及评估方法等多个方面对TSV 3D互连的热-力可靠性进行研究,对其研究方法和研究现状进行总结和阐述。此外,针对TSV尺寸减小至纳米级的发展趋势,探讨了纳米级TSV在应用于先进芯片背部供电及更高密度的芯片集成时所面临的可靠性挑战。 展开更多
关键词 封装技术 硅通孔 3d互连 热-力可靠性
在线阅读 下载PDF
3D电子封装侧壁布线的互连界面处理工艺研究
14
作者 杨繁 吴蕴雯 +2 位作者 高立明 张文龙 李明 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2022年第9期1-8,共8页
与传统封装形式相比,3D电子封装可实现更高密度集成,大幅缩小尺寸。以侧壁布线为互连方式的3D封装结构更加紧凑,与现有工艺兼容性好,具有广泛的应用前景。本研究针对该工艺缺乏合适的侧壁处理手段导致互连界面电阻偏高的问题,探讨了离... 与传统封装形式相比,3D电子封装可实现更高密度集成,大幅缩小尺寸。以侧壁布线为互连方式的3D封装结构更加紧凑,与现有工艺兼容性好,具有广泛的应用前景。本研究针对该工艺缺乏合适的侧壁处理手段导致互连界面电阻偏高的问题,探讨了离子轰击等物理方法对侧壁互连界面处理的工艺,实现了低接触电阻侧壁互连。同时,借助高分辨透射电镜、小角度X射线衍射及纳米束电子衍射等分析手段对侧壁互连界面层进行了解析。结果表明,处理后界面氧化膜中氧原子含量大幅降低,并密集分布着被还原的金属铜晶粒,证明了即使氧离子轰击也可使氧化膜中的铜离子被还原为金属铜,从而揭示了离子轰击降低互连界面接触电阻的内在机制。 展开更多
关键词 3d电子封装 侧壁布线 互连界面 等离子体处理
在线阅读 下载PDF
面向CMOS图像传感器芯片的3D芯粒(Chiplet)非接触互联技术 被引量:3
15
作者 徐志航 徐永烨 +2 位作者 马同川 杜力 杜源 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期3150-3156,共7页
在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利... 在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华(CSMC)0.25μm CMOS工艺和东部高科(DB HiTek)0.11μm CIS工艺,通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明,该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率,收发机通信距离为5~20μm,在数据速率达到200 Mbit/s时,误码率小于10^(-8),接收端功耗为1.09 mW,能效为5.45 pJ/bit。 展开更多
关键词 芯粒(Chiplet) 电感耦合 3维芯片集成技术 CMOS图像传感器
在线阅读 下载PDF
毫米波3D-MCM中垂直互联的设计 被引量:3
16
作者 罗鑫 黄建 赵青 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期73-78,共6页
3D-MCM是新一代有源相控阵共形天线的核心部件,设计小型化、低插入损耗和高可靠的垂直互联结构是实现3D-MCM关键技术之一。以小型化、连接可靠性、易集成、易加工为目的,提出一种应用于毫米波频段,基于左手传输线的同轴型非接触式垂直... 3D-MCM是新一代有源相控阵共形天线的核心部件,设计小型化、低插入损耗和高可靠的垂直互联结构是实现3D-MCM关键技术之一。以小型化、连接可靠性、易集成、易加工为目的,提出一种应用于毫米波频段,基于左手传输线的同轴型非接触式垂直互联结构,使得不同功能模块之间通过电磁耦合的方式实现了信号的垂直传输。利用低温共烧陶瓷(LTCC)制造工艺,制作了背靠背同轴型非接触式垂直互联实物,单个垂直互联接口面积约3.14 mm^2,经测试在35~43 GHz频段内单个垂直互联插入损耗小于0.7 dB,带内平坦度优于±0.75 dB,回波损耗优于-12 dB。 展开更多
关键词 3d-MCM 左手传输线 垂直互联 非接触式 毫米波 低插入损耗
在线阅读 下载PDF
击穿法降低3D电子封装侧壁布线接触电阻的研究
17
作者 奚锐 王旭 +2 位作者 王心语 董显平 李明 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第8期980-987,共8页
由于工艺原因,以侧壁布线为互连方式的3D封装结构,其侧壁再布线端头表面不可避免地会产生一层铜氧化膜,导致互连界面接触电阻升高。采用击穿法处理不同前处理条件下的样品,通过X射线能谱、选区电子衍射、高分辨透射显微镜对样品击穿后... 由于工艺原因,以侧壁布线为互连方式的3D封装结构,其侧壁再布线端头表面不可避免地会产生一层铜氧化膜,导致互连界面接触电阻升高。采用击穿法处理不同前处理条件下的样品,通过X射线能谱、选区电子衍射、高分辨透射显微镜对样品击穿后的互连界面进行了表征。结果表明:对于在不同烘烤环境、烘烤时长和清洁工艺下制备的样品,击穿法均可实现95%以上的降阻效果,并将接触电阻均降至1Ω以下。其中采用真空烘烤10 h并进行等离子处理制备的样品,在经过击穿处理后,样品的接触电阻达到最低,为0.26Ω。击穿法通过在铜氧化膜处施加电场,使铜离子沿电场方向迁移,随后还原为多晶的Cu和Cu_(2)O,形成低电阻的导电通路,从而降低互连界面的接触电阻。说明击穿法适用于降低侧壁互连工艺中互连界面的接触电阻。 展开更多
关键词 3d封装 侧壁布线 互连界面 铜氧化膜 接触电阻 击穿
在线阅读 下载PDF
基于3D技术智能电网管理系统设计 被引量:8
18
作者 苟竞 朱觅 +1 位作者 杨新婷 袁川 《现代电子技术》 北大核心 2018年第8期136-138,143,共4页
为了加快电网管理建设进程,实现向信息互联管理方法的平稳过渡,提出一种改进传统电网管理结构的3D化管理系统。该系统整体采用Unity引擎渲染3D场景,编程以控制逻辑层、业务层与传输层来指导场景构建与Web展示。文中重构了三层式管理结... 为了加快电网管理建设进程,实现向信息互联管理方法的平稳过渡,提出一种改进传统电网管理结构的3D化管理系统。该系统整体采用Unity引擎渲染3D场景,编程以控制逻辑层、业务层与传输层来指导场景构建与Web展示。文中重构了三层式管理结构并设计系统的整体框架,利用Unity开发环境实现B/S架构下的3D界面与设备参数配置,完成系统功能联动。Web3D的管理系统高度数字化和集成度高、交互简易、功能完备,具有较高的应用和研究价值。 展开更多
关键词 智能电网 WEB管理系统 Unity引擎开发 B/S架构 3d界面 信息互联
在线阅读 下载PDF
多孔PDMS基底复合柔性互连导线拉伸时3D变形行为研究
19
作者 王延来 陈诚 +3 位作者 张泽 刘达喜 赵汉伟 计宏伟 《包装工程》 CAS 北大核心 2023年第13期11-18,共8页
目的探究多孔聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底复合柔性互连导线的透气性能和延展性能,以使其更好地应用在医疗领域。方法本文采用三维数字图像相关(3D-DIC)方法检测了25℃下不同孔隙率的多孔PDMS基底复合柔性互连导线单轴拉伸过程中导线与基... 目的探究多孔聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底复合柔性互连导线的透气性能和延展性能,以使其更好地应用在医疗领域。方法本文采用三维数字图像相关(3D-DIC)方法检测了25℃下不同孔隙率的多孔PDMS基底复合柔性互连导线单轴拉伸过程中导线与基底的面内应变失配和离面位移特征。在此基础上,本文引入平均位移(wm)和位移幅(wa)作为量化表征复合柔性电子离面变形的指标,并结合多孔PDMS基底的气密性实验结果评价了不同导线样品。结果研究结果表明,多孔PDMS材料作为基底能显著降低复合柔性电子的离面变形程度,并使复合柔性电子具有良好的透气性。在相同拉伸载荷(20 N)和拉伸距离下,PDMS与去离子水质量比为6∶1时的多孔PDMS基底复合柔性互联导线具有稳定的离面变形变化量。结论多孔PDMS基底复合柔性电子不仅具有良好的透气性,而且可以有效地增强金属互联层与柔性基底的粘连程度。本文所获得的PDMS与去离子水最佳掺杂质量比,可为制造高延展性多孔基底柔性电子器件提供参考。 展开更多
关键词 多孔聚二甲基硅氧烷 复合柔性互连 三维数字图像相关 离面位移
在线阅读 下载PDF
3D IC中全铜互连热应力分析
20
作者 王志敏 黄秉欢 +2 位作者 叶贵根 李逵 巩亮 《微电子学与计算机》 2023年第1期97-104,共8页
三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC)技术相比于二维封装形式具有互连长度短、异构集成度高、功耗低以及封装尺寸小等特点.因为铜基体具有优异的导电性、抗电迁移性和机械性能,全铜互联结构替代了焊球作为连接结... 三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC)技术相比于二维封装形式具有互连长度短、异构集成度高、功耗低以及封装尺寸小等特点.因为铜基体具有优异的导电性、抗电迁移性和机械性能,全铜互联结构替代了焊球作为连接结构应用于3D IC中.本文通过数值模拟研究了含有全铜互连和微流道结构的3D IC模型在循环温度载荷下的热可靠性,分析了全铜互联高度对模型内部热应力的影响.结果表明,全铜互连部分的最大热应力与铜柱所处的空间位置相关,离模型中心越远,铜柱内的变形越大.同时,最危险铜柱内部应力分布和变形情况表明,由于铜柱上下端面所受载荷性质不同,铜柱在热载荷作用下的Mises应力大致呈左右及上下对称分布.这会导致铜柱的潜在失效模式是轴向压缩和剪切共同作用下的断裂或损伤.另外,最大Mises应力随铜柱高度的增加而逐渐减小,当铜柱高度为300 gm时最大Mises应力趋于稳定,可以为全铜互连可靠性设计提供参考. 展开更多
关键词 3d IC 全铜互连 热应力 有限元模拟
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部