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3D IC封装技术中硅通孔研究进展综述
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作者 张芊帆 何茜 +1 位作者 田雨 丰光银 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3057-3069,共13页
三维集成电路(3D IC)以其低延迟和高密度等优势,成为后摩尔时期的重要研究方向之一。其中硅通孔(TSV)作为3D IC中层间互连的关键技术,相关热、电和信号问题已有了广泛的研究。为更好地了解TSV技术的原理及研究现状,该文概述了近年来TSV... 三维集成电路(3D IC)以其低延迟和高密度等优势,成为后摩尔时期的重要研究方向之一。其中硅通孔(TSV)作为3D IC中层间互连的关键技术,相关热、电和信号问题已有了广泛的研究。为更好地了解TSV技术的原理及研究现状,该文概述了近年来TSV技术在3D IC设计中的研究进展。首先,针对TSV热问题,综述了3D IC的热建模方法和TSV的热管理策略。其次,针对电源完整性问题,介绍了布局优化、背面供电网络(BPDN)技术等解决方案。之后,针对信号完整性问题,阐述了电磁屏蔽、应用低介电常数材料、新型互连等方法。最后,对TSV目前仍存在的局限性进行了总结,并在此基础上重点展望了多物理场协同优化、纳米级TSV(nTSV)与背面供电网络集成设计、新型材料与TSV阵列以及智能优化方法在未来的发展空间。 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 热管理 电源完整性 信号完整性
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3D IC中全铜互连热应力分析 被引量:1
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作者 王志敏 黄秉欢 +2 位作者 叶贵根 李逵 巩亮 《微电子学与计算机》 2023年第1期97-104,共8页
三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC)技术相比于二维封装形式具有互连长度短、异构集成度高、功耗低以及封装尺寸小等特点.因为铜基体具有优异的导电性、抗电迁移性和机械性能,全铜互联结构替代了焊球作为连接结... 三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC)技术相比于二维封装形式具有互连长度短、异构集成度高、功耗低以及封装尺寸小等特点.因为铜基体具有优异的导电性、抗电迁移性和机械性能,全铜互联结构替代了焊球作为连接结构应用于3D IC中.本文通过数值模拟研究了含有全铜互连和微流道结构的3D IC模型在循环温度载荷下的热可靠性,分析了全铜互联高度对模型内部热应力的影响.结果表明,全铜互连部分的最大热应力与铜柱所处的空间位置相关,离模型中心越远,铜柱内的变形越大.同时,最危险铜柱内部应力分布和变形情况表明,由于铜柱上下端面所受载荷性质不同,铜柱在热载荷作用下的Mises应力大致呈左右及上下对称分布.这会导致铜柱的潜在失效模式是轴向压缩和剪切共同作用下的断裂或损伤.另外,最大Mises应力随铜柱高度的增加而逐渐减小,当铜柱高度为300 gm时最大Mises应力趋于稳定,可以为全铜互连可靠性设计提供参考. 展开更多
关键词 3d ic 全铜互连 热应力 有限元模拟
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一种堆叠式3D IC的最小边界热分析方法 被引量:7
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作者 余慧 吴昊 +1 位作者 陈更生 童家榕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期865-870,共6页
目前的热分析工具仅仅支持单芯片的热分析,而堆叠式的三维芯片(3D IC)在同一封装中包含多个堆叠的芯片,对芯片的散热和温度管理提出了更高的要求,并且在热分析过程中需要处理复杂的边界条件.本文提出的最小边界法可以准确且有效地处理... 目前的热分析工具仅仅支持单芯片的热分析,而堆叠式的三维芯片(3D IC)在同一封装中包含多个堆叠的芯片,对芯片的散热和温度管理提出了更高的要求,并且在热分析过程中需要处理复杂的边界条件.本文提出的最小边界法可以准确且有效地处理堆叠式3D IC的边界条件,简化了三维芯片封装的热模型;同时,本文提出在堆叠式3D IC的稳态热量分析中通过将连接点分类、采用预处理矩阵的方法加速整个全局热传导矩阵的求解过程,从而简化热分析流程.实验结果表明:将有限元方法作为基本的热分析方法,用最小边界法处理堆叠式3D IC,可以准确分析芯片的热分布;同时通过高效的预处理矩阵可以减少共轭梯度法求解中90%的迭代次数. 展开更多
关键词 热分析 有限元方法 3d ic 最小边界
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时序敏感的3D IC绑定优化方法 被引量:2
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作者 王杰 张磊 +3 位作者 李华伟 韩银和 李晓维 梁华国 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2029-2036,共8页
工艺波动下3D IC的成品率受绑定策略的影响较大.为了减少不当绑定造成的成品率损失,提出一种基于关键通路时延的3D IC绑定优化方法.通过绑定前时延测量得到待绑定芯片各层的时序特性,利用不同层上的通路进行时延互补,使用"好"... 工艺波动下3D IC的成品率受绑定策略的影响较大.为了减少不当绑定造成的成品率损失,提出一种基于关键通路时延的3D IC绑定优化方法.通过绑定前时延测量得到待绑定芯片各层的时序特性,利用不同层上的通路进行时延互补,使用"好"的芯片挽救"坏"的芯片;把最大成品率问题抽象成二分图的最大匹配问题,提出了分级和啮合两种绑定优化算法,采用增广路经算法进行求解.实验结果表明,相对于不考虑工艺波动的随机绑定方法,采用文中方法有效地提高了3D IC的成品率. 展开更多
关键词 3d ic 绑定 时延测量 关键通路 成品率
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An optimal stacking order for mid-bond testing cost reduction of 3D IC 被引量:2
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作者 Ni Tianming Liang Huaguo +4 位作者 Nie Mu Bian Jingchang Huang Zhengfeng Xu Xiumin Fang Xiangsheng 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2018年第2期166-172,共7页
In order to solve the problem that the testing cost of the three-dimensional integrated circuit(3D IC)is too high,an optimal stacking order scheme is proposed to reduce the mid-bond test cost.A new testing model is bu... In order to solve the problem that the testing cost of the three-dimensional integrated circuit(3D IC)is too high,an optimal stacking order scheme is proposed to reduce the mid-bond test cost.A new testing model is built with the general consideration of both the test time for automatic test equipment(ATE)and manufacturing failure factors.An algorithm for testing cost and testing order optimization is proposed,and the minimum testing cost and optimized stacking order can be carried out by taking testing bandwidth and testing power as constraints.To prove the influence of the optimal stacking order on testing costs,two baselines stacked in sequential either in pyramid type or in inverted pyramid type are compared.Based on the benchmarks from ITC 02,experimental results show that for a 5-layer 3D IC,under different constraints,the optimal stacking order can reduce the test costs on average by 13%and 62%,respectively,compared to the pyramid type and inverted pyramid type.Furthermore,with the increase of the stack size,the test costs of the optimized stack order can be decreased. 展开更多
关键词 three-dimensional integrated circuit(3d ic) mid-bond test cost stacking order sequential stacking failed bonding
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3D IC的热特性分析及预测 被引量:1
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作者 罗山焱 徐学良 +5 位作者 雷生吉 左江渝 张德 陈容 崔伟 陆科 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第4期665-670,共6页
3D IC器件通过三维堆叠技术显著提升了系统的集成度,增加了系统的功率密度,同时也带来了显著的热管理挑战。为了更好地对3D IC器件进行热分析,对3D IC进行结构建模,通过热路分析的方法对最高层芯片温度进行了估计,在此基础上考虑TSV结... 3D IC器件通过三维堆叠技术显著提升了系统的集成度,增加了系统的功率密度,同时也带来了显著的热管理挑战。为了更好地对3D IC器件进行热分析,对3D IC进行结构建模,通过热路分析的方法对最高层芯片温度进行了估计,在此基础上考虑TSV结构及不同TSV截面面积对芯片有源层温度的影响。最后,综合3D IC结构特征和热特性分析方法,基于MATLAB编写了3D IC的温度预测软件,并将该软件与商业COMSOL软件精度和效率对比,该软件优势在于,在满足一定的温度预测精度条件下,支持用户自定义3D IC的重要参数并迅速给出不同层芯片的温度预测和可视化表征,实现对不同的堆叠结构参数的3D IC器件进行快速地温度分析。 展开更多
关键词 硅通孔 3d ic 热特性
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3D IC-TSV技术的散热特性研究 被引量:1
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作者 李丹 刘四平 +2 位作者 黄立恒 韩玥鸣 武艺宁 《环境技术》 2023年第6期54-60,共7页
基于3D IC—TSV互连技术,提出了考虑硅通孔的温度解析模型,Matlab分析表明:在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;在通孔直径不变的情况下,最高层芯片温度随间距P的增大而增大;在间... 基于3D IC—TSV互连技术,提出了考虑硅通孔的温度解析模型,Matlab分析表明:在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;在通孔直径不变的情况下,最高层芯片温度随间距P的增大而增大;在间距P不变的情况下,最高层芯片的温度随通孔直径D的减小而增大。通过热分析软件Icepak件对模型进行仿真,所得结果与Matlab仿真结果相对比,误差相差甚小,充分说明了硅通孔对芯片散热的有效性。 展开更多
关键词 3d ic 硅通孔 温度模型 最高层芯片 icepak
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一种3D IC TSV互连的内建自测试和自修复方法(英文) 被引量:2
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作者 王秋实 谭晓慧 +1 位作者 龚浩然 冯建华 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期690-696,共7页
提出一种检测和修复有缺陷TSV的内建自测试(BIST)和内建自修复(BISR)的方法。采用BIST电路测试TSV,根据测试结构,采用BISR电路配置TSV映射逻辑,有故障的TSV可被BISR电路采用TSV冗余修复。所提出的设计可减小TSV测试价格,并减少TSV缺陷... 提出一种检测和修复有缺陷TSV的内建自测试(BIST)和内建自修复(BISR)的方法。采用BIST电路测试TSV,根据测试结构,采用BISR电路配置TSV映射逻辑,有故障的TSV可被BISR电路采用TSV冗余修复。所提出的设计可减小TSV测试价格,并减少TSV缺陷引起的成品率损失。电路模拟表明,面积代价和时间代价是可接受的。 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 内建自测试 内建自修复 冗余
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3D IC系统架构概述 被引量:2
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作者 陈昊 谢业磊 +1 位作者 庞健 欧阳可青 《中兴通讯技术》 北大核心 2024年第S01期76-83,共8页
随着芯片制造工艺接近物理极限,使用多Die堆叠的三维集成电路(3D IC)已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。利用3D IC将芯片垂直堆叠集成,可以极大程度降低互联长度,提升互联带宽。详细介绍了一些常见的3D IC系统架构方案,说明了使用不... 随着芯片制造工艺接近物理极限,使用多Die堆叠的三维集成电路(3D IC)已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。利用3D IC将芯片垂直堆叠集成,可以极大程度降低互联长度,提升互联带宽。详细介绍了一些常见的3D IC系统架构方案,说明了使用不同3D架构对于整体芯片系统在性能、功耗等方面的优势,也列举了在物理实现、封装测试、工艺能力等方面的挑战。最后综述了一些业内使用3D IC的典型产品,并介绍了这些产品的系统架构、典型参数、适用领域,以及使用3D IC后给产品带来的竞争力提升情况。针对业界现状,认为应该把握机遇,不惧挑战,实现弯道超车。 展开更多
关键词 三维集成电路 三维堆叠芯片 三维片上系统 存储堆叠逻辑 逻辑堆叠逻辑
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Effective fault detection in M3D ICs:a cluster-based BIST for enhanced inter-layer via fault coverage
10
作者 Hadi JAHANIRAD Ahmad MENBARI +1 位作者 Hemin RAHIMI Daniel ZIENER 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 2025年第10期2041-2063,共23页
Monolithic three-dimensional integrated circuits(M3D ICs)have emerged as an innovative solution to overcome the limitations of traditional 2D scaling,offering improved performance,reduced power consumption,and enhance... Monolithic three-dimensional integrated circuits(M3D ICs)have emerged as an innovative solution to overcome the limitations of traditional 2D scaling,offering improved performance,reduced power consumption,and enhanced functionality.Inter-layer vias(ILVs),crucial components of M3D ICs,provide vertical connectivity between layers but are susceptible to manufacturing and operational defects,such as stuck-at faults(SAFs),shorts,and opens,which can compromise system reliability.These challenges necessitate advanced built-in self-test(BIST)methodologies to ensure robust fault detection and localization while minimizing the testing overhead.In this paper,we introduce a novel BIST architecture tailored to efficiently detect ILV defects,particularly in irregularly positioned ILVs,and approximately localize them within clusters,using a walking pattern approach.In the proposed BIST framework,ILVs are grouped according to the probability of fault occurrence,enabling efficient detection of all SAFs and bridging faults(BFs)and most multiple faults within each cluster.This strategy empowers designers to fine-tune fault coverage,localization precision,and test duration to meet specific design requirements.The new BIST method addresses a critical shortcoming of existing solutions by significantly reducing the number of test configurations and overall test time using multiple ILV clusters.The method also enhances efficiency in terms of area and hardware utilization,particularly for larger circuit benchmarks.For instance,in the LU32PEENG benchmark,where ILVs are divided into 64 clusters,the power,area,and hardware overheads are minimized to 0.82%,1.03%,and 1.14%,respectively. 展开更多
关键词 Monolithic three-dimensional integrated circuits(M3d ics) Inter-layer vias(ILVs) Built-in self-test(BIST) Fault detection and localization
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层间叉排微针肋液体冷却3D-IC流动及换热特性 被引量:1
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作者 马丹丹 夏国栋 +2 位作者 翟玉玲 李云飞 蒋静 《航空动力学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1327-1334,共8页
用数值模拟的方法,研究了散热面积为1cm^2带有层间微散热结构双面均热发热3D-IC内部流体层流流动与换热,对体积流量在36~290mL/min范围内,通道高度为200μm,通道间距为200μm的带有矩形微通道和叉排微针肋液体冷却3D-IC(three-dimension... 用数值模拟的方法,研究了散热面积为1cm^2带有层间微散热结构双面均热发热3D-IC内部流体层流流动与换热,对体积流量在36~290mL/min范围内,通道高度为200μm,通道间距为200μm的带有矩形微通道和叉排微针肋液体冷却3D-IC(three-dimensional integration circuit)的流动与换热进行了分析.结果表明:带有层间叉排微针肋液体冷却3D-IC具有良好的换热效果,在热流密度为1.25MW/m^2,体积流量为290mL/min时,其发热面平均温度、最大温度只有318.31,323.16K,分别最大减小了12.31,20.14K,此时的功率为250W、体积热源为8.3kW/cm^3. 展开更多
关键词 三维集成电路 层间液体冷却 强化换热 对流 微针肋
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两层堆叠3D-IC层间液体冷却流动及换热特性 被引量:1
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作者 马丹丹 夏国栋 +1 位作者 陈卓 王卓 《航空动力学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1569-1576,共8页
随着电路层的垂直堆叠,三维集成电路(3D-IC)的功耗密度成倍增加。具有良好散热能力的层间液体冷却是一种非常有效的方法。采用数值模拟的方法研究了雷诺数在150~900范围内面积为1cm^2,针肋直径为100μm,通道高为200μm,通道间距为200μ... 随着电路层的垂直堆叠,三维集成电路(3D-IC)的功耗密度成倍增加。具有良好散热能力的层间液体冷却是一种非常有效的方法。采用数值模拟的方法研究了雷诺数在150~900范围内面积为1cm^2,针肋直径为100μm,通道高为200μm,通道间距为200μm的带有层间顺排微针肋两层芯片堆叠3D-IC内流体流动与换热特性。结果表明:与相应尺寸的矩形通道结构相比,带有层间顺排微针肋液体冷却3D-IC具有良好的换热效果。在雷诺数为770时,芯片的功率高达250W,其体积热源相当于8.3kW/cm^3;较矩形结构通道,顺排微针肋结构的热源平均温度和热源最大温差只有46.34,13.96K,分别减小了13.26,21.34K。 展开更多
关键词 三维集成电路(3d-ic) 层间液体冷却 强化换热 对流换热 顺排微针肋
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信号反弹作用下的3D-SIC过硅通孔测试结构 被引量:1
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作者 王伟 唐勇 +3 位作者 方芳 陈田 刘军 常郝 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2012年第9期776-781,共6页
三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔(through silicon via,TSV)技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。针对通过TSV绑定后的3D芯片,利用信号在导体中传输的... 三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔(through silicon via,TSV)技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。针对通过TSV绑定后的3D芯片,利用信号在导体中传输的不可逆性,在测试信号发送端施加两次不同测试激励,在其他层的测试信号接收端增加反弹模块,再利用触发器和多路选择器将两次反馈结果进行比较,实现针对TSV的测试。实验结果表明,180nm CMOS工艺下,与同类方法比较,提出的测试结构面积和测试平均功耗分别减少59.8%和18.4%,仅仅需要12个测试时钟周期。有效地证明了结构具有面积和时间开销较小,功耗较低的特性。 展开更多
关键词 三维堆叠集成电路 过硅通孔 绑定后测试 反弹模块 可测试性设计
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An efficient method for comprehensive modeling and parasitic extraction of cylindrical through-silicon vias in 3D ICs 被引量:1
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作者 姚蔷 叶佐昌 喻文健 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第8期150-156,共7页
To build an accurate electric model for through-silicon vias (TSVs) in 3D integrated circuits (ICs), a resistance and capacitance (RC) circuit model and related efficient extraction technique are proposed. The c... To build an accurate electric model for through-silicon vias (TSVs) in 3D integrated circuits (ICs), a resistance and capacitance (RC) circuit model and related efficient extraction technique are proposed. The circuit model takes both semiconductor and electrostatic effects into account, and is valid for low and medium signal frequencies. The electrostatic capacitances are extracted with a floating random walk based algorithm, and are then combined with the voltage-dependent semiconductor capacitances to form the equivalent circuit. Compared with the method used in Synopsys's Sdevice, which completely simulates the electro/semiconductor effects, the proposed method is more efficient and is able to handle the general TSV layout as well. For several TSV structures, the experimental results validate the accuracy of the proposed method for the frequency range from l0 kHz to 1 GHz. The proposed method demonstrated 47× speedup over the Sdevice for the largest 9-TSV case. 展开更多
关键词 3d ic through silicon via (TSV) parasitic extraction floating random walk algorithm metal-oxide- semiconductor (MOS) capacitance
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考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模
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作者 孙浩 赵振宇 刘欣 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2014年第12期2339-2345,共7页
基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P... 基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成。P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响。经实验表明,建立的3DPDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗。 展开更多
关键词 3d-ic 电源分配网络 P/G TSV PDN阻抗 硅衬底效应
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用于3D-IC芯片间时钟同步电路的改进型SAR的设计
16
作者 徐太龙 王洪海 +2 位作者 高先和 史俊 胡学友 《韶关学院学报》 2015年第10期36-40,共5页
针对三维集成电路芯片间时钟同步电路的要求,设计一种用于全数字延时锁定环的改进型逐次逼近寄存器,以消除由于硅通孔延时波动引起的时钟偏差.采用TSMC 65 nm CMOS工艺标准单元实现改进型逐次逼近寄存器控制器,仿真结果表明其在250 MHz^... 针对三维集成电路芯片间时钟同步电路的要求,设计一种用于全数字延时锁定环的改进型逐次逼近寄存器,以消除由于硅通孔延时波动引起的时钟偏差.采用TSMC 65 nm CMOS工艺标准单元实现改进型逐次逼近寄存器控制器,仿真结果表明其在250 MHz^2 GHz的频率范围内能有效地消除硅通孔延时波动引起的时钟偏差. 展开更多
关键词 三维集成电路 时钟同步 硅通孔 逐次逼近寄存器 延时锁定环
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3D-IC中基于时分复用的TSV蜂窝容错设计 被引量:2
17
作者 杨兆 梁华国 +3 位作者 束月 左小寒 倪天明 黄正峰 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第3期349-356,共8页
三维芯片(3D-IC)通过硅通孔(TSV)技术来实现电路的垂直互连,延续了摩尔定律,但在制造、绑定等过程中,TSV容易引入各类缺陷。添加冗余TSV是解决该问题的有效方法之一,但TSV面积开销大、制造成本高。提出一种基于时分复用(TDMA)的TSV蜂窝... 三维芯片(3D-IC)通过硅通孔(TSV)技术来实现电路的垂直互连,延续了摩尔定律,但在制造、绑定等过程中,TSV容易引入各类缺陷。添加冗余TSV是解决该问题的有效方法之一,但TSV面积开销大、制造成本高。提出一种基于时分复用(TDMA)的TSV蜂窝结构容错设计方案,它基于时间对信号TSV进行复用。实验结果表明,与一维链式TDMA结构相比,蜂窝TDMA结构提高了30%的故障覆盖率,并且故障覆盖率随着蜂窝阵列的扩展持续提升。在64TSV阵列中,与一维TDMA结构相比,蜂窝拓扑结构的面积开销降低了10.4%。 展开更多
关键词 三维芯片 硅通孔 容错设计 时分复用 蜂窝结构
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一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法 被引量:1
18
作者 邝艳梅 赵凯 +2 位作者 缪旻 陈兢 罗昌浩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期121-128,共8页
硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法... 硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法。该方法既可以对随机出现的缺陷TSV进行冗余TSV替换,从而实现硬修复;也可以在冗余TSV数量不足时,通过两种不同的软修复策略,对信号进行"并串-串并"转换,实现局部范围内的软修复。该方法能有效减少由大量冗余TSV造成的面积开销,降低缺陷TSV修复率对冗余TSV数量的依赖性,提高缺陷TSV的修复率和3D-IC的可靠性。 展开更多
关键词 三维集成电路(3d-ic) 硅通孔(TSV) 双重自修复 并串-串并转换 高可靠性
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层间微通道液体冷却3D-ICs的仿真研究 被引量:3
19
作者 高仙仙 陈艺欣 +1 位作者 申利梅 陈焕新 《制冷与空调》 2020年第2期35-39,43,共6页
近年来,随着半导体工业的迅速发展,芯片特征尺寸逐渐减小逐渐接近极限,为此提出三维集成电路(3D-ICs),集成度显著提高,但同时也造成芯片功率密度成倍增加,层间微通道液体冷却因其结构紧凑、传热效果较好、压降低等优点成为备受关注的焦... 近年来,随着半导体工业的迅速发展,芯片特征尺寸逐渐减小逐渐接近极限,为此提出三维集成电路(3D-ICs),集成度显著提高,但同时也造成芯片功率密度成倍增加,层间微通道液体冷却因其结构紧凑、传热效果较好、压降低等优点成为备受关注的焦点。本文采用仿真工具3D-ICE建立带有层间微通道液体冷却的不同通道类型的3D-ICs模型,模拟分析层间通道的物性参数如通道壁厚/针肋直径、通道高度、制冷剂流速/达西速度对三维芯片温度分布的影响情况。结果表明,给定条件下,热点温度随通道壁厚/针肋直径的增加而减少,在50~100变化快,温降最高可达1.309℃,随后趋于稳定;热点温度随通道高度变化的变化因通道类型而异,矩形直通道Tmax在0~1间迅速降低,随后逐渐升高,线性微针肋Tmax在一定范围内较矩形直通道平缓下降,随后缓慢升高或趋于平稳;热点温度随制冷剂流速/达西速度的增加而降低,且变化逐渐平缓。 展开更多
关键词 层间微通道液体冷却 3d-ics 3d-icE 微通道模型 热管理
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Metallurgical challenges in microelectronic 3D IC packaging technology for future consumer electronic products 被引量:14
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作者 K. N. TU TIAN Tian 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第7期1740-1748,共9页
Metallurgical challenges in controlling the microstructural stability of Cu and solder microbumps in 3D IC packaging technol-ogy are discussed. Using uni-directional 【111】 oriented nanotwinned Cu, the controlled gro... Metallurgical challenges in controlling the microstructural stability of Cu and solder microbumps in 3D IC packaging technol-ogy are discussed. Using uni-directional 【111】 oriented nanotwinned Cu, the controlled growth of oriented Cu6Sn5 on the nanotwinned Cu and its transformation to Cu3Sn without Kirkendall voids have been achieved. In order to join a stack of Si chips into a 3D device, multiple reflows of solder microbumps may be required; we consider localized heating to do so by the use of self-sustained explosive reaction in multi-layered Al/Ni thin films of nano thickness. It avoids re-melting of those solder joints which have been formed already in the 3D stacking structure. 展开更多
关键词 3d ic PACKAGING microbump LOCALIZED HEATING
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