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题名铁电存储器的基本单元及其工作模式
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作者
李建军
王耘波
王龙海
高俊雄
于军
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《计算机与数字工程》
2006年第1期8-12,共5页
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基金
国家自然科学基金重大研究计划项目(90407023)资助
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文摘
按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。
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关键词
FRAM
FFEt
2t/2c
1t/1c
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Keywords
FRAM FFEt,2t/2c, 1t/1c
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现
被引量：1
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作者
汤祥云
王岸如
程旭
汤庭鳌
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机构
复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期255-259,275,共6页
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基金
国家自然科学基金项目 ( 698760 0 8)
"863"项目
AM基金项目
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文摘
文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 4 C0 4在接口、电学特性上完全兼容 ,可以在 2 4 C0 4的电路应用中直接代替之。
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关键词
铁电电容
VLSI
存储器
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Keywords
FRAM
2t 2c memory cell
Ferroelectric capacitance
VLSI
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分类号
TN304.9
[电子电信—物理电子学]
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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