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Thickness-dependent excitonic properties of atomically thin 2H-MoTe2 被引量:1
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作者 Jin-Huan Li Dan Bing +4 位作者 Zhang-Ting Wu Guo-Qing Wu Jing Bai Ru-Xia Du Zheng-Qing Qi 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期452-456,共5页
Two-dimensional(2D)2H-MoTe2 is a promising semiconductor because of its small bandgap,strong absorption,and low thermal conductivity.In this paper,we systematically study the optical and excitonic properties of atomic... Two-dimensional(2D)2H-MoTe2 is a promising semiconductor because of its small bandgap,strong absorption,and low thermal conductivity.In this paper,we systematically study the optical and excitonic properties of atomically thin 2H-MoTe2(1–5 layers).Due to the fact that the optical contrast and Raman spectra of 2H-MoTe2 with different thicknesses exhibit distinctly different behaviors,we establish a quantitative method by using optical images and Raman spectra to directly identify the layers of 2H-MoTe2 thin films.Besides,excitonic states and binding energy in monolayer/bilayer 2H-MoTe2 are measured by temperature-dependent photoluminescence(PL)spectroscopy.At temperature T=3.3 K,we can observe an exciton emission at^1.19 eV and trion emission at^1.16 eV for monolayer 2H-MoTe2.While at room temperature,the exciton emission and trion emission both disappear for their small binding energy.We determine the exciton binding energy to be 185 meV(179 meV),trion binding energy to be 20 meV(18 me V)for the monolayer(bilayer)2H-MoTe2.The thoroughly studies of the excitonic states in atomically thin 2H-MoTe2 will provide guidance for future practical applications. 展开更多
关键词 2h-mote2 PHOTOLUMINESCENCE RAMAN exciton and trion
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单层2H-MoTe_(2) 光电效应的理论研究 被引量:1
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作者 罗兵 陈妍 徐中辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第3期504-508,共5页
材料的禁带宽度是影响光电探测器探测范围的重要因素。单层2H-MoTe_(2)因具有合适的禁带宽度引起了科研人员广泛的研究兴趣。本文基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,研究了单层2H-MoTe 2的光电效应。结果表明:在线... 材料的禁带宽度是影响光电探测器探测范围的重要因素。单层2H-MoTe_(2)因具有合适的禁带宽度引起了科研人员广泛的研究兴趣。本文基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,研究了单层2H-MoTe 2的光电效应。结果表明:在线性偏振光照射下,MoTe_(2)产生的光电流函数与唯象理论相吻合;在光子能量范围1.6~1.8 eV(690~770 nm),对应于红光,能产生较大的光电流。利用能带结构和态密度分析了产生较大光电流的原因主要来自第一布里渊区S点的电子受激跃迁。同时发现在锯齿型方向偏压为0.8 V时,光电流达到峰值;然而在扶手椅型方向偏压为0.4 V时,光电流就达到峰值。这些计算结果可用于指导基于MoTe_(2)光电探测器的设计,尤其是红外光电探测器的设计。 展开更多
关键词 光电探测器 单层2h-mote 2 光电效应 能带结构 态密度 第一性原理
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