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题名2GHz 100W硅脉冲功率晶体管
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作者
傅义珠
张树丹
高雷
姚长军
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《世界产品与技术》
2002年第2期20-21,共2页
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文摘
本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。
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关键词
2ghz100w
硅脉冲功率晶体管
可靠性设计
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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