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28nm工艺低压差线性稳压器（LDO）设计 被引量：4
1
作者 宋圣宇 陈建军 +3 位作者 文溢 邢海源 李梦姿 郭阳 《计算机与数字工程》 2019年第11期2738-2745,共8页
随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参... 随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参数,然后通过电路级的优化以提高某些性能指标。最终得到的LDO电路能够稳定输出0.9V的电压,并且在温度系数,低功耗和低噪声等方面表现良好。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 带隙基准电路 28nm工艺 温度系数 低功耗低噪声
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28nm工艺基于T＿Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计 被引量：2
2
作者 张博翰 陈建军 +3 位作者 梁斌 罗园 黄俊 朱小娜 《计算机与数字工程》 2019年第11期2661-2666,2807,共7页
高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一。传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽。针对... 高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一。传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽。针对传统设计方法存在的缺点,采用基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO电路结构。然后,完成28nm工艺下基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计,采用反向二极管技术设计ESD防护器件,使用CadenceVirtuoso软件完成其电路设计和版图设计。最后,基于仿真工具给出了功能性能仿真结果和带寄生参数的仿真结果,并与传统技术进行对比,设计实现了16Gbps的速率。 展开更多
关键词 28nm工艺 高速IO设计 ESD T_Coil结构
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基于28nm MOSFET集成RNVM的1T1R纳米阵列器件可靠性研究 被引量：1
3
作者 徐顺 陈冰 《电子测量技术》 北大核心 2024年第14期18-25,共8页
针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性... 针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性试验。结果表明1T1R纳米阵列器件存在MOSFET Ion、Ileak应力退化-44.90%、751.64%以及RRAM循环耐受过程反向硬击穿等不单独出现于分立器件的特有失效现象。分析微观器件物理,得出1T1R纳米阵列器件因其独特结构特征和操作模式下复杂微观交互机制引发高源漏电压和弱栅控条件下特有可靠性原理的结论。提出了专门测试调控方案以提高1T1R纳米阵列器件可靠性。为解决28 nm及以下节点CMOS逻辑器件集成纳米RNVM技术引发的特有可靠性问题提供参考。 展开更多
关键词 新型纳米电子器件 1T1R存算一体化 MOSFET RNVM 28nm制程 可靠性测试 器件物理
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28nm高K金属栅技术平台光阻回刻工艺中提高刻蚀工艺稳定性的方法研究
4
作者 吕煜坤 王宇威 唐在峰 《集成电路应用》 2024年第6期66-69,共4页
阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Et... 阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Etch Back2,即EB2)不稳定,腔体的刻蚀速率与面内分布随着作业时间的增加会出现明显的趋势变化,导致产品端用于表征刻蚀结果的量测参数“牛角高度”(Spacer1二氧化硅保护层高度与栅极高度之间的高度差)在片内具有较高波动性,易造成缺陷,无法安全生产。为此,详细探讨28HKMG平台EB2刻蚀工艺不稳定的原因,并针对实际量产过程中发生的异常,给出切实可行的解决方案,有利于维护腔体微环境稳定,提高产品质量。 展开更多
关键词 集成电路制造 28nm 高K金属栅 光阻回刻 工艺稳定性
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28 nm技术节点微小多晶硅桥连缺陷检测与改进方法的研究
5
作者 范荣伟 倪棋梁 陈宏璘 《集成电路应用》 2019年第5期23-26,共4页
针对28 nm技术节点产品上多晶硅微小桥连缺陷,应用电压衬度与光学检测系统,探索了缺陷检测方法的开发流程,建立了缺陷监控指标,并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测方法开发流程进行了创新:通过电压衬度系统进行精确扫描,检测出的... 针对28 nm技术节点产品上多晶硅微小桥连缺陷,应用电压衬度与光学检测系统,探索了缺陷检测方法的开发流程,建立了缺陷监控指标,并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测方法开发流程进行了创新:通过电压衬度系统进行精确扫描,检测出的微小桥连缺陷经电子束表面标记,被用于光学检测系统进行扫描条件开发,最终确定的光学扫描方法被用于缺陷监控与缺陷改善。根据实验结果,进一步推论了缺陷形成的机理,优化了光刻与干刻工艺条件,更换了全新类型的光阻材料,从而使缺陷问题得到解决。电子束扫描所提供的电压衬度像为扫描程式的开发提供了较高的分辨率,弥补了亮场缺陷检测方法分辨率较低的局限。缺陷在线监控指标的建立为在线工艺改善提供了在线数据指标,与良率测试结果相比,加快了先进制程产品的研发进度。 展开更多
关键词 电压衬度 电子束扫描 28nm 缺陷检测 流程开发 光刻工艺 干刻工艺
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