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28nm制程下多电压设计中AOCV的应用 被引量:1
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作者 王帅 王殿超 《中国集成电路》 2014年第8期43-49,共7页
随着IC工艺技术的进步和发展,我们已经进入28nm工艺制程时代。相对于使用基于设置全局derate值的传统OCV方法,Advanced-OCV方法具有更精准和合理的优势,同时多电压设计已经成为实现低功耗设计的重要手段。因此,本文将基于28nm工艺的设计... 随着IC工艺技术的进步和发展,我们已经进入28nm工艺制程时代。相对于使用基于设置全局derate值的传统OCV方法,Advanced-OCV方法具有更精准和合理的优势,同时多电压设计已经成为实现低功耗设计的重要手段。因此,本文将基于28nm工艺的设计,介绍AOCV在多电压设计中的时序分析和验证的实际应用以及其带来的优势。 展开更多
关键词 AOCV OCV 多电压 28nm
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28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计 被引量:4
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作者 宋圣宇 陈建军 +3 位作者 文溢 邢海源 李梦姿 郭阳 《计算机与数字工程》 2019年第11期2738-2745,共8页
随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参... 随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参数,然后通过电路级的优化以提高某些性能指标。最终得到的LDO电路能够稳定输出0.9V的电压,并且在温度系数,低功耗和低噪声等方面表现良好。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 带隙基准电路 28nm工艺 温度系数 低功耗低噪声
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28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计 被引量:2
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作者 张博翰 陈建军 +3 位作者 梁斌 罗园 黄俊 朱小娜 《计算机与数字工程》 2019年第11期2661-2666,2807,共7页
高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一。传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽。针对... 高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一。传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽。针对传统设计方法存在的缺点,采用基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO电路结构。然后,完成28nm工艺下基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计,采用反向二极管技术设计ESD防护器件,使用CadenceVirtuoso软件完成其电路设计和版图设计。最后,基于仿真工具给出了功能性能仿真结果和带寄生参数的仿真结果,并与传统技术进行对比,设计实现了16Gbps的速率。 展开更多
关键词 28nm工艺 高速IO设计 ESD T_Coil结构
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28nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究 被引量:1
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作者 李同德 赵元富 +4 位作者 王亮 舒磊 苑靖爽 黄昊 王维 《现代应用物理》 2022年第1期105-109,共5页
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm... 随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm体硅工艺单粒子瞬态脉冲宽度检测电路,包括数字电路中常用的反相器、与非门和或非门3种类型的组合逻辑单元,并考虑了驱动能力和输入个数,电路还包括宽量程和高精度的脉冲宽度检测结构。经单粒子效应试验,获得了单粒子辐射在不同逻辑单元中产生的脉冲宽度。试验结果表明:测试电路中的最大脉冲宽度为234 ps,器件组合形式及版图风格等因素导致脉冲宽度不同。分析了器件叉指结构和P管串联结构等组合形式或版图风格对脉冲宽度的影响。 展开更多
关键词 28nm体硅 组合逻辑电路 辐射试验 单粒子瞬态 脉冲宽度
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28nm SoC芯片设计方法及流程实现 被引量:1
5
作者 彭进 祁耀亮 《集成电路应用》 2016年第5期22-26,共5页
研究28nm SoC芯片的设计方法,探讨流程实现以及需要考虑的相关因素,重点在于设计中如何实现低功耗、高速度,并且在低功耗与高速度之间达到平衡,实现芯片的最佳设计。在设计中需要使用先进的设计流程以及严格的Sign-Off标准,同时,DFM保... 研究28nm SoC芯片的设计方法,探讨流程实现以及需要考虑的相关因素,重点在于设计中如何实现低功耗、高速度,并且在低功耗与高速度之间达到平衡,实现芯片的最佳设计。在设计中需要使用先进的设计流程以及严格的Sign-Off标准,同时,DFM保证芯片流片量产的成功以及稳定的良率。为实现低功耗,需要使用多个电源域(Power Domain)、门控时钟技术(Clock Gating)以及动态电压及频率调节(DVFS)等;为追求高速度,需要选择高速单元库(High Speed Library)和高速存储器(High Speed SRAM),尽量在关键路径使用LVT或ULVT。 展开更多
关键词 28nm SOC设计 DFM 多个电源域 门控时钟技术 高速单元库
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基于28nm MOSFET集成RNVM的1T1R纳米阵列器件可靠性研究 被引量:1
6
作者 徐顺 陈冰 《电子测量技术》 北大核心 2024年第14期18-25,共8页
针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性... 针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性试验。结果表明1T1R纳米阵列器件存在MOSFET Ion、Ileak应力退化-44.90%、751.64%以及RRAM循环耐受过程反向硬击穿等不单独出现于分立器件的特有失效现象。分析微观器件物理,得出1T1R纳米阵列器件因其独特结构特征和操作模式下复杂微观交互机制引发高源漏电压和弱栅控条件下特有可靠性原理的结论。提出了专门测试调控方案以提高1T1R纳米阵列器件可靠性。为解决28 nm及以下节点CMOS逻辑器件集成纳米RNVM技术引发的特有可靠性问题提供参考。 展开更多
关键词 新型纳米电子器件 1T1R存算一体化 MOSFET RNVM 28nm制程 可靠性测试 器件物理
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FD-SOI能否成为28nm以后的集成电路工艺路线 被引量:1
7
作者 张毓波 《集成电路应用》 2014年第12期26-31,共6页
FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资,使FD-SOI工艺、平面工艺、Fin FET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马,尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现,但FD-SOI也具备... FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资,使FD-SOI工艺、平面工艺、Fin FET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马,尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现,但FD-SOI也具备升级至3D架构的能力。本文将重点关注FD-SOI产业链的诸多环节在一年中发生的变化。 展开更多
关键词 集成电路制造工艺FD—SOI 28nm
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28nm高K金属栅技术平台光阻回刻工艺中提高刻蚀工艺稳定性的方法研究
8
作者 吕煜坤 王宇威 唐在峰 《集成电路应用》 2024年第6期66-69,共4页
阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Et... 阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Etch Back2,即EB2)不稳定,腔体的刻蚀速率与面内分布随着作业时间的增加会出现明显的趋势变化,导致产品端用于表征刻蚀结果的量测参数“牛角高度”(Spacer1二氧化硅保护层高度与栅极高度之间的高度差)在片内具有较高波动性,易造成缺陷,无法安全生产。为此,详细探讨28HKMG平台EB2刻蚀工艺不稳定的原因,并针对实际量产过程中发生的异常,给出切实可行的解决方案,有利于维护腔体微环境稳定,提高产品质量。 展开更多
关键词 集成电路制造 28nm 高K金属栅 光阻回刻 工艺稳定性
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基于28nm工艺的芯片时钟树研究 被引量:5
9
作者 刘健 杨雨婷 +1 位作者 江燕 张艳飞 《电子与封装》 2020年第7期44-47,共4页
随着工艺的不断发展,芯片集成规模增大,工作频率不断增加,给传统的IC设计带来巨大的挑战。基于UMC 28 nm工艺,采用Innovus工具布局布线,重点描述了时钟树绕线方法、early clock方法以及useful skew的应用。研究表明,采用early clock方... 随着工艺的不断发展,芯片集成规模增大,工作频率不断增加,给传统的IC设计带来巨大的挑战。基于UMC 28 nm工艺,采用Innovus工具布局布线,重点描述了时钟树绕线方法、early clock方法以及useful skew的应用。研究表明,采用early clock方法可以有效地解决绕线拥塞问题,最终short数量从219减少到5,并且当时钟绕线采用双倍宽度、双倍间距,应用useful skew可以将setup最差违例从-0.088 ns优化为0 ns,减少eco迭代过程。 展开更多
关键词 28 nm工艺 useful skew early clock 时钟树综合 布局布线 Innovus工具
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28nm多晶硅硬掩模刻蚀中的棒状颗粒缺陷与对策分析
10
作者 许进 《红外》 CAS 2023年第7期26-33,共8页
在摩尔定律的影响下,半导体制造的线宽尺寸逐步到达极限。当前28 nm及以下工艺制程中,多晶硅栅极刻蚀普遍采用双层联动的硬掩模刻蚀加多晶硅刻蚀的方法,可以实现关键尺寸的有效控制,但同时也增加了颗粒缺陷的发生率。针对多晶硅硬掩模刻... 在摩尔定律的影响下,半导体制造的线宽尺寸逐步到达极限。当前28 nm及以下工艺制程中,多晶硅栅极刻蚀普遍采用双层联动的硬掩模刻蚀加多晶硅刻蚀的方法,可以实现关键尺寸的有效控制,但同时也增加了颗粒缺陷的发生率。针对多晶硅硬掩模刻蚀(Polysilicon Hard Mask Etch,P1HM-ET)过程中出现的棒状颗粒缺陷,分析了缺陷的来源和形成机理。通过精准调控刻蚀结束后静电卡盘(Electrostatic-Chuck,ESC)对晶圆的释放时间和自身电荷的释放时间来加强刻蚀腔体内颗粒的清除和减小晶背静电吸附作用。结果显示,当晶圆释放时间增加2 s,ESC电荷释放时间增加6 s后,减少了约80%的棒状颗粒缺陷。通过调控相关联的工艺参数来减少缺陷,可以有效减少消耗性零件的使用,从而降低生产成本。 展开更多
关键词 28 nm工艺 多晶硅硬掩模刻蚀 棒状颗粒
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28nm FPGA实现高带宽、低功耗和低成本
11
作者 陆楠 《电子设计技术 EDN CHINA》 2010年第6期16-16,18,共2页
高端系统如通信、广播、军事、计算机存储等,对带宽的要求越来越高,人们希望在不改变引脚的情况下,以相同甚至更低的功耗来实现更大的带宽,而成本要求越低越好,至少在目前,摩尔定律还是能够推动和支持这一需求的方法。不久前,Altera... 高端系统如通信、广播、军事、计算机存储等,对带宽的要求越来越高,人们希望在不改变引脚的情况下,以相同甚至更低的功耗来实现更大的带宽,而成本要求越低越好,至少在目前,摩尔定律还是能够推动和支持这一需求的方法。不久前,Altera正式发布了他们的下一代28nm Stratix V FPGA,这也是目前拥有最高带宽的FPGA。 展开更多
关键词 28nm FPGA STRATIX V HARDCOPY V ALTERA
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最新28nm FPGA再次刷新纪录
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作者 陆楠 《电子设计技术 EDN CHINA》 2011年第9期20-20,共1页
继今年3月份发布7系gq28nm中端FPGA产品Kintex-7之后不到4个月,赛灵思又发布了其28nm高端FPGA产品Virtex-7 VX485T,刷新了其新统一架构的新产品推出速度的纪录。Virtex-7XV485T在逻辑规模、收发器、抖动性、串行I/O带宽、DSP性能和... 继今年3月份发布7系gq28nm中端FPGA产品Kintex-7之后不到4个月,赛灵思又发布了其28nm高端FPGA产品Virtex-7 VX485T,刷新了其新统一架构的新产品推出速度的纪录。Virtex-7XV485T在逻辑规模、收发器、抖动性、串行I/O带宽、DSP性能和低功耗等方面表现突出。 展开更多
关键词 28nm FPGA Kintex-7 VIRTEX-7 VX485T 赛灵思(Xilinx)
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赛灵思:开创28nm低功耗FPGA新进程
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作者 陆楠 《电子设计技术 EDN CHINA》 2010年第4期72-72,共1页
虎年之初,FPGA的小圈子就新闻不断,双雄焦点都落在了28nm工艺制程上的种种创新——尽管40nm的市场也才刚刚预热。长假刚过,赛灵思就发布了其新一代28nm工艺FPGA,赛灵思全球高级副总裁亚太区执行总裁汤立人详细介绍了这一器件的相关... 虎年之初,FPGA的小圈子就新闻不断,双雄焦点都落在了28nm工艺制程上的种种创新——尽管40nm的市场也才刚刚预热。长假刚过,赛灵思就发布了其新一代28nm工艺FPGA,赛灵思全球高级副总裁亚太区执行总裁汤立人详细介绍了这一器件的相关细节。 展开更多
关键词 28nm 低功耗 统一架构 第四代ASMBL 赛灵思
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28nm多核通信处理器性能与功耗水平促成新一代高效网络
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作者 张慧娟 《电子设计技术 EDN CHINA》 2012年第12期24-25,共2页
日前,博通(Broadcom)推出了低功耗28nmXLP200多核通信处理器系列。这款新的解决方案可以满足企业、4G/LTE运营商、数据中心、云计算和软件定义网络(SDN)对性能、可扩展性和效率等方面的需求。
关键词 28nm多核 XLP200系列 通信处理器 博通 NetLogic
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集成电路及其学科的发展
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作者 《鲁东大学学报(自然科学版)》 2025年第3期F0002-F0002,共1页
一、集成电路的发展及现状集成电路(integrated circuit,IC),也称微电路(microcircuit),是20世纪50年代末至60年代初发展起来的一种新型半导体器件。1958年杰克·基尔比率先发明基于锗的集成电路,1960年罗伯特·诺伊斯发明了基... 一、集成电路的发展及现状集成电路(integrated circuit,IC),也称微电路(microcircuit),是20世纪50年代末至60年代初发展起来的一种新型半导体器件。1958年杰克·基尔比率先发明基于锗的集成电路,1960年罗伯特·诺伊斯发明了基于硅的集成电路,他们的开创性工作共同奠定了现代电子技术的基础,推动了电子器件向微型化、低功耗、高集成度、高可靠性和智能化发展的革命性跨越。当前,全球集成电路制造工艺已进入3 nm主流应用、2 nm启动量产的技术迭代阶段。中国集成电路产业在成熟制程领域持续突破——28 nm及以上工艺实现稳定量产、14nm工艺正逐步攻克技术壁垒,同步构建起涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试的完整产业链体系,产业创新已延伸至人工智能、自动驾驶、量子计算等前沿科技领域。 展开更多
关键词 发展 28 nm 低功耗 电子技术
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一种具有低噪声高电源抑制的LDO电路设计 被引量:6
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作者 王妍 杨潇雨 +1 位作者 魏林 赵之昱 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第5期837-842,共6页
设计了一种基于28 nm CMOS工艺的低噪声高电源抑制LDO电路。采用折叠共源共栅结构设计了高输出阻抗、高增益误差的放大器,降低了电源噪声对输出端的影响。采用共源共栅密勒补偿结构,保证电路在负载处于轻载/重载下保持较高的相位裕度,... 设计了一种基于28 nm CMOS工艺的低噪声高电源抑制LDO电路。采用折叠共源共栅结构设计了高输出阻抗、高增益误差的放大器,降低了电源噪声对输出端的影响。采用共源共栅密勒补偿结构,保证电路在负载处于轻载/重载下保持较高的相位裕度,增强了环路稳定性。误差放大器输入端采用降噪模块电路,降低了噪声对整体LDO电路的影响。基于Cadence Spectre进行仿真分析的结果表明,在1.9 V电源电压下,负载由轻载10 mA突变为重载60 mA时,环路增益为77.6~91 dB,相位裕度达到76°~79°。在中间负载电流30 mA下,对电源抑制(PSR)和噪声进行了仿真。结果表明,电源抑制为-81.9 dB,低频噪声(1 kHz)为258 nV·Hz^(-1/2)。对LDO整体电路进行了版图设计和后仿比对。结果表明,环路增益为83.2 dB,相位裕度为78°,PSR为-78.3 dB,低频噪声(1 kHz)为283 nV·Hz^(-1/2)。 展开更多
关键词 28nm CMOS工艺 LDO 高电源抑制 低噪声
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半导体制造:跟随还是超越摩尔定律 被引量:1
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作者 李健 《电子产品世界》 2011年第8期25-31,共7页
摩尔定律指引下的半导体工艺车轮不断前行,今年又将碾过全新的制程节点,面对全新工艺对整个产业链的挑战,以及摩尔定律自身的挑战,本文将详细介绍整个半导体产业链如何应对。
关键词 半导体 晶圆 IDM FOUNDRY EDA 28nm 22nm
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半导体制造:又逢更新换代时
18
作者 李健 《电子产品世界》 2010年第6期22-25,共4页
本文结合多方视角,详细探讨最新的半导体工艺技术发展,相关产业链各方对新工艺的应用情况及客观评价。
关键词 半导体制造 28nm FOUNDRY HKMG
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粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究 被引量:2
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作者 金鑫 唐民 +4 位作者 于庆奎 张洪伟 梅博 孙毅 唐路平 《电子与封装》 2019年第6期32-40,共9页
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都... 利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集,增强电荷共享效应,影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小;SRAM单元内不同敏感节点的翻转阈值不同,粒子LET值和入射角度的改变会对SRAM单元的单粒子翻转造成影响;LET值和粒子入射位置变化时,多个SRAM单元发生的单粒子多位翻转的位数和位置也会变化。 展开更多
关键词 器件仿真 28nm 单粒子效应 电荷共享 多位翻转
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Xilinx可扩展处理平台:ZYNQ嵌入式处理器与FPGA集成的独特创举 被引量:20
20
作者 王莹 《电子产品世界》 2012年第2期27-32,共6页
Xilinx的EPP(可扩展处理平台)——Zynq-7000系列将业界标准的ARM双核Cortex-A9MPCore处理系统与Xilinx可扩展的28nmFPGA架构整合在一起,在单一芯片上集成了"嵌入式处理器+FPGA"等性能。
关键词 Zynq EPP CORTEX-A9 MPCORE 28nm
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