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高精度带隙基准电压源的实现 被引量：28
1
作者 江金光 王耀南 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期852-857,共6页
提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .... 提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W. 展开更多
关键词 高精度 电流补偿 温度补偿 温度系数 带隙基准电压源 EEACC 1280 2570d
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0.7V,11ppm/℃,纳瓦功耗的基准源 被引量：1
2
作者 郭宝增 陈迎乐 +1 位作者 王永青 姚金宝 《微计算机信息》 北大核心 2007年第29期310-312,共3页
介绍了一种简单的高性能基准源电路,该电路利用了工作在饱和区和亚阈值区的MOS晶体管迁移率和阈值电压温度特性进行补偿,此外还利用二极管反相偏置电流的温度特性来改进电路的高温段的特性。使用HSPICE进行模拟,结果表明在电源电压为0.... 介绍了一种简单的高性能基准源电路,该电路利用了工作在饱和区和亚阈值区的MOS晶体管迁移率和阈值电压温度特性进行补偿,此外还利用二极管反相偏置电流的温度特性来改进电路的高温段的特性。使用HSPICE进行模拟,结果表明在电源电压为0.9V,温度在?20℃至120℃之间变化时,输出的基准电压为525mV,温度系数为11ppm/℃,功耗只有736nW。该电路电源电压可低至0.7V。电源噪声频率为1kHz时的电源抑制比为?48dB。 展开更多
关键词 补偿 低功耗 低压 高精度 电压源 EEACC 1205 1280 2560 2570d
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CMOS数字电路功耗分析及其应用 被引量：2
3
作者 朱宁 周润德 羊性滋 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期401-406,共6页
讨论了有关ＣＭＯＳ数字电路的功耗分析和低功耗逻辑综合的一些方法。研究了信号的翻转概率与信号概率之间的关系，并由此得到信号翻转次数的表达式。然后讨论了使平均功耗最优的组合逻辑电路优化中的一些方法。最后，提出了两个用于低... 讨论了有关ＣＭＯＳ数字电路的功耗分析和低功耗逻辑综合的一些方法。研究了信号的翻转概率与信号概率之间的关系，并由此得到信号翻转次数的表达式。然后讨论了使平均功耗最优的组合逻辑电路优化中的一些方法。最后，提出了两个用于低功耗逻辑综合的基本定理。 展开更多
关键词 逻辑综合 信号概率 CMOS 数字电路 IC
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BiCMOS直流开关型变换器集成模块的CAD设计
4
作者 丁晖 徐重阳 +2 位作者 曾祥斌 戴拥兵 万新恒 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期228-231,共4页
讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工作频率，高、功耗低，且体... 讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工作频率，高、功耗低，且体积小。 展开更多
关键词 功率电子学 电源变换器 开关电源 CAD
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电容式触摸屏嵌入式闪存控制电路的设计与实现
5
作者 张明 于奇 +1 位作者 张弛 陈友波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期657-660,666,共5页
通过研究嵌入式闪存结构和接口及其时序信息,结合电容式触摸屏的应用环境,同时考虑闪存测试的需求,设计并实现了一种嵌入式闪存专用控制电路。设计以I2 C(Inter-Integrated Circuit)总线作为与主机的接口,定义了一套操作指令,实现了主... 通过研究嵌入式闪存结构和接口及其时序信息,结合电容式触摸屏的应用环境,同时考虑闪存测试的需求,设计并实现了一种嵌入式闪存专用控制电路。设计以I2 C(Inter-Integrated Circuit)总线作为与主机的接口,定义了一套操作指令,实现了主机对闪存的读写和擦除等基本操作,完成了RTL(Register Transfer Level)代码编写。基于Ncsim仿真软件对电路进行功能仿真,结果表明,电路工作状态转换正常,可以进入测试模式进行测试,主机与MCU(Micro Controller Unit)都可以正常读写和擦除闪存。 展开更多
关键词 电容式触摸屏 嵌入式闪存 闪存测试 内置集成电路总线 微控制器
原文传递
一个超低通开关电容滤波器的设计
6
作者 白德钊 洪志良 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期247-250,共4页
介绍了转折频率为３５Ｈｚ的超低通开关电容滤波器单元的设计。滤波器的时钟频率为８ＫＨｚ，最大电容比为５１，单位电容为０．２ｐＦ，采用３μｍＣＭＯＳＳＭＤＰ工艺实现。该电路对小信号有较好的信噪比。
关键词 ASIC 模拟电路 滤波器 CMOS 开关电容滤波器
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CMOS折叠—插值A/D转换器中的气泡效应研究
7
作者 朱江 邵志标 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期382-386,共5页
ＣＭＯＳ折叠—插值Ａ／Ｄ转换器是一种新颖的高速低功耗转换器，但随着输入电压和采样频率的增加，其动态特性变差，误码率上升，产生所谓的“气泡”现象。文章分析了“气泡”的产生机理，给出了减小“气泡”效应的方法及实现途径。
关键词 CMOS 模拟集成电路 折叠-插值 气泡效应
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基于SMIC 180nm工艺的内插延时链型TDC芯片
8
作者 汪炯 马毅超 +2 位作者 蒋俊国 庄建 滕海云 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1108-1114,共7页
在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计... 在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计数”和“细计数”相结合的链状结构,通过内插延时链法来提高测量分辨率,并结合时钟计数器以实现较大的动态测量范围。为了阻止亚稳态的传递,使用两级反相器作为基本延时单元,另外通过异步先进先出(FIFO)缓冲器实现数据在不同时钟域之间的安全传递。实验测试结果表明,该TDC芯片的时间分辨率可达到56.3 ps,动态测量范围为0~262μs,能够满足核共振散射实验的高精度时间测量要求。 展开更多
关键词 高能同步辐射光源(HEPS) 内插延时链 时间数字转换器(TDC) 高分辨率 180nm工艺
原文传递
一种3VCMOS音乐集成电路的设计原理
9
作者 谭开洲 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第6期413-417,共5页
介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路，该电路无须外接电阻、电容，可存储数首歌曲；另外，还可设... 介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路，该电路无须外接电阻、电容，可存储数首歌曲；另外，还可设计出一种数字音频程控频率合成器，时钟为ｆ０时，可控频率范围为ｆ０２～ｆ０２Ｎ。 展开更多
关键词 数字电路 全定制IC CMOS电路 ASIC 频率合成
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一种带接口的CMOS10位电流型乘法D／A转换器
10
作者 石红 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第6期409-412,共4页
介绍了一种带接口的单片ＣＭＯＳ１０位电流型乘法Ｄ／Ａ转换器的设计及工作方式。着重阐述逻辑电平转换、控制逻辑的结构设计及其工作方式。在不修调电阻网络的情况下，该Ｄ／Ａ转换器在５Ｖ、１５Ｖ下，其线性误差、微分误差。
关键词 模拟集成电路 接口集成电路 CMOS电路
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