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SnO_2掺杂对TiO_2/Si纳米复合材料性能的影响 被引量:12
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作者 陈顺玉 李旦振 +1 位作者 付贤智 刘平 《分子科学学报》 CAS CSCD 2007年第1期18-21,共4页
采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合... 采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合材料的高温稳定性增强.另外,SnO2的掺杂量和煅烧温度对复合材料的光电压都有影响.当SnO2掺杂量约为20%,煅烧温度为600℃时复合材料的光电压最强. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 TiO2-SnO2/si 煅烧温度 光电效应
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用1064nm激光增强HfO_2/SiO_2薄膜的抗激光损伤能力的实验研究 被引量:12
2
作者 胡建平 马平 许乔 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1053-1056,共4页
 用1064nm激光实验研究了HfO2/SiO2薄膜的激光损伤增强效应,实验以薄膜激光损伤阈值70%的激光能量开始,采用N ON 1方式处理薄膜,激光脉冲的能量增量为5J/cm2。实验结果表明,激光处理薄膜表面能使激光损伤阈值平均提高到3倍左右,并且薄...  用1064nm激光实验研究了HfO2/SiO2薄膜的激光损伤增强效应,实验以薄膜激光损伤阈值70%的激光能量开始,采用N ON 1方式处理薄膜,激光脉冲的能量增量为5J/cm2。实验结果表明,激光处理薄膜表面能使激光损伤阈值平均提高到3倍左右,并且薄膜的损伤尺度也明显减小。对有缺陷的薄膜,其缺陷经低能量激光后熔和消除,其抗激光损伤能力得到增强,但增强得并不显著,而薄膜本身的激光预处理,可以使其激光损伤阈值大大提高。 展开更多
关键词 激光损伤 激光预处理 HfO2/si02高反膜
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SiO_2/Si波导应力双折射数值分析 被引量:3
3
作者 安俊明 班士良 +6 位作者 梁希侠 李健 郜定山 夏君磊 李健光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1454-1458,共5页
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,... 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 展开更多
关键词 siO2/si 波导 应力 双折射 数值分析
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β-FeSi_2/Si异质结的制备及性质研究 被引量:5
4
作者 郑旭 张晋敏 +3 位作者 熊锡成 张立敏 赵清壮 谢泉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1469-1471,共3页
采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si(100)衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜... 采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si(100)衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/(V.s)。 展开更多
关键词 磁控溅射 β-Fesi2/si异质结 输运性质
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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量:2
5
作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)~ 10 ,即Er的原子体浓度为~ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)~ 10 ,即Er的原子体浓度为~ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多
关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 光致发光 显微结构 掺杂 siO2/si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱
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TiB_2/Si_3N_4纳米多层膜的制备及其结构和性能分析 被引量:3
6
作者 董磊 刘广庆 +3 位作者 孙延东 龚杰 刘孟寅 李德军 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第1期29-32,共4页
利用超高真空离子束辅助沉积(IBAD)系统,在225℃条件下,制备一系列TiB2/Si3N4纳米多层膜,通过X射线衍射(XRD)仪、表面轮廓仪、原子力显微镜(AFM)和纳米力学测试系统分析该体系合成中调制比对多层膜结构和机械性能的影响.结果表明:一定... 利用超高真空离子束辅助沉积(IBAD)系统,在225℃条件下,制备一系列TiB2/Si3N4纳米多层膜,通过X射线衍射(XRD)仪、表面轮廓仪、原子力显微镜(AFM)和纳米力学测试系统分析该体系合成中调制比对多层膜结构和机械性能的影响.结果表明:一定条件下制备的多层膜其纳米硬度值高于两种个体材料混合相的硬度值;当调制比为15∶1,调制周期为(13±1)nm时,结晶出现多元化,多层膜体系的硬度、应力、弹性模量和膜基结合性能均达到最佳.多层膜机械性能的明显改善与其多层结构和多晶结构存在直接联系.实验证明通过选择合适的个体层材料、厚度以及调制比等条件,制备具有高硬度、低应力和良好膜基结合力的纳米多层膜是可以实现的. 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 TiB2/si3N4纳米多层膜 调制比 硬度
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煅烧温度对TiO_2/Si光电效应的影响 被引量:2
7
作者 陈顺玉 李旦振 +1 位作者 付贤智 刘平 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第6期115-117,共3页
采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0~ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 ... 采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0~ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 .经 40 0℃煅烧得到的复合材料的光电压最强 ,相对于单晶硅约提高了 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 TiO2/si 煅烧温度 光电效应 半导体材料 二氧化钛 光电压
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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 被引量:2
8
作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共4页
驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多
关键词 驻极体 微型发电机 siO2/si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
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多层模型计算椭偏法测量的SiO_2/Si超薄膜厚度 被引量:2
9
作者 范江玮 王锋 +1 位作者 孙钦蕾 韩小刚 《测试技术学报》 2012年第5期388-392,共5页
采用不同的光学模型对厚度为6 nm,密度为2.2 g/cm3的理想SiO2薄膜理论曲线进行了拟合,得到了薄膜厚度的计算结果随所采取的薄膜密度变化的规律:选用更大的薄膜密度值进行拟合计算会得到更小的厚度结果,其趋势近似线性.参考GIXRR方法测... 采用不同的光学模型对厚度为6 nm,密度为2.2 g/cm3的理想SiO2薄膜理论曲线进行了拟合,得到了薄膜厚度的计算结果随所采取的薄膜密度变化的规律:选用更大的薄膜密度值进行拟合计算会得到更小的厚度结果,其趋势近似线性.参考GIXRR方法测量得到的薄膜物理结构的结果,给出了优化的拟合计算模型(薄膜密度为2.4 g/cm3、表面粗糙度为0.4 nm、界面粗糙度为0.3 nm),对于热氧化法制备的厚度小于10 nm的SiO2超薄膜,使用此模型进行拟合计算,可以得到比常规模型更为准确的厚度结果.采用优化的模型拟合了期望厚度为2,4,6,8,10 nm的SiO2超薄膜的SE实验曲线,得到的厚度结果分别为2.61,4.07,6.02,7.41,9.43 nm,与传统模型计算结果相比,分别降低了13.8%,10.3%,8.1%,7.3%和6.6%. 展开更多
关键词 siO2/si超薄膜 多层模型 椭偏法 X射线全反射 热氧比法
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无压烧结Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4复合陶瓷的组织结构与性能 被引量:1
10
作者 段小明 杨治华 +1 位作者 贾德昌 徐东 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期475-478,共4页
以Ca3(PO4)2和Si3N4为原料,采用无压烧结的方法制备Ca3(PO4)2/Si3N4系列复合陶瓷。复合材料中Ca3(PO4)2能与Si3N4稳定共存,烧结后未发现有新相生成。随着烧结温度的提高,复合材料的致密度和β-Si3N4的相对含量也随之升高,柱状β-Si3N4... 以Ca3(PO4)2和Si3N4为原料,采用无压烧结的方法制备Ca3(PO4)2/Si3N4系列复合陶瓷。复合材料中Ca3(PO4)2能与Si3N4稳定共存,烧结后未发现有新相生成。随着烧结温度的提高,复合材料的致密度和β-Si3N4的相对含量也随之升高,柱状β-Si3N4晶粒的生长更加充分,晶粒相互搭接、交织。复合陶瓷的力学性能随着烧结温度的提高而升高,1700℃无压烧结复合材料的抗弯强度达到547MPa,断裂韧性达到7.3MPa.m1/2,从断口照片中可以观察到β-Si3N4晶粒的拔出和桥联作用。通过加热试样并在水中骤冷后测弯曲强度的方法,表明Ca3(PO4)2/Si3N4复合材料具有良好的抗热震性能。 展开更多
关键词 Ca3(PO4)2/si3N4 无压烧结 力学性能 抗热震性能
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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 被引量:1
11
作者 范隆 郝跃 余学峰 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期433-436,共4页
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显. 展开更多
关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 si/siO2 si/siO2/si3N4
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金属钼表面MoSi_2/Si_3N_4涂层的氧化性能研究 被引量:9
12
作者 古思勇 张厚安 谢能平 《厦门理工学院学报》 2011年第2期18-21,共4页
在金属钼表面分别制备了MoSi2涂层和MoSi2/Si3N4涂层,利用SEM和XRD分析研究了涂层的微观结构和物相组成,并比较了涂层在1 450℃大气环境下的抗氧化性能.结果表明:两种涂层与基体结合好且均匀致密;MoSi2涂层钼氧化16 h后出现贯穿裂纹,破... 在金属钼表面分别制备了MoSi2涂层和MoSi2/Si3N4涂层,利用SEM和XRD分析研究了涂层的微观结构和物相组成,并比较了涂层在1 450℃大气环境下的抗氧化性能.结果表明:两种涂层与基体结合好且均匀致密;MoSi2涂层钼氧化16 h后出现贯穿裂纹,破坏了SiO2保护膜的连续性,导致涂层失效;Si3N4相的引入可明显改善MoSi2基涂层钼的高温抗氧化性,其抗氧化时间达76 h. 展开更多
关键词 Mosi2/si3N4涂层 金属钼 高温氧化性能
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原位反应制备WSi_2/Si_3N_4复合材料的研究 被引量:1
13
作者 沈建兴 孟宪娴 +1 位作者 刘迎凯 毕方智 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期615-619,共5页
研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使... 研究了Si3N4/WSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺过程及其显微结构。用XRD、SEM、EDX以及气孔测试仪,对每一制备过程步骤中发生的显微结构变化进行了分析。结果表明预烧过程原位生成了WSi2,氮化反应使Si相几乎全部转化为Si3N4和WSi2,热压使α-Si3N4转化为β-Si3N4,相组成为β-Si3N4、WSi2以及少量的W5Si3。机械强度随温度上升而增加,1200℃强度达988.3MPa。 展开更多
关键词 热压烧结 Wsi2/si3N4 复合材料
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MoS_2/Si异质结的接触和伏安特性的研究(英文) 被引量:5
14
作者 顾伟霞 马锡英 《苏州科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2015年第2期41-46,共6页
单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的... 单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的影响。研究表明:MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高,内建电势VD逐渐增大,而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外,发现p-Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度,均随着p-Si的受主掺杂浓度的增大而减小,但与n-MoS2的掺杂浓度关系不大。 展开更多
关键词 MoS2/si异质结 接触特性 伏安特性
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重离子辐照SiO_2/Si结构变温光致发光谱研究 被引量:1
15
作者 马瑶 龚敏 +3 位作者 刘鑫 胥鹏飞 林巍 冷宏强 《光散射学报》 北大核心 2016年第4期369-373,共5页
本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。... 本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80K时出现了一个新的光致发光峰。 展开更多
关键词 重离子 siO2/si结构 变温光致发光
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p型扩散区(SiO_2/Si系扩Ga)的俄歇分析 被引量:1
16
作者 孙瑛 王凤英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1088-1092,共5页
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 .
关键词 siO2/si系扩Ga siO2 镓扩散 重金属杂质 俄歇分析
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MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)
17
作者 孙国胜 王雷 +4 位作者 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期982-985,976,共5页
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。 展开更多
关键词 3C—siC LPCVD生长 si台面 siO2/si
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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
18
作者 王新昌 叶志镇 +1 位作者 曹亮亮 赵炳辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-137,145,共5页
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原... 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。 展开更多
关键词 LiTaO3薄膜 siO2/si衬底 C轴取向 脉冲激光沉积
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Ti/ZrN_2/Si薄膜界面扩散反应的研究
19
作者 王莉 殷木省 朱永法 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第7期641-646,共6页
利用直流磁控反应溅射法在Si基底上制备了Ti/ZrN_2/Si多层薄膜,利用俄歇深度剖析和线形分析研究了真空热处理前后膜层间的界面状态及相互作用.研究结果表明,Ti膜和ZrN2膜均在沉积过程中发生了界面扩散作用,真空热处理可以显著地增强Ti/Z... 利用直流磁控反应溅射法在Si基底上制备了Ti/ZrN_2/Si多层薄膜,利用俄歇深度剖析和线形分析研究了真空热处理前后膜层间的界面状态及相互作用.研究结果表明,Ti膜和ZrN2膜均在沉积过程中发生了界面扩散作用,真空热处理可以显著地增强Ti/ZrN2/Si膜层间的界面扩散和化学反应,并分别在界面层生成了TiNx和SiNx等物种. 展开更多
关键词 Ti/ZrN2/si薄膜 界面扩散反应 俄歇电子能诺 氮化锆薄膜 化学沉积
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涂层对3D SiO_2/Si_3N_4复合材料力学性能的影响
20
作者 管艳丽 张大海 +1 位作者 范锦鹏 陈莉 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期45-48,共4页
采用有机先驱体真空浸渍裂解法制备了三向石英纤维编织体/涂层/氮化硅复合材料。采用SEM、电子拉伸试验等测试手段研究了涂层对3DSiO2/Si3N4复合材料力学性能的影响。结果表明:保护涂层可明显改善纤维与氮化硅的界面结合性能,使复合材... 采用有机先驱体真空浸渍裂解法制备了三向石英纤维编织体/涂层/氮化硅复合材料。采用SEM、电子拉伸试验等测试手段研究了涂层对3DSiO2/Si3N4复合材料力学性能的影响。结果表明:保护涂层可明显改善纤维与氮化硅的界面结合性能,使复合材料的拉伸强度、断裂韧性得到显著提高,拉伸强度从无保护涂层的5.1MPa提高到有涂层的120MPa;裂纹扩展和断口分析表明,复合材料的强韧化机理为纤维的拔出、脱粘和诱导裂纹偏转。 展开更多
关键词 涂层 3DsiO2/si3N4复合材料 界面结合性能 力学性能
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