期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
通过从头算非绝热分子动力学研究1T-VSe_(2)中的光激发诱导自旋动力学 被引量:1
1
作者 陈林杰 郑镇法 +2 位作者 郑奇靖 李群祥 赵瑾 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期1253-1259,共7页
利用光激发来操控二维材料中的磁矩是实现光自旋电子学器件的基础.本工作中,我们利用从头算非绝热分子动力学模拟,研究了光激发如何改变二维铁磁金属VSe_(2)中的磁矩.我们发现自旋-轨道耦合作用和声子激发导致了自旋向上和自旋向下电子... 利用光激发来操控二维材料中的磁矩是实现光自旋电子学器件的基础.本工作中,我们利用从头算非绝热分子动力学模拟,研究了光激发如何改变二维铁磁金属VSe_(2)中的磁矩.我们发现自旋-轨道耦合作用和声子激发导致了自旋向上和自旋向下电子态发生混合,并在费米能级以上1.0 eV附近形成了一个自旋混合区.当自旋向上或向下的电子在弛豫过程中经过这个混合区时,它们会丢失原有的自旋方向.当电子从费米面以上2.0 eV左右向下弛豫时,自旋向下的电子发生带内弛豫,而自旋向上的电子发生带间弛豫.因此,自旋向下电子的弛豫速度比自旋向上电子高出约一个数量级.这种自旋向上和自旋向下电子的动态行为差异导致了VSe_(2)的磁矩在光激发后10 fs内先增大,这对应了自旋向下电子失去了原始的自旋方向;随后,磁矩在100 fs内减小,这对应了自旋向上电子失去了原始自旋的方向;最后,系统的总磁矩在皮秒的时间尺度内逐渐恢复到光激发前的水平.这项工作为我们了解光激发如何操控二维材料的磁性提供了理论依据. 展开更多
关键词 从头算 弛豫过程 费米面 费米能级 电子态 自旋动力学 二维材料 非绝热
原文传递
Pseudogap,Fermi arc,and Peierls-insulating phase induced by 3D-2D crossover in monolayer VSe2 被引量:3
2
作者 Yuki Umemoto Katsuaki Sugawara +2 位作者 Yuki Nakata Takashi Takahashi Takafumi Sato 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期165-169,共5页
One of important challenges in condensed-matter physics is to realize new quantum states of matter by manipulating the dimensionality of materials,as represented by the discovery of high-temperature superconductivity ... One of important challenges in condensed-matter physics is to realize new quantum states of matter by manipulating the dimensionality of materials,as represented by the discovery of high-temperature superconductivity in atomic-layer pnictides and room-temperature quantum Hall effect in graphene.Tran sition-metal dichalcogenides(TMDs)provide a fertile platform for exploring novel quantum phenomena accompanied by the dimensionality change,since they exhibit a variety of electronic/magnetic states owing to quantum confinement.Here we report an anomalous metal-i nsulator transition in duced by three-dimensional(3D)-two-dimensional(2D)crossover in mono layer 1T-VSe2 grown on bilayer graphene.We observed a complete insulating state with a finite energy gap on the entire Fermi surface in monolayer 1T-VSe2 at low temperatures,in sharp contrast to metallic nature of bulk.More surprisingly,monolayer 1T-VSe2 exhibits a pseudogap with Fermi arc at temperatures above the charge-density-wave temperature,showing a close resemblanee to high-temperature cuprates.This similarity suggests a common underlying physics between two apparently different systems,pointing to the importance of charge/spin fluctuations to create the novel electronic states,such as pseudogap and Fermi arc,in these materials. 展开更多
关键词 TRANSITION-METAL dichalchogenides 1t-vse2 charge density wave electronic states PSEUDOGAP FERMI arc
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部