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FDSOI背栅光电晶体管的总电离剂量效应简约模型
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作者 王一明 王一娇 +1 位作者 吴佳瑶 邹涛 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第7期22-27,共6页
提出一种受总电离剂量效应影响的全耗尽型绝缘体上硅背栅光电晶体管的简约模型,该模型综合考虑了器件中埋氧层内固定电荷的产生以及埋氧层下表面界面态的形成。通过该模型可建立辐照总剂量与光电晶体管阈值电压漂移之间的对应关系。将... 提出一种受总电离剂量效应影响的全耗尽型绝缘体上硅背栅光电晶体管的简约模型,该模型综合考虑了器件中埋氧层内固定电荷的产生以及埋氧层下表面界面态的形成。通过该模型可建立辐照总剂量与光电晶体管阈值电压漂移之间的对应关系。将本模型结果作为阈值电压修正参数嵌入到HSPICE仿真模型BSIM IMG中后,通过使用FDSOI背栅光电晶体管阵列代替人工神经网络图像输入层,系统研究了总电离剂量效应对器件阵列做向量矩阵乘法运算性能的影响。实验结果表明,当累积电离剂量达到600krad(Si)时,LeNet3神经网络处理MNIST数据集的识别准确率下降至85%左右。 展开更多
关键词 简约模型 总电离剂量效应 FDSOI 背栅光电晶体管 传感器内计算
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