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用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数 被引量：3
1
作者 张有涛 夏冠群 +3 位作者 高建峰 李拂晓 铁宏安 杨乃彬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期869-873,共5页
提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不... 提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制 .在 0 .1～ 1 0 GHz范围内实现了精确、快速地提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 ,并可合理外推至 2 0 GHz,整个过程无需人工干预 .算法用 Matlab语言实现 ,可方便地应用于 HBT和HEMT以及无源元件电容。 展开更多
关键词 参数提取 遗传算法 模型 MESFET EEACC 2560B 0260 1350f
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发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响 被引量：1
2
作者 石瑞英 孙海锋 +2 位作者 袁志鹏 罗明雄 汪宁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期831-835,共5页
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。
关键词 发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性 高频特性 EEACC 1350f 2560B 2560J 2560Z
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