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化学气相沉积法制备InSe纳米片及其近红外光探测性能 被引量:3
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作者 黄文娟 候华毅 +1 位作者 陈相柏 翟天佑 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期682-689,共8页
采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维In Se纳米片,研究了生长温度对二维In Se纳米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影响.构筑了基于二维In Se纳米片的光探测器并研究了其光探测性能,结果表明,在808 nm的近红外光辐照下,其光响应度为1. ... 采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维In Se纳米片,研究了生长温度对二维In Se纳米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影响.构筑了基于二维In Se纳米片的光探测器并研究了其光探测性能,结果表明,在808 nm的近红外光辐照下,其光响应度为1. 5 A/W,外量子效率为230%,可探测度为3. 1×108Jones(1 Jones=1 cm·Hz1/2·W-1),上升和衰减时间分别为0. 5和0. 8 s. 展开更多
关键词 二维材料 硒化铟 化学气相沉积 红外探测器
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AlAs/InSe范德华异质结构的光学和可调谐电子特性 被引量:1
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作者 郭瑞 魏星 +7 位作者 曹末云 张研 杨云 樊继斌 刘剑 田野 赵泽坤 段理 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期526-534,共9页
由不同二维(2D)材料相互堆叠形成异质结构已成为目前的研究热点,使用第一性原理的计算方法探究了AlAs/In Se异质结构的几何结构、电子性能和光学性质.结果表明,AlAs/InSe异质结构具有典型的Type-Ⅱ型能带排列并且拥有着1.28eV的间接带隙... 由不同二维(2D)材料相互堆叠形成异质结构已成为目前的研究热点,使用第一性原理的计算方法探究了AlAs/In Se异质结构的几何结构、电子性能和光学性质.结果表明,AlAs/InSe异质结构具有典型的Type-Ⅱ型能带排列并且拥有着1.28eV的间接带隙.通过调节层间距或施加外部电场和应变,可以有效地改变异质结构的带隙值.有趣的是,当应用5 V/nm的电场时,异质结构实现了从Type-Ⅱ向Type-Ⅰ的转变.此外,与孤立单层相比,AlAs/InSe异质结构的吸光度明显提高,特别是在紫外区域.表明新型的二维AlAs/In Se异质结可以作为光电材料和紫外探测器件的有力候选者. 展开更多
关键词 AlAs/inse异质结 第一性原理计算 Type-Ⅱ型能带排列 电场 应变
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非金属原子边缘修饰InSe纳米带的磁电子学特性及应变调控 被引量:2
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作者 李野华 范志强 张振华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第19期287-296,共10页
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Se边用H饱和、In边用各种非金属元素X(X=H,B,N,P,F和Cl)端接的锯齿型In Se纳米带(H-ZN(7)-X)的几何结构、磁电子特性及应变效应.计算的形成能和Forcite退火模拟表明H-ZN(7)-X具有稳定... 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Se边用H饱和、In边用各种非金属元素X(X=H,B,N,P,F和Cl)端接的锯齿型In Se纳米带(H-ZN(7)-X)的几何结构、磁电子特性及应变效应.计算的形成能和Forcite退火模拟表明H-ZN(7)-X具有稳定的几何结构.F和Cl端接时,纳米带具有和H端接时类似的磁金属性质.N端接时,纳米带磁性最强.但B和P端接使得纳米带边缘的磁性完全消失.特别是,我们发现外加的机械应变可以增强H-ZN(7)-N磁稳定性,并且有效地调节费米能级处的自旋极化率(SP),能在0-92%之间变化,这意味着可设计机械开关来控制低偏压下的自旋输运.应变调制机制与应变诱导的键长变化导致不成对的电子的重新分布或消失有关.N-ZN(7)-N的磁性主要来源于In,Se及N原子的p轨道,这对于研发非过渡金属磁性材料有重要意义. 展开更多
关键词 insE 纳米带 非金属原子 磁电子学特性 应变效应
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电场对graphene/InSe范德瓦耳斯异质结肖特基势垒的调控 被引量:6
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作者 张芳 贾利群 +3 位作者 孙现亭 戴宪起 黄奇祥 李伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第15期229-236,共8页
半导体与金属接触是制作纳电子和光电子器件时非常重要的问题,接触类型对器件的功能实现和性能影响很大.为了制备高性能多功能化器件,就必须对界面处的势垒高度和接触类型进行调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了外电场作... 半导体与金属接触是制作纳电子和光电子器件时非常重要的问题,接触类型对器件的功能实现和性能影响很大.为了制备高性能多功能化器件,就必须对界面处的势垒高度和接触类型进行调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了外电场作用下graphene/InSe范德瓦耳斯异质结的电子结构.计算结果表明异质结中的graphene和InSe保留了各自的本征电子性质,在界面处形成了欧姆接触.外电场可以有效调控graphene/InSe异质结中的肖特基势垒,不但可以调控肖特基势垒的高度,而且可以调控界面接触类型.外电场还可以有效调控graphene和InSe界面电荷转移的数量和方向. 展开更多
关键词 肖特基势垒 电场 graphene/inse 范德瓦耳斯异质结
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Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展 被引量:1
5
作者 何峰 白旭东 +6 位作者 陆欣昱 郑树颍 李荣斌 刘学超 魏天然 史迅 金敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1722-1731,共10页
Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用。本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量... Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用。本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响。迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体。为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较。研究分析表明:垂直布里奇曼法因对设备要求简单,操作简易,现已成为制备高质量大尺寸InSe晶体的主流技术,水平梯度凝固法则在ε型InSe晶体生长方面颇具特色,未来可在新材料性能研究与应用探索上与垂直布里奇曼法形成一定补充。 展开更多
关键词 insE 半导体 晶体生长 垂直布里奇曼法
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新型二维GeC/InSe异质结光催化全解水性能的第一性原理研究 被引量:1
6
作者 王凯齐 潘锐 +2 位作者 贺勇 张敏 史俊杰 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第6期584-592,共9页
基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维GeC/InSe异质结的电子、光学性质和光催化特性。结果表明,二维GeC/InSe异质结的晶格失配率为0.98%,形成能为-0.135eV/atom,证明异质结的结构稳定。其次,异质结是带隙值为1.82eV的间接带隙半导... 基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维GeC/InSe异质结的电子、光学性质和光催化特性。结果表明,二维GeC/InSe异质结的晶格失配率为0.98%,形成能为-0.135eV/atom,证明异质结的结构稳定。其次,异质结是带隙值为1.82eV的间接带隙半导体材料,表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为1.65eV和0.90eV,能够有效降低电子和空穴的复合率,提高GeC/InSe异质结的光催化性能。同时,异质结在可见光范围内有良好的光学响应,光吸收系数达到10^(5)cm^(-1),极大提高太阳能利用率,有利于光水解反应进行。因此,二维GeC/InSe异质结是一种有前景的可见光光催化材料。 展开更多
关键词 二维GeC/inse异质结 电子结构 光催化性能 第一性原理计算
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非化学计量溶液区熔法生长大尺寸InSe晶体及表征
7
作者 金敏 马玉鹏 +4 位作者 魏天然 林思琪 白旭东 史迅 刘学超 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期554-560,共7页
硒化铟(InSe)是一种具有奇异物理性能的III-VI族半导体材料,在光伏、光学、热电等领域有着广泛的应用潜力。由于InSe的非一致熔融特性及InSe、In6Se7和In4Se3之间复杂的包晶反应,制备大尺寸InSe晶体十分困难。本研究采用区熔法制备了InS... 硒化铟(InSe)是一种具有奇异物理性能的III-VI族半导体材料,在光伏、光学、热电等领域有着广泛的应用潜力。由于InSe的非一致熔融特性及InSe、In6Se7和In4Se3之间复杂的包晶反应,制备大尺寸InSe晶体十分困难。本研究采用区熔法制备了InSe晶体,该方法具有成本低、固液界面优化等优点。基于In-Se体系的包晶反应,发现In与Se的初始物质的量比对InSe晶体生长非常重要,本工作使用精确非化学计量的In0.52Se0.48溶液生长晶体,使InSe晶体的获得率达到83%左右。实验最终获得了ϕ27 mm×130 mm的晶棒,并成功剥离出尺寸ϕ27 mm×50 mm的片状InSe单晶,XRD图谱中检测到(00l)衍射峰,说明晶体的质量良好。InSe晶体呈现六方结构,各元素在基体中均匀分布,在1800 nm波长下的透射率为~55.1%,带隙能量为~1.22 eV。在800 K下,InSe晶体沿(001)方向的最大电导率σ约为1.55×10^(2)S·m^(-1),垂直于(001)方向的最低热导率κ约为0.48 W·m^(-1)·K^(-1)。上述结果表明,区熔法是制备大尺寸InSe晶体的一种有效方法,可用于制备多类材料。该工作制备的InSe的电学和热学行为也为今后InSe晶体的应用提供了重要参考。 展开更多
关键词 inse晶体 区熔法 非化学计量 电导率 热导率
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新型二维ZnO/InSe纳米复合材料电子结构与光催化性能的第一性原理研究
8
作者 潘锐 张敏 +1 位作者 贺勇 史俊杰 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第5期487-493,共7页
基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维ZnO/InSe异质结的电子结构和光催化性能。计算结果表明,二维ZnO/InSe异质结的晶格失配率为3.3%,形成能为-2.43eV,表明异质结的结构稳定。异质结表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为0.5... 基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维ZnO/InSe异质结的电子结构和光催化性能。计算结果表明,二维ZnO/InSe异质结的晶格失配率为3.3%,形成能为-2.43eV,表明异质结的结构稳定。异质结表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为0.51和1.34eV,能够有效降低电子和空穴的复合率,提高ZnO/InSe异质结的光催化性能。二维ZnO/InSe异质结是带隙值为2.23eV的直接带隙半导体材料,对应有良好的可见光吸收范围,且光吸收系数高达105 cm-1,能够进一步提升光吸收效率。此外,异质结的带边位置分别跨过水的氧化还原电位,可用于光解水制备氢气。因此,二维ZnO/InSe异质结是一种有前景的可见光光催化材料。 展开更多
关键词 二维ZnO/inse异质结 电子结构 光催化性能 第一性原理计算
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Scaling law of hydrogen evolution reaction for InSe monolayer with 3d transition metals doping and strain engineering 被引量:1
9
作者 Chao Wang Yanyu Liu +2 位作者 Jian Yuan Ping Wu Wei Zhou 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第2期107-114,共8页
Recently, two dimensional In Se attracts great attentions as potential hydrogen production photocatalysts.Here, comprehensive investigations on the hydrogen evolution reaction activity of In Se monolayer with3 d trans... Recently, two dimensional In Se attracts great attentions as potential hydrogen production photocatalysts.Here, comprehensive investigations on the hydrogen evolution reaction activity of In Se monolayer with3 d transition metal doping and biaxial strain were performed based on the density functional theory.Transition metal dopants significantly increase the bonding strength between H and Se, and then adjust the hydrogen adsorption free energy to 0.02 e V by Zn doping. The enhanced hydrogen evolution reaction activity results from less electron occupying H 1 s-Se 4 pzanti-bonding states, which is well correlated with the pzband center level. Importantly, the universal scalling law was proposed to descript the evolution of hydrogen adsorption free energy including both doping and strain effects. Moreover, with appropriate band alignment, optical absorption, and carriers separation ability, Zn doped In Se monolayer is considered as a promising candidate of visible-light photocatalyst for hydrogen production. 展开更多
关键词 insE MONOLAYER VISIBLE light PHOTOCATALYST Strain engineering 3d transition metals DOPING Hydrogen evolution reaction
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激光照射对InSe结构及光电性质的作用研究 被引量:1
10
作者 刘丽银 杨慕紫 +2 位作者 龚力 傅其山 陈建 《材料研究与应用》 CAS 2021年第5期448-453,I0002,共7页
InSe具有高载流子迁移率,在光电探测和场效应器件应用上具有非常好的前景。但InSe易于氧化,特别是在一定光和热激发下会氧化成In_(2)O_(3)。在InSe的研究中,拉曼光谱、荧光光谱等手段均需采用激光进行激发,目前激光照射测试过程对测试... InSe具有高载流子迁移率,在光电探测和场效应器件应用上具有非常好的前景。但InSe易于氧化,特别是在一定光和热激发下会氧化成In_(2)O_(3)。在InSe的研究中,拉曼光谱、荧光光谱等手段均需采用激光进行激发,目前激光照射测试过程对测试结果的影响并不清楚。通过采用拉曼光谱、原子力显微镜和开尔文探针显微镜,详细研究了激光照射过程对InSe拉曼光谱测试、表面形貌和表面电势的影响。结果表明:在激光功率为0.20 mW、曝光时间10 s的条件下,激光照射对材料基本没有影响;随着激光照射功率增强,激光诱导表面氧化而产生结构形变,拉曼光谱峰强下降,表面电势升高;随着高激光功率照射时间增长,表面的氧化程度迅速增加,但拉曼强度呈现先下降后增长再下降的变化,其原因来自于氧化层形态的变化。光谱测试对InSe材料产生不可忽略的影响,在材料分析中需要给予重视。 展开更多
关键词 二维材料 insE In_(2)O_(3) 激光 光电性质
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Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响
11
作者 苗瑞霞 谢妙春 +4 位作者 程开 李田甜 杨小峰 王业飞 张德栋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期83-92,共10页
In Se作为一种典型的二维层状半导体材料,具有优异的电学性能以及适中可调的带隙,在光电器件中表现出诱人的应用前景.然而有研究表明,单硒空位(Vse)体系的In Se易受O_(2)分子影响,造成In Se材料降解,严重影响其在电子器件领域的应用.本... In Se作为一种典型的二维层状半导体材料,具有优异的电学性能以及适中可调的带隙,在光电器件中表现出诱人的应用前景.然而有研究表明,单硒空位(Vse)体系的In Se易受O_(2)分子影响,造成In Se材料降解,严重影响其在电子器件领域的应用.本文基于In Se降解机理,提出了碲(Te)替位掺杂的方法,用于提升该材料的环境稳定性.利用密度泛函理论对不同体系电子结构、吸附能、能量反应路径等进行分析,发现Te掺杂不仅显著改善缺陷引起的In Se降解问题,同时可消除Vse产生的缺陷态,起到缺陷补偿作用.具体研究结果如下:1)O_(2)分子在Te掺杂In Se表面(In Se-Te)的解离能垒高达2.67 e V,说明其具有较强的抗氧化能力;2)O_(2)分子在In Se-Te表面保持3.87A的距离,吸附能仅有-0.03 e V,表明O_(2)分子物理吸附在其单层表面;3)Te掺杂不仅提升材料抗氧化能力,同时还消除了Vse产生的缺陷态.该研究结果将有助于进一步提升In Se二维材料器件的环境稳定性,推动In Se二维器件研究和发展. 展开更多
关键词 insE 抗氧化性 掺杂 电子结构
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单空位缺陷对二维δ-InSe稳定性的影响
12
作者 苗瑞霞 王业飞 +1 位作者 谢妙春 张德栋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期127-135,共9页
二维InSe半导体材料由于其优异的电学性能以及适中可调的带隙等优点,引起了研究者的关注.材料中的空位缺陷不仅影响材料的光电学特性,还影响材料的环境稳定性.相比于InSe材料中的其他相,δ-InSe具有更优异的材料性能,然而关于对该材料... 二维InSe半导体材料由于其优异的电学性能以及适中可调的带隙等优点,引起了研究者的关注.材料中的空位缺陷不仅影响材料的光电学特性,还影响材料的环境稳定性.相比于InSe材料中的其他相,δ-InSe具有更优异的材料性能,然而关于对该材料环境稳定性影响的研究未见报道.本文基于密度泛函理论,系统研究了O_(2)环境下二维δ-InSe材料的稳定性问题.结果表明:1)在O_(2)环境下,完美δ-InSe表面具有良好的惰性和稳定性,O_(2)分子在其表面从物理吸附到解离吸附需要克服1.827 eV的势垒;2)Se空位(V_(Se))的存在则会促进δ-InSe的氧化反应,被氧化的过程仅需克服0.044 eV的势垒,说明V_(Se)的存在使δ-InSe在O_(2)环境下的稳定性显著下降,此外被O_(2)分子氧化的δ-InSe单层有利于H_(2)O分子的解离吸附;3)含有In空位(V_(In))的δ-InSe被氧化的速率较慢,O_(2)分子在V_(In)表面的物理吸附的吸附能和电荷转移与完美表面基本一致,被氧化的过程需克服1.234 eV的势垒.这一研究结果将为更好地理解单空位缺陷对δ-InSe单层的氧化行为提供理论指导,同时为高可靠二维δ-InSe器件的实验制备提供参考. 展开更多
关键词 δ-inse O_(2) 单空位缺陷 稳定性
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Influence of y-Irradiation on the Optical Properties of Pure or Impure Zn, Cd and Ge-Doped Layered InSe Crystals
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作者 Yuriy Zhirko Nikolay Skubenko +2 位作者 Volodymyr Dubinko Zakhar Kovalyuk Oleg Sydor 《材料科学与工程(中英文A版)》 2013年第3期162-174,共13页
关键词 晶体掺杂 照射 光学性质 光致发光光谱 杂质浓度 层状
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Neonatal Mortality Associated with the Referral of Low Birth Weight Newborns to the Institute of Child Nutrition and Health (INSE)
14
作者 Diallo Ibrahima Sory Diallo Sory +5 位作者 Conté N’fanly Diawara Ibrahima Bah Elhadj Mamoudou Cissé Moussa Matthias Roth Kleiner Sy Telly 《Open Journal of Pediatrics》 2019年第4期287-295,共9页
The objective of this study was to identify risk factors and study the causes of neonatal mortality of LBW newborns referred to the Institute of Nutrition and Child Health. Material and Methods: This is a prospective ... The objective of this study was to identify risk factors and study the causes of neonatal mortality of LBW newborns referred to the Institute of Nutrition and Child Health. Material and Methods: This is a prospective descriptive and analytical study from March 1 to August 31, 2015, involving 250 newborns referred to the Neonatology Department of the Institute of Child Nutrition and Health (INSE). Results: During our study period, we recorded 1169 newborns, 250 of whom were referred, representing a referral frequency of 21.38%. The overall mortality rate for transferring newborns was 46.8%. Risk factors associated with neonatal mortality were gravidity (p = 0.0019), parity (p = 0.0323), occupational activities requiring physical effort (p = 0.0257), birth weight (p = 0.0008) and prematurity (p = 0.0039). Conclusion: Neonatal mortality associated with referrals is a major health problem in developing countries. There is currently no doubt that it is possible to significantly reduce perinatal mortality and morbidity rates by organizing the identification of “mother-child” couples at risk, to refer them intently to centres better equipped with technical and human resources to care for them. 展开更多
关键词 NEONATAL Mortality Reference Low BIRTH Weight insE
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Risk Factors for Neonatal Mortality at the Institute of Nutrition and Child Health of the Donka/Guinea-Conakry National Hospital
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作者 Bangoura Mmah Aminata Kolié Ouo Ouo +8 位作者 Camara Salématou Hassimiou Baldé Mariama Bangoura Kaba Diop Mamadou Moustapha Camara Emmanuel Diallo Fatoumata Binta Doukouré Mamadou Aliou Mamadou Mouctar Sow Bémy Pé Néabey 《Open Journal of Pediatrics》 2024年第2期327-337,共11页
Introduction: The birth of a baby is a moment of joy and celebration. However, the neonatal period is a very delicate phase of life. Neonatal mortality rates remain high in low-income countries. In Guinea, after 20 ye... Introduction: The birth of a baby is a moment of joy and celebration. However, the neonatal period is a very delicate phase of life. Neonatal mortality rates remain high in low-income countries. In Guinea, after 20 years, this rate has fallen from 34.2% in 1998 to 32% in 2018. Objective: To identify the main risk factors for neonatal mortality. Methods: This was an observational, analytical case-control study, lasting 6 months from January 1 to June 30, 2019, conducted at the Institut de Nutrition et de la Santé de l’Enfant (INSE) at Donka National Hospital. Results: We collected 242 cases and 242 controls, i.e. a total of 484 records. 748 patients were registered, with 32.35% deaths. 82.86% of deaths occurred in the early neonatal period. Statistical analysis revealed the main risk factors: prematurity (RQ 7.39 95% CI 3.27 - 16.61 p = 0.0000003), hypothermia (RQ 2.29 95% CI 1.51 - 3.46 p = 0.0001), acute fetal distress (RQ 2.13 95% CI 1.33 - 3.43 p = 0.0016), low birth weight (QR 1.91 95% CI 1.12 - 3.24 p = 0.016), home birth (QR 3.26 95% CI 1.25 - 8.46 p = 0.015). Conclusion: Neonatal mortality is a health problem in the INSE neonatology department. To reduce the mortality rate in this referral facility, it is essential to equip it and provide ongoing training for staff. 展开更多
关键词 Neonatal Mortality insE Guinea-Conakry
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外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算
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作者 刘赵一 周刚 +1 位作者 王智敏 赵维乐 《桂林电子科技大学学报》 2024年第3期304-309,共6页
由于具有大的塞贝克系数和电导率,单层InSe具有优异的热电性能。采用第一性原理计算方法系统地研究了外电场作用下单层InSe的结构、电子结构和电荷转移。研究结果表明,当电场强度在0~0.6 V/?时,费米能级附近的导带和价带对外电场的作用... 由于具有大的塞贝克系数和电导率,单层InSe具有优异的热电性能。采用第一性原理计算方法系统地研究了外电场作用下单层InSe的结构、电子结构和电荷转移。研究结果表明,当电场强度在0~0.6 V/?时,费米能级附近的导带和价带对外电场的作用不敏感,且带隙几乎不随外电场变化。主要是因为施加外电场后,上、下Se-In原子层周围的自由电子发生了转移,使得单层InSe对外电场有屏蔽作用;在屏蔽效应下,单层InSe的结构及其内部化学键受到外电场的影响较小,使得单层InSe的能带对外电场作用不敏感。本研究可为二维材料电子结构和物性的外电场调控机制提供一定的理论参考。 展开更多
关键词 insE 单层inse 外电场 电子结构 第一性原理
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