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基于CVD碳源和GSI工艺制备C/C-SiC复合材料过程C-Si反应机理研究
1
作者 龙宪海 赵子剑 刘益林 《湖南文理学院学报(自然科学版)》 2026年第1期44-48,共5页
为探究气相渗硅工艺(GSI)过程中Si蒸气原子与固态C晶体之间的C-Si反应机理,本文设计了C-Si反应实验。采用扫描电镜对样品进行显微形貌观察并结合原子层级透射电镜照片进行分析。结果表明, C-Si反应的过程分为2个阶段。初始阶段,气态Si... 为探究气相渗硅工艺(GSI)过程中Si蒸气原子与固态C晶体之间的C-Si反应机理,本文设计了C-Si反应实验。采用扫描电镜对样品进行显微形貌观察并结合原子层级透射电镜照片进行分析。结果表明, C-Si反应的过程分为2个阶段。初始阶段,气态Si原子撞击到固态碳的表面并被捕获,从而在碳表面迅速形成一层SiC层。第二阶段,碳原子和Si原子在空间上被生成的SiC层隔开,此后的Si碳原子反应(结合)和SiC层的生长均是由Si碳原子经过SiC层的扩散来完成。靠近CVD碳界面处的SiC晶粒相对较小,而远离CVD碳界面处的SiC晶粒逐渐增大。 展开更多
关键词 气相渗硅 cvd碳 C/C-SIC复合材料 C-SiC界面 反应机理
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纳秒激光复合离子束刻蚀技术的CVD金刚石抛光研究
2
作者 冯昱森 赵智炎 +3 位作者 于颜豪 徐颖 徐地华 李爱武 《激光杂志》 北大核心 2025年第1期214-221,共8页
高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光... 高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光复合离子束刻蚀技术抛光CVD金刚石,开展了多晶CVD金刚石激光抛光实验研究,针对激光功率和扫描速度两种激光参数研究其对CVD金刚石烧蚀深度和表面粗糙度的影响,在此基础上对激光抛光后的CVD金刚石进行离子束蚀刻抛光,研究了离子束抛光下的金刚石表面粗糙度变化,并对离子束抛光后的金刚石表面成分进行分析。通过所述方法实现了CVD金刚石样品表面粗糙度从6.687μm降到0.804μm的优异的抛光效果。此研究提供了一种旨在红外窗口、微型铣床和航天航空等领域具有应用价值的金刚石抛光方法。 展开更多
关键词 激光光学 纳秒激光抛光 离子束抛光 cvd金刚石 粗糙度
原文传递
VO_(2)对刀具CVD金刚石涂层热应力的调节作用研究
3
作者 徐洛 杜星祝 +2 位作者 吴超逸 金坚 卢文壮 《表面技术》 北大核心 2025年第12期145-151,共7页
目的通过降低热应力的方式,解决刀具CVD金刚石涂层在切削过程中易脱落的问题。方法使用热致相变材料VO_(2)作为硬质合金刀具与CVD金刚石涂层的中间层。建立M相VO_(2)(333)晶胞模型和VO_(2)/金刚石涂层体系模型,采用分子动力学模拟的方法... 目的通过降低热应力的方式,解决刀具CVD金刚石涂层在切削过程中易脱落的问题。方法使用热致相变材料VO_(2)作为硬质合金刀具与CVD金刚石涂层的中间层。建立M相VO_(2)(333)晶胞模型和VO_(2)/金刚石涂层体系模型,采用分子动力学模拟的方法,模拟VO_(2)的相变过程并计算升温过程中涂层体系的热应力变化情况。制备了VO_(2)/CVD金刚石涂层,使用X射线应力分析仪对升温过程中的涂层应力变化进行实时测量。结果建立的VO_(2)模型在330 K附近发生相变,体系能量突变,内部原子位置发生变化。仿真结果显示,VO_(2)/金刚石界面模型热应力在323.15~373.15 K发生突变,涂层应力降低约400 MPa;试验结果显示,涂层VO_(2)在323.15~328.15 K发生突变,热应力降低约300 MPa,VO_(2)的相变温度和应力调控的试验结果与仿真结果趋势一致。结论加入VO_(2)中间层可降低CVD金刚石涂层的热应力,对提高刀具CVD金刚石涂层抗剥落能力具有重要意义。 展开更多
关键词 cvd金刚石涂层 VO_(2) 热应力 热致相变材料 调节
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CVD金刚石膜应力的产生、抑制、应用及测量 被引量：1
4
作者 李成明 周闯 +5 位作者 刘鹏 郑礼平 赖泳机 陈良贤 刘金龙 魏俊俊 《无机材料学报》 北大核心 2025年第11期1188-1200,共13页
金刚石具有优异的性能,在光学、电子器件热管理及宽禁带半导体领域有着广阔的应用前景,被誉为终代半导体。作为光学窗口,需要大尺寸、厚度2 mm以上的CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)金刚石自支撑厚膜;在半导体散热中,则需... 金刚石具有优异的性能,在光学、电子器件热管理及宽禁带半导体领域有着广阔的应用前景,被誉为终代半导体。作为光学窗口,需要大尺寸、厚度2 mm以上的CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)金刚石自支撑厚膜;在半导体散热中,则需要4英寸(1英寸=2.54 cm)以上、100μm厚的金刚石自支撑膜与GaN等半导体材料进行键合。但由于技术限制,大面积CVD金刚石膜的合成及应用依旧存在较大困难。一方面,沉积过程中应力会导致金刚石膜发生破裂;另一方面,残余应力会导致金刚石膜发生翘曲,键合质量变差。因此,控制金刚石膜的应力成为目前金刚石膜规模化、大范围应用的一个关键问题。本文综述了CVD金刚石应力的分类、来源以及影响应力的各种因素,详细介绍了抑制金刚石膜应力的措施。同时,总结了通过人为施加应力来改善金刚石性能的研究,包括应力改变金刚石带隙、应力提高金刚石热导率等。最后,给出了评价金刚石应力大小的方法及理论计算公式,并分析了未来金刚石膜应力研究的趋势。 展开更多
关键词 cvd金刚石 膜应力 应力抑制 应力应用 应力测量 综述
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无色和粉色CVD合成钻石的颜色成因及光谱学特征
5
作者 赵星棋 卢琪 +1 位作者 顾玮铭 秦府鑫 《宝石和宝石学杂志(中英文)》 2025年第4期99-109,共11页
选取来自两家企业的无色及粉色CVD合成钻石样品及其种晶,采用偏光显微镜、DiamondView TM、红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱和多激发光源低温光致发光光谱等测试方法,系统研究了样品的颜色成因与光谱学特征。结果表明,所有样品... 选取来自两家企业的无色及粉色CVD合成钻石样品及其种晶,采用偏光显微镜、DiamondView TM、红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱和多激发光源低温光致发光光谱等测试方法,系统研究了样品的颜色成因与光谱学特征。结果表明,所有样品在正交偏光下普遍存在异常消光,表明其晶体存在应力差异;DiamondView TM显示粉色CVD合成钻石样品表现出由NV 0中心主导的橙红色荧光,无色样品则表现为以H3中心为主的绿色荧光;红外光谱测试结果可将样品划分为Ⅰb型,粉色样品均出现与辐照及退火处理相关的1450 cm^(-1)处(H1a中心)吸收峰,部分样品出现高温高压(HPHT)相关的1510 cm^(-1)处吸收峰;根据1332 cm^(-1)处的钻石拉曼本征峰处的半高宽(FWHM)显示,晶体质量从高到低依次为种晶>无色样品>粉色样品;紫外-可见光谱与光致发光光谱测试结果进一步揭示粉色CVD合成钻石样品中存在NV 0及SiV-等中心。研究表明,CVD合成钻石样品具有强异常消光和层状生长现象,粉色CVD钻石样品经过辐照和高温高压处理,其颜色主要源于NV 0中心的形成,并在DiamondView TM下呈橙红色荧光。研究测试结果可为CVD合成钻石的检测及颜色特征判定提供一些参考依据,对于提高合成钻石处理识别的准确性及理解其光谱特征的形成机制具有借鉴意义。 展开更多
关键词 cvd合成钻石 偏光特征 发光性 晶格缺陷 光谱学特征 颜色成因
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粉色CVD合成钻石的光致变色及光谱特征
6
作者 岳素伟 李坤 +1 位作者 高诗佳 金莉莉 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第11期3190-3197,共8页
无色合成钻石可经高温高压、辐照、低温退火多阶段处理形成NV色心而呈粉色,少量化学气相沉积法(CVD)合成钻石有NVH 0与SiV^(-)色心致粉色。不同机理致粉色合成钻石经短波紫外线(225 nm)照射后发生变色,选取粉色CVD合成钻石进行短波紫外... 无色合成钻石可经高温高压、辐照、低温退火多阶段处理形成NV色心而呈粉色,少量化学气相沉积法(CVD)合成钻石有NVH 0与SiV^(-)色心致粉色。不同机理致粉色合成钻石经短波紫外线(225 nm)照射后发生变色,选取粉色CVD合成钻石进行短波紫外线(225 nm)与钻石分级荧光灯(6500 K)照射实验,分析颜色变化、恢复时长及照射前后红外光谱(IR)、紫外-可见光谱(UV-Vis)、光致发光光谱(PL)特征,结果显示:样品在短波紫外线(225 nm)照射后,明度降低,整体变灰,颜色恢复需7~30 min;IR有极弱的N_(s)^(+)所致1332与950 cm^(-1)吸收峰/带,N_(s)^(0)所致1344与1130 cm^(-1)吸收峰/带,显示样品含氮量极低,可归为Ⅱa型,短波紫外线(225 nm)照射后,1344 cm^(-1)增强,1332 cm^(-1)减弱;UV-Vis显示样品为NV色心致粉色,短波紫外线(225 nm)照射后,637 nm(NV^(-))吸收强度变弱,NV^(0)与NV^(-)吸收强度与各自吸收边带中心位置的变化,是颜色发生变化的主要原因;PL可见强575与637 nm发光峰,NV^(0)峰强度为NV^(-)的2.5~6.5倍,多数样品见弱736.6与736.9 nm双峰(SiV^(-)),短波紫外线(225 nm)照射后NV^(0)、NV^(-)与SiV^(-)强度呈不同程度降低,NV^(-)与其发光边带最明显,指示NV^(0)、NV^(-)与SiV^(-)色心浓度呈不同程度降低,NV^(-)降低最为明显。综合分析认为,样品经短波紫外线(225 nm)照射,存在N^(+)+NV^(-)N^(0)+NV^(0)与N^(+)+SiV^(-)N^(0)+SiV^(0),以及N^(0)+NV^(0)N^(-)+NV^(+)或X^(+/0)+NV^(0)←→X^(0/-)+NV^(+),导致部分NV^(0)形成无光谱特征的NV^(+);NV^(0/-)色心的零声子线强度和吸收边带中心变化,导致样品颜色发生变化,白色光照可使其颜色恢复至初始状态。 展开更多
关键词 粉色cvd合成钻石 NV色心 光致变色 光谱特征
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维生素D缺乏促进CVD患者血管钙化的机制研究
7
作者 朱欣然 张爽 段亚君 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期112-118,126,共8页
为探究维生素D缺乏对血管钙化(vascular calcification,VC)的作用机制,文章对心血管疾病(cardiovascular disease,CVD)患者的血清学指标进行临床研究分析,发现血清维生素D、纤维母细胞生长因子23(fibroblast growth factor 23,FGF23)、K... 为探究维生素D缺乏对血管钙化(vascular calcification,VC)的作用机制,文章对心血管疾病(cardiovascular disease,CVD)患者的血清学指标进行临床研究分析,发现血清维生素D、纤维母细胞生长因子23(fibroblast growth factor 23,FGF23)、Klotho水平均与血管钙化相关;采用HASMC细胞构建钙化模型,在去除或回补维生素D的条件下,观察钙化相关分子在蛋白和mRNA水平的表达情况。结果表明,维生素D缺乏会引起循环系统、血管组织、肾脏组织中Klotho水平下降,导致FGF23-Klotho轴紊乱,从而产生FGF23抵抗,抑制FGF23对磷酸盐的代谢过程,导致体内磷酸盐代谢紊乱,加速血管钙化的发生发展。 展开更多
关键词 维生素D FGF23-Klotho轴 血管钙化(VC) 心血管疾病(cvd) FGF23抵抗
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Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
8
作者 赵昊 余博文 +6 位作者 李琪 李光清 刘医源 林娜 李阳 穆文祥 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期997-1004,共8页
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。 展开更多
关键词 宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜 雾化学气相沉积法 n型导电 本征缺陷
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CVD金刚石薄膜与涂层制备技术及关键领域应用研究进展
9
作者 吴勇 郭于洋 +3 位作者 孙清云 陈辉 杨甫 夏思瑶 《表面技术》 北大核心 2025年第16期18-38,共21页
金刚石因其优异的理化性质,在众多领域都有着广阔的应用前景,化学气相沉积则是金刚石薄膜与涂层常用的制备技术之一。详细阐述了CVD金刚石的生长机理,包括气体输送与活化、表面吸附与分解、成核与生长等过程。介绍了多种CVD金刚石制备技... 金刚石因其优异的理化性质,在众多领域都有着广阔的应用前景,化学气相沉积则是金刚石薄膜与涂层常用的制备技术之一。详细阐述了CVD金刚石的生长机理,包括气体输送与活化、表面吸附与分解、成核与生长等过程。介绍了多种CVD金刚石制备技术,如热丝化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积和直流等离子体增强化学气相沉积,并对其原理与特点进行了比较。在工艺调控方面,分析了气源体系选择、沉积参数调控等对金刚石膜质量和性能的影响。通过优化碳源气体种类、浓度、反应气氛以及沉积气压和温度等参数,可以显著提升金刚石膜的生长速率和质量,精准调控这些参数是实现高质量金刚石生长的关键。在应用方面,阐述并分析了金刚石薄膜在量子技术、光学、能源领域,以及金刚石涂层在机械加工、生物医学、航天领域的应用场景。尽管CVD金刚石技术已实现多领域突破应用,但其仍面临规模化生产、长期生物安全性验证及复杂工况性能优化等挑战。未来研究将聚焦多功能涂层开发、低成本制备、生物安全性验证及极端环境性能突破,进一步攻克大尺寸单晶生长、低温高质量沉积及智能化工艺控制等关键技术,以满足高端制造与科技发展需求。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 金刚石涂层 化学气相沉积 热丝化学气相沉积 微波等离子体化学气相沉积 cvd金刚石应用
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LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺中防颗粒污染技术
10
作者 樊坤 黄志海 +2 位作者 王理正 王志伟 苏子懿 《电子工艺技术》 2025年第2期52-55,共4页
二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构... 二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构主要包括微环境系统和温度控制系统,重点介绍了立式LPCVD设备工艺颗粒来源、微环境系统和温度控制系统结构组成,以及微环境系统和温度控制系统的应用效果。 展开更多
关键词 半导体 cvd 温度控制 微环境 颗粒污染 二氧化硅
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CVD法制备无硫膨胀石墨/碳纳米管复合材料及其导热性能研究
11
作者 王振廷 王传波 +1 位作者 尹吉勇 刘昊洋 《山东化工》 2025年第3期8-11,共4页
通过电化学法制备膨胀石墨,采用CVD法以硝酸铁为催化剂,乙炔为碳源在膨胀石墨层间原位生长碳纳米管,经过碳化石墨化提纯,二辊压延机辊压增密处理后制备出一种复合导热膜。并通过XRD、SEM、EDS对复合材料的组织结构进行表征分析,使用激... 通过电化学法制备膨胀石墨,采用CVD法以硝酸铁为催化剂,乙炔为碳源在膨胀石墨层间原位生长碳纳米管,经过碳化石墨化提纯,二辊压延机辊压增密处理后制备出一种复合导热膜。并通过XRD、SEM、EDS对复合材料的组织结构进行表征分析,使用激光导热仪对复合膜进行导热性能测试。研究结果表明,使用硝酸铁作为催化剂,乙炔为碳源成功在膨胀石墨间隙中生长出碳纳米管,管径为20 nm左右。随着通入碳源的减少,碳纳米管的产量也随之减少。制备的复合导热膜的导热性能相对于膨胀石墨膜大幅提高,导热系数提高到804.21 W/(m·K)。 展开更多
关键词 cvd法 膨胀石墨 碳纳米管 制备工艺
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沉积条件对CVD-SiC涂层组织形貌和抗氧化性能的影响
12
作者 柴宇新 《当代化工研究》 2025年第23期52-54,共3页
聚焦沉积条件对化学气相沉积碳化硅(Chemical Vapor Deposition-Silicon Carbide,CVD-SiC)涂层组织形貌及抗氧化性能的影响规律。采用化学气相沉积法在石墨基体表面制备碳化硅涂层,通过调控基体与进气嘴距离及沉积压力,结合微观结构分... 聚焦沉积条件对化学气相沉积碳化硅(Chemical Vapor Deposition-Silicon Carbide,CVD-SiC)涂层组织形貌及抗氧化性能的影响规律。采用化学气相沉积法在石墨基体表面制备碳化硅涂层,通过调控基体与进气嘴距离及沉积压力,结合微观结构分析与高温氧化测试开展研究。结果表明:基体位置可以影响气相环境从而改变碳化硅晶粒择优取向,基体与进气嘴中等间距时涂层呈现致密砂砾状形貌,距离过近涂层呈现疏松形貌且内部有小孔,距离过远涂层富碳内部有黑点;沉积压力升高会弱化晶粒择优生长并引入孔隙等缺陷,低压下涂层缺陷少晶粒更细更均匀。涂层抗氧化性能与微观缺陷密切相关,气孔、界面分界和分层会加速氧化失效。通过优化工艺参数(基体中等间距、低压的沉积工艺),可制备出组织致密、高温抗氧化性能优异的SiC涂层。 展开更多
关键词 沉积条件 cvd-SiC涂层 组织形貌 抗氧化性能
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甲基硅烷CVD法制备碳化硅粉体及其温度依赖性研究
13
作者 何雷晶 耿金春 +2 位作者 罗国邦 姜汪航 顾小康 《化工生产与技术》 2025年第6期5-8,48,I0002,共6页
为优化甲基硅烷化学气相沉积(CVD)法制备碳化硅粉体的工艺,在700~1000℃温度范围内以甲基硅烷为原料制备碳化硅(SiC)粉体,系统考察了沉积温度对产物组成、结构及性能的影响。结果表明:随着温度由700℃升至1000℃,SiC粉体收率从80.11%提... 为优化甲基硅烷化学气相沉积(CVD)法制备碳化硅粉体的工艺,在700~1000℃温度范围内以甲基硅烷为原料制备碳化硅(SiC)粉体,系统考察了沉积温度对产物组成、结构及性能的影响。结果表明:随着温度由700℃升至1000℃,SiC粉体收率从80.11%提高至86.35%,平均粒径(D_(50))由2.387μm降至0.751μm,振实密度由0.85 g/cm^(3)增至0.95 g/cm^(3),XRD显示β-SiC结晶特征逐渐增强;副反应随之加剧,致使SiC质量分数从97.21%略降至95.83%,游离碳与游离硅含量相应增加,而SiO_(2)含量维持在稳定范围(w=0.05%~0.08%)。综合各项性能,1000℃为较优沉积温度条件。本研究明确了温度在甲基硅烷CVD过程中的关键调控作用,为相关工业化生产提供了可行的工艺参考。 展开更多
关键词 碳化硅 甲基硅烷 化学气相沉积(cvd) 沉积温度 粉体性能 择优取向
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不同结构CVD多层膜在铝型材挤压模具延寿中的产业化应用
14
作者 冯恒 《产业科技创新》 2025年第6期15-19,共5页
铝型材产业规模化与高质量发展受挤压模具制约,其在高温、高压、热循环下易短命,导致生产效率下滑、成本高。本文聚焦CVD多层膜技术破此瓶颈,探究梯度、周期/超晶格及复合结构的产业化机制与策略。梯度结构借成分渐变优化应力与结合强度... 铝型材产业规模化与高质量发展受挤压模具制约,其在高温、高压、热循环下易短命,导致生产效率下滑、成本高。本文聚焦CVD多层膜技术破此瓶颈,探究梯度、周期/超晶格及复合结构的产业化机制与策略。梯度结构借成分渐变优化应力与结合强度,周期/超晶格凭纳米界面提升硬韧协同,复合结构以功能分工破解“磨损-侵蚀-黏附”失效问题。结合模具情况提出涂层选型、协同设计及全生命周期管理策略。该技术可有效延寿降本,为企业提供选型依据,推动工程化落地,助力产业突破瓶颈、降本增效升级。 展开更多
关键词 不同结构cvd多层膜 铝型材 挤压模具 延寿
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激光CVD法制备3C-SiC薄膜的结构调控及性能研究
15
作者 柴宇新 《聚酯工业》 2025年第6期1-3,共3页
本文通过运用激光化学气相沉积技术在硅衬底上生长3C-SiC薄膜,深入研究工艺参数对3C-SiC薄膜微观结构的影响规律。通过精准控制工艺参数可成功制备出不同结构的3C-SiC多晶薄膜,不同结构的3C-SiC薄膜在电学和电化学性能方面呈现出明显的... 本文通过运用激光化学气相沉积技术在硅衬底上生长3C-SiC薄膜,深入研究工艺参数对3C-SiC薄膜微观结构的影响规律。通过精准控制工艺参数可成功制备出不同结构的3C-SiC多晶薄膜,不同结构的3C-SiC薄膜在电学和电化学性能方面呈现出明显的性能差异。本文为3C-SiC薄膜在高温、高频、大功率电子器件以及新能源材料领域中的实际应用提供了关键的理论依据与技术支撑。 展开更多
关键词 激光cvd法 3C-SiC薄膜 结构调控 半导体器件
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晶化温度对CVD无定形碳化硅结构与性能的影响
16
作者 吴希湖 宋晓蕾 +2 位作者 许胜霞 朱艳 何安新 《化工生产与技术》 2025年第6期9-12,I0003,共5页
针对化学气相沉积(CVD)法制备的碳化硅(SiC)粉体存在的无定形态、粒径偏小与振实密度较低等问题,采用在氩气保护气氛下对其进行高温晶化处理,系统探究了晶化温度对粉体晶型、化学成分、粒度及振实密度的影响。结果表明,晶化温度需高于1... 针对化学气相沉积(CVD)法制备的碳化硅(SiC)粉体存在的无定形态、粒径偏小与振实密度较低等问题,采用在氩气保护气氛下对其进行高温晶化处理,系统探究了晶化温度对粉体晶型、化学成分、粒度及振实密度的影响。结果表明,晶化温度需高于1500℃时,无定形SiC可完全转化为结晶良好的β-SiC,粉体颗粒呈现明显微晶结构,并伴随颗粒生长和致密团聚现象。在1600℃晶化条件下,可获得综合性能较优的SiC粉体,其中粒径(D_(50))为2.562μm,振实密度达1.04 g/cm^(3),SiC质量分数提升至97.84%,为无定形SiC的晶化行为与结构调控提供了依据,对后续深化处理与产业应用具有一定参考价值。 展开更多
关键词 无定形碳化硅 晶化温度 化学气相沉积(cvd) 振实密度 粒径 Β-SIC
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立式雾化辅助CVD系统的设计与实现
17
作者 赵丹 向星承 +4 位作者 詹宇 陈茵豪 秦源涛 肖黎 龚恒翔 《微纳电子技术》 2025年第1期152-157,共6页
雾化辅助化学气相沉积(CVD)技术是一种高质量氧化物薄膜的低成本制备方法。设计并搭建了一套立式雾化辅助CVD系统,该系统包含了雾化源、立式反应腔体、加热、水冷和尾气处理模块。采用该系统制备了SnO_(2)薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)对... 雾化辅助化学气相沉积(CVD)技术是一种高质量氧化物薄膜的低成本制备方法。设计并搭建了一套立式雾化辅助CVD系统,该系统包含了雾化源、立式反应腔体、加热、水冷和尾气处理模块。采用该系统制备了SnO_(2)薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜样品进行分析,并用扫描电子显微镜(SEM)观察样品表面形貌。实验结果表明:采用所设计的立式雾化辅助CVD系统制备出了沿(200)晶面生长的SnO_(2)薄膜,其(200)衍射峰半高宽为0.22°。SnO_(2)薄膜表面较大的晶粒呈现类金字塔状,薄膜表面颗粒尺寸较为均匀。通过计算得出薄膜表面最大颗粒平均粒径为145 nm。所设计的系统结构合理、操作简单,制备的薄膜具有较高的质量。 展开更多
关键词 雾化辅助化学气相沉积(cvd) 薄膜沉积系统设计 立式腔体 SnO_(2)薄膜 结构与形貌
原文传递
CVD铱涂层/铼基复合喷管研究进展 被引量：23
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作者 胡昌义 邓德国 +1 位作者 高逸群 尹志民 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期7-10,共4页
介绍了高温抗氧化铱涂层／铼基复合喷管的化学气相沉积（CVD）制备工艺，并就铱、铼的有关性能，CVD铱／铼复合材料中元素的扩散，铱／铼合金的氧化行为及寿命预测等理论研究作了评述。
关键词 cvd 铱 铼 喷管 火箭发动机
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裂解温度、裂解时间和原料气流量对CVD法生产碳纳米管的影响 被引量：19
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作者 贾志杰 马仁志 +2 位作者 梁吉 魏秉庆 吴德海 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第2期16-20,共5页
用ＣＶＤ法生产碳纳米管时，裂解温度、裂解时间和原料气流量大小对碳纳米管的产率、形态有很大影响，其中以裂解温度的影响最大。适宜的裂解温度、裂解时间和原料气流量有利于提高碳纳米管的产率和产量。在一定范围内提高裂解温度。
关键词 碳 纳米管 裂解温度 裂解时间 原料气 cvd法
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CVD法制备碳纳米管的TG-DTA研究——温度对CVD法制备碳纳米管的影响 被引量：18
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作者 吕德义 徐丽萍 +1 位作者 徐铸德 葛忠华 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期118-122,共5页
基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳... 基于碳纳米管粗产品中无定形碳和不同直径碳纳米管对氧的反应活性的差异 ,通过差热 -热重 (TG DTA)方法 ,结合透射电镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)的测试结果 ,研究了合成温度对以乙炔气体为碳源 ,用CVD法制备碳纳米管的石墨化程度、碳纳米管直径以及直径分布的影响 .结果表明 :反应中 ,由于催化剂Co/SiO2中活性组分 (Co)微晶随合成温度的升高而增大 ,导致所制备的碳纳米管的直径增大 ,从 2 0～ 30nm (6 5 0℃ )增加到 30～ 5 0nm (75 0℃ ) .碳纳米管的石墨化程度随着反应温度的升高而增加 .XRD实验结果还表明 ,当合成温度从 6 5 0℃增加到 85 0℃时 ,2θ值从 2 5 .8°增加到 2 6 .8°,(0 0 2 )晶面的层间距从 3.45 减小到 3.32 ,即随着合成温度的升高 ,碳纳米管 (0 0 2 )晶面的层间距减小 .通过DTA放热峰的峰温和半峰宽的分析得出 ,无定形碳的放热峰峰温Tp<380℃ ,其含量随着温度的升高而减小 .碳纳米管的DTA放热峰的峰温Tp 随着碳纳米管的直径和石墨化的程度的增加而升高 ,半峰宽随着碳纳米管的直径的分布范围增大而增宽 .低温 (6 5 0℃ )有利于生成直径小且均匀的多层碳纳米管 (2 0～ 30nm) ,而高温 (大于 75 0℃ )则有利于生成直径大的多层碳纳米管 (大于 30～5 0nm) . 展开更多
关键词 制备 TG-DTA 温度 差热-热重分析 碳纳米管 cvd法 化学气相沉积
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