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膜去溶-ICP-MS测定高纯CeO_2中14种痕量稀土杂质分析方法研究 被引量：14
1
作者 韩国军 伍星 童坚 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期137-144,共8页
研究了不经基体分离,膜去溶-ICP-MS法直接测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质的分析方法,讨论了Ce基体产生的多原子离子对被测元素的质谱干扰,并且对影响多原子离子产率的因素进行了分析,同时建立了Pr,Gd,Tb和Yb数学校正方程。通过使用膜... 研究了不经基体分离,膜去溶-ICP-MS法直接测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质的分析方法,讨论了Ce基体产生的多原子离子对被测元素的质谱干扰,并且对影响多原子离子产率的因素进行了分析,同时建立了Pr,Gd,Tb和Yb数学校正方程。通过使用膜去溶雾化器和优化ICP-MS参数,消除了CeH^＋,CeO2^＋和CeO2H^＋产生的质谱干扰,将CeO/Ce产率降为0.008%,同时结合数学校正方程彻底消除了CeO^＋,CeOH^＋和CeOH2^＋的质谱干扰。Pr,Gd,Tb和Yb的方法测定下限分别为0.08,0.1,0.15和0.008μg.g^-1,14种稀土杂质方法测定下限和为0.75μg.g^-1。99.999%高纯CeO2实际样品测定加标回收率为96%-103%,RSD为1.2%-4.3%。 展开更多
关键词 高纯ceo2 膜去溶 数学校正 ICP-MS 多原子离子干扰 稀土
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