利用射频磁控溅射法制备了掺铒TeO_(2)薄膜,探究了氧化铒靶溅射功率、Ar/O_(2)气体比例以及退火温度对薄膜发光特性的影响.实验结果表明,在氧化铒靶溅射功率为20 W、Ar/O_(2)气体流量比为5∶1、退火温度250℃时,薄膜呈现出良好的光致发...利用射频磁控溅射法制备了掺铒TeO_(2)薄膜,探究了氧化铒靶溅射功率、Ar/O_(2)气体比例以及退火温度对薄膜发光特性的影响.实验结果表明,在氧化铒靶溅射功率为20 W、Ar/O_(2)气体流量比为5∶1、退火温度250℃时,薄膜呈现出良好的光致发光性能.针对直接刻蚀掺铒薄膜层易引发表面粗糙等问题,设计并采用紫外光刻和等离子体刻蚀工艺制备了双层波导结构.使用截断法测得0.5 cm长的掺铒TeO_(2)波导在1310 nm波长处的最低光学损耗为0.607 d B/cm,放大性能测量表明在1545 nm波段,波导具有7.2 d B/cm的光学内增益.这些实验结果表明,掺铒TeO_(2)波导在平面集成波导放大器领域极具应用潜力.展开更多
文摘利用射频磁控溅射法制备了掺铒TeO_(2)薄膜,探究了氧化铒靶溅射功率、Ar/O_(2)气体比例以及退火温度对薄膜发光特性的影响.实验结果表明,在氧化铒靶溅射功率为20 W、Ar/O_(2)气体流量比为5∶1、退火温度250℃时,薄膜呈现出良好的光致发光性能.针对直接刻蚀掺铒薄膜层易引发表面粗糙等问题,设计并采用紫外光刻和等离子体刻蚀工艺制备了双层波导结构.使用截断法测得0.5 cm长的掺铒TeO_(2)波导在1310 nm波长处的最低光学损耗为0.607 d B/cm,放大性能测量表明在1545 nm波段,波导具有7.2 d B/cm的光学内增益.这些实验结果表明,掺铒TeO_(2)波导在平面集成波导放大器领域极具应用潜力.
