沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录,成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体(CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor)芯片。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未...沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录,成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体(CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor)芯片。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未超过两层,这一突破标志着芯片集成密度与能效迈上新台阶,有助电子设备的小型化和性能提升。CMOS芯片几乎存在于所有电子设备中,从手机、电视到卫星和医疗仪器。与传统硅基芯片相比,混合CMOS芯片在大面积电子领域更具优势,有望在柔性电子、智慧医疗和物联网等领域发挥重要作用。展开更多
文摘沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录,成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体(CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor)芯片。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未超过两层,这一突破标志着芯片集成密度与能效迈上新台阶,有助电子设备的小型化和性能提升。CMOS芯片几乎存在于所有电子设备中,从手机、电视到卫星和医疗仪器。与传统硅基芯片相比,混合CMOS芯片在大面积电子领域更具优势,有望在柔性电子、智慧医疗和物联网等领域发挥重要作用。
