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磁控溅射与硫化热处理制备β-In2S3薄膜
1
作者 关荣锋 王晓雪 《纳米科技》 2015年第2期29-34,共6页
采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β一In2S3薄膜,应用XRD、拉曼光谱仪及UV一Vis测试对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能, 结果表明,溅射功率对薄膜的结晶性能影响较大,比较合适的溅射功率为1... 采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β一In2S3薄膜,应用XRD、拉曼光谱仪及UV一Vis测试对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能, 结果表明,溅射功率对薄膜的结晶性能影响较大,比较合适的溅射功率为100W和140W.此外,硫化热处理温度对薄膜的品质影响也很大,比较合适的热处理温度范围为450.相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响小一些,溅射气体压强可选择在04一0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β一In2S3薄膜品质较好,光谱透过率高,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层. 展开更多
关键词 薄膜太阳能电池 β-in2s3 磁控溅射 硫化 热处理
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β-In_2S_3的制备及其太阳光下降解土霉素 被引量：6
2
作者 艾翠玲 周丹丹 +2 位作者 张嵘嵘 邵享文 雷英杰 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2911-2917,共7页
利用水热反应法制备β-In2S3纳米颗粒光催化剂,并利用SEM、TEM和XRD等对其进行分析表征;采用土霉素溶液模拟四环素类抗生素废水,探讨In2S3对土霉素的降解效果.结果表明,β-In2S3为立方相纳米颗粒结构,该纳米颗粒由纳米片组成,直径约15~3... 利用水热反应法制备β-In2S3纳米颗粒光催化剂,并利用SEM、TEM和XRD等对其进行分析表征;采用土霉素溶液模拟四环素类抗生素废水,探讨In2S3对土霉素的降解效果.结果表明,β-In2S3为立方相纳米颗粒结构,该纳米颗粒由纳米片组成,直径约15~30 nm.以太阳光为辐射光源,In2S3对土霉素具有良好的光催化降解效果,在4 h内对初始浓度为30 mg·L-1的土霉素降解率可达98%以上.降解土霉素后的催化剂在无水乙醇中清洗并烘干,经4次循环利用后,β-In2S3的降解能力仍能达到85%以上,表明β-In2S3光催化剂具有良好的稳定性以及光催化活性. 展开更多
关键词 β-in2s3 水热反应 光催化降解 土霉素 太阳光
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磁控溅射与硫化热处理制备β-In_2S_3薄膜及光电性能
3
作者 关荣锋 尤亚军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期17115-17118,17122,共5页
采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较... 采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较合适的溅射功率为100-140W,硫化热处理温度为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5S4 杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响较小,溅射气体压强可选择在0.4-0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β-In2S3 薄膜具有良好的光谱透过率,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层. 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 β-in2s3 磁控溅射 硫化 热处理
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溅射功率对In_2S_3薄膜结构及其性能的影响
4
作者 冀亚欣 王丹 +7 位作者 张林基 闫勇 欧玉峰 余洲 刘连 阚香 张勇 赵勇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期63-67,共5页
采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In_2S_3薄膜。研究了溅射功率对In_2S_3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:所制备的所有薄膜均为β-In_2S_3,无杂相存在,且具有(222)面择优生长特性。溅射功率对薄膜的成分、... 采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In_2S_3薄膜。研究了溅射功率对In_2S_3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:所制备的所有薄膜均为β-In_2S_3,无杂相存在,且具有(222)面择优生长特性。溅射功率对薄膜的成分、厚度和结晶度具有明显的影响,并因此影响薄膜的光学和电学性能。薄膜在100W沉积时最接近化学计量比,薄膜的透过率随着溅射功率增大在500nm波段附近显著提高,禁带宽度达到2.45eV,同时电流密度增大两个数量级。 展开更多
关键词 磁控溅射 β-in2s3薄膜 溅射功率 透过率
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