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二维α-In2Se3的物理性质及其应用
1
作者
陈诚
王鑫豪
+1 位作者
侯鹏飞
王金斌
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2020年第4期29-47,共19页
二维(2D)材料是一类具有原子级别厚度的层状材料,其物理性质包括了绝缘、超导、金属、光电、压电、铁电和磁性等.α-In2Se3是一种特殊的2D材料,因其面内-面外耦合室温铁电性的发现掀起了科研人员对它的新一轮研究热潮.α-In2Se3作为铁...
二维(2D)材料是一类具有原子级别厚度的层状材料,其物理性质包括了绝缘、超导、金属、光电、压电、铁电和磁性等.α-In2Se3是一种特殊的2D材料,因其面内-面外耦合室温铁电性的发现掀起了科研人员对它的新一轮研究热潮.α-In2Se3作为铁电体本身具有压电性和铁电性,另外,α-In2Se3还具有良好的光电响应,故2Dα-In2Se3在微型压电马达、非易失性铁电存储器、光电探测器等领域有丰富的应用价值.该文首先回顾了2Dα-In2Se3材料物理性质研究的相关背景,并针对α-In2Se3在技术应用上较为重要的光电性、压电性以及铁电性做了详细介绍,最后总结了2Dα-In2Se3的研究和应用进展.
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关键词
α-硒化铟
光电
压电
铁电
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职称材料
共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响
被引量：
1
2
作者
崔教林
张晓军
+1 位作者
李奕沄
高榆岚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期2118-2122,共5页
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m...
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
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关键词
α-in2se3
基半导体
禁带宽度(Eg)
热电性能
原文传递
二维层状In2Se3铁电材料的光敏传感性能研究
3
作者
陈芸
邢思玮
+1 位作者
周雪
侯鹏飞
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2019年第4期107-113,共7页
α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In2Se3纳米片,利用原子力显微镜研究了其...
α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In2Se3纳米片,利用原子力显微镜研究了其自发极化特性.制备了Pt/α-In2Se3/Pt光敏器件单元,研究了明暗条件下Pt/α-In2Se3/Pt器件单元I-V特性以及高压极化对光敏性能的影响.结果表明:二维层状α-In2Se3具有较好的光敏性能,且高压极化将大幅优化器件的光敏特性.高压极化使器件的响应时间明显缩短,1V电压明暗条件开关比提高至10^3以上.可见,铁电极化对于α-In2Se3纳米片的光电导效应具有重要影响,高压极化操作能够有效地提高其光敏性能.
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关键词
α-in2se3
光电导
微机械剥离法
高压极化
开关比
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职称材料
2D In2Se3面内外极化强度及弹性性能的第一性原理研究
被引量：
1
4
作者
刘云霞
张宇科
+2 位作者
冯国发
周攀
侯鹏飞
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2019年第4期114-120,共7页
α-In2Se3是一种典型的铁电材料,同时具有面内和面外方向的自发极化,可应用于发展通用的二维数据存储技术.该文利用第一性原理计算方法对单胞α-In2Se3进行了电学性质、弹性性能、面内面外极化强度的研究,发现在不同拉压应变下,面外的...
α-In2Se3是一种典型的铁电材料,同时具有面内和面外方向的自发极化,可应用于发展通用的二维数据存储技术.该文利用第一性原理计算方法对单胞α-In2Se3进行了电学性质、弹性性能、面内面外极化强度的研究,发现在不同拉压应变下,面外的极化强度比面内变化更明显,极化向上的晶体结构面内刚度大于极化向下的,y方向的泊松比均大于x方向的.
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关键词
α-硒化铟
铁电极化
第一性原理
极化强度
面内刚度
泊松比
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职称材料
题名
二维α-In2Se3的物理性质及其应用
1
作者
陈诚
王鑫豪
侯鹏飞
王金斌
机构
湘潭大学材料科学与工程学院
可靠性物理科学技术与电子元器件应用技术实验室
出处
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2020年第4期29-47,共19页
基金
湖南省自然科学青年基金项目(2019JJ50582)
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金项目(ZHD201803)。
文摘
二维(2D)材料是一类具有原子级别厚度的层状材料,其物理性质包括了绝缘、超导、金属、光电、压电、铁电和磁性等.α-In2Se3是一种特殊的2D材料,因其面内-面外耦合室温铁电性的发现掀起了科研人员对它的新一轮研究热潮.α-In2Se3作为铁电体本身具有压电性和铁电性,另外,α-In2Se3还具有良好的光电响应,故2Dα-In2Se3在微型压电马达、非易失性铁电存储器、光电探测器等领域有丰富的应用价值.该文首先回顾了2Dα-In2Se3材料物理性质研究的相关背景,并针对α-In2Se3在技术应用上较为重要的光电性、压电性以及铁电性做了详细介绍,最后总结了2Dα-In2Se3的研究和应用进展.
关键词
α-硒化铟
光电
压电
铁电
Keywords
α-in2se3
photoelectricity
piezoelectric
ferroelectric
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响
被引量：
1
2
作者
崔教林
张晓军
李奕沄
高榆岚
机构
宁波工程学院
中国矿业大学
太原理工大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期2118-2122,共5页
基金
国家自然科学基金(50871056)
国家"863"高科技计划项目(2009AA03Z322)
+1 种基金
浙江省自然科学基金(Y4100182)
宁波市自然科学基金(2011A610093)
文摘
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
关键词
α-in2se3
基半导体
禁带宽度(Eg)
热电性能
Keywords
-in
2
se
3
ba
se
d
se
miconductor
band gap （Eg ）
thermoelectric property
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
二维层状In2Se3铁电材料的光敏传感性能研究
3
作者
陈芸
邢思玮
周雪
侯鹏飞
机构
湘潭大学低维材料与应用技术重点实验室
可靠性物理科学技术与电子元器件应用技术实验室
出处
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2019年第4期107-113,共7页
基金
湖南省自然科学青年基金项目(2019JJ50582)
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金项目(ZHD201803)
文摘
α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In2Se3纳米片,利用原子力显微镜研究了其自发极化特性.制备了Pt/α-In2Se3/Pt光敏器件单元,研究了明暗条件下Pt/α-In2Se3/Pt器件单元I-V特性以及高压极化对光敏性能的影响.结果表明:二维层状α-In2Se3具有较好的光敏性能,且高压极化将大幅优化器件的光敏特性.高压极化使器件的响应时间明显缩短,1V电压明暗条件开关比提高至10^3以上.可见,铁电极化对于α-In2Se3纳米片的光电导效应具有重要影响,高压极化操作能够有效地提高其光敏性能.
关键词
α-in2se3
光电导
微机械剥离法
高压极化
开关比
Keywords
α-in2se3
photoconductive
micromechanical exfoliation method
high-voltage polarization
switch ratio
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
2D In2Se3面内外极化强度及弹性性能的第一性原理研究
被引量：
1
4
作者
刘云霞
张宇科
冯国发
周攀
侯鹏飞
机构
湘潭大学材料科学与工程学院
可靠性物理科学技术与电子元器件应用技术实验室
出处
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2019年第4期114-120,共7页
基金
湖南省自然科学青年基金项目(2019JJ50582)
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金项目(ZHD201803)
文摘
α-In2Se3是一种典型的铁电材料,同时具有面内和面外方向的自发极化,可应用于发展通用的二维数据存储技术.该文利用第一性原理计算方法对单胞α-In2Se3进行了电学性质、弹性性能、面内面外极化强度的研究,发现在不同拉压应变下,面外的极化强度比面内变化更明显,极化向上的晶体结构面内刚度大于极化向下的,y方向的泊松比均大于x方向的.
关键词
α-硒化铟
铁电极化
第一性原理
极化强度
面内刚度
泊松比
Keywords
α-in2se3
ferroelectric polarization
the first principle
polarization
the in-plane stiffness
the Poisson's ratio
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二维α-In2Se3的物理性质及其应用
陈诚
王鑫豪
侯鹏飞
王金斌
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响
崔教林
张晓军
李奕沄
高榆岚
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
3
二维层状In2Se3铁电材料的光敏传感性能研究
陈芸
邢思玮
周雪
侯鹏飞
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2019
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
2D In2Se3面内外极化强度及弹性性能的第一性原理研究
刘云霞
张宇科
冯国发
周攀
侯鹏飞
《湘潭大学学报（自然科学版）》
CAS
2019
1
在线阅读
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职称材料
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