期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7,148篇文章
< 1 2 … 250 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于Si-SOI工艺的高密度CMUT线性阵列的设计与制备
1
作者 王靖文 王智豪 +3 位作者 刘书睿 张国军 王任鑫 杨玉华 《舰船电子工程》 2026年第1期183-189,共7页
论文设计、制备并测试了一种基于Si-SOI键合工艺的电容式微机械超声换能器(capacitive micromachined ul⁃trasonic transducer,CMUT)一维线性阵列。依据CMUT敏感单元的结构尺寸,采用COMSOL Multiphsics 6.1构建CMUT敏感单元三维模型,仿... 论文设计、制备并测试了一种基于Si-SOI键合工艺的电容式微机械超声换能器(capacitive micromachined ul⁃trasonic transducer,CMUT)一维线性阵列。依据CMUT敏感单元的结构尺寸,采用COMSOL Multiphsics 6.1构建CMUT敏感单元三维模型,仿真分析了CMUT敏感单元的6阶模态和其在水中工作的谐响应。论文采用Si-SOI低温直接键合技术,制备了32阵元的高密度CMUT线性阵列,采用刻蚀隔离通道的方式实现阵元间的隔离,对于实现阵列的更高密度集成具有重要意义。经测试,采用此种方法制备的CMUT静态电容均值为614.9 pF,标准偏差为17.76 pF,中心频率均值为3.27 MHz,标准偏差为0.062 MHz,该工艺所制备的阵元频率理想、一致性较好。 展开更多
关键词 电容式微机械超声换能器(CMUT) Si-soi键合工艺 谐振频率 线性阵列 一致性
在线阅读 下载PDF
基于SOI工艺的载波抑制单边带调制器工作点标定技术研究
2
作者 廖海军 崔乃迪 +4 位作者 冯靖 冯俊波 吴凡 王一纯 方坤 《微纳电子技术》 2026年第4期139-150,共12页
基于SOI工艺的载波抑制单边带(CS-SSB)调制器由于干涉结构复杂,使其工作点难以准确标定,不准确的工作点对于CS-SSB调制器的载波抑制比和边带抑制比影响较大。研究了一种进光分光比可调的CS-SSB调制器架构,分析并推导了基于干涉分析法进... 基于SOI工艺的载波抑制单边带(CS-SSB)调制器由于干涉结构复杂,使其工作点难以准确标定,不准确的工作点对于CS-SSB调制器的载波抑制比和边带抑制比影响较大。研究了一种进光分光比可调的CS-SSB调制器架构,分析并推导了基于干涉分析法进行工作点标定的理论可行性。分别研究了基于现场可编程门阵列(FPGA)的硬件粗标定系统、基于自适应矩估计(ADAM)和光谱分析法的细标定系统,通过这两个标定步骤,成功完成了CS-SSB调制器工作点的准确标定。实验结果与理论推导结果相符,粗标定时间小于10 s,细标定算法在10 s内快速实现了最优解的搜索。研究表明,该技术能在极短的时间内求解出精准的工作点,实现约50 dB的载波抑制比、约30 dB的边带抑制比、约30 dB的边带对载波抑制比,完成了载波与边带的近乎完全抑制,标定系统性能比传统标定高出数倍。 展开更多
关键词 载波抑制单边带(CS-SSB)调制器 工作点标定 现场可编程门阵列(FPGA) 自适应矩估计(ADAM) 干涉结构 光谱分析 绝缘体上硅(soi)
原文传递
一种基于SOI工艺的抗辐照电源管理芯片
3
作者 刘岩 肖忠侠 +3 位作者 庞佑兵 刘登学 杨帆 杨超 《微电子学》 北大核心 2025年第4期585-591,共7页
DC/DC变换器为计算机系统、通信系统、遥测遥控系统等提供稳定的电压以及电流,其中电源管理芯片是电源系统的核心控制单元。太空中各种电磁辐射带来的辐照效应给电子装备的性能指标、可靠性、使用寿命带来了巨大挑战。随着深空探索、商... DC/DC变换器为计算机系统、通信系统、遥测遥控系统等提供稳定的电压以及电流,其中电源管理芯片是电源系统的核心控制单元。太空中各种电磁辐射带来的辐照效应给电子装备的性能指标、可靠性、使用寿命带来了巨大挑战。随着深空探索、商业航天等行业的日益发展,对电源芯片抗辐照性能的需求越来越强烈。提出的PWM控制器基于双多晶自对准SOI互补双极工艺,电路采用抗辐照设计,实现了良好的抗辐照性能。具体而言,该芯片抗总剂量大于1000 Gy(Si),抗中子注量能力大于2×10^(13)n/cm^(2)。该款芯片已应用于多个项目,对于提高电源系统的抗辐照能力发挥了重要作用。 展开更多
关键词 抗辐照 电源芯片 soi工艺 PWM控制器
原文传递
基于SOI-MEMS工艺的新型电容式三轴MEMS加速度计
4
作者 钟恺韬 韩国威 +1 位作者 赵永梅 宁瑾 《微纳电子技术》 2025年第10期85-94,共10页
设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电... 设计了一种新型的电容式三轴微机电系统(MEMS)加速度计,该加速度计使用单器件内分立三个质量块方案实现三轴检测。提出了该加速度计基本构型与弹簧梁结构,并在结构中加入自检测与限位防撞结构。通过仿真软件对所设计器件的谐振频率与电容灵敏度等进行仿真。仿真结果表明,该加速度计可实现三轴检测且具有较高的灵敏度。所设计的梁结构可有效隔绝77%的位移扰动,驱动结构可实现自检测功能,限位防撞装置可确保器件安全工作。使用Bosch刻蚀工艺及气相氢氟酸(VHF)工艺完成基于绝缘体上硅(SOI)样片的器件制作。最后,对制作完成的器件进行性能测试,得到加速度计的标度因数为513270LSB/g,表明加速度计具有较高的数字输出灵敏度。器件X轴、Y轴、Z轴均方根(RMS)噪声分别为0.23、0.25和0.29mg,噪声信号功率谱密度分别为26、29和33μg/√Hz,偏置不稳定性分别为10.62、11.75和12.00μg,表明该加速度计具有较低的噪声水平和较高的三轴检测精度。 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS)加速度计 电容式 三轴检测 绝缘体上硅(soi)-MEMS工艺 自检测
原文传递
补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件
5
作者 李旭泓 孙与飏 +1 位作者 刘腾 张加宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期995-1000,共6页
传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(soi) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制 宽安全工作区(SOA) 载流子电荷
原文传递
SOI全硅无引线MEMS高温压力传感器的设计 被引量：3
6
作者 吴思佳 陈士涛 +2 位作者 陈志亮 王鹏 王文婧 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第5期103-106,111,共5页
介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,... 介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,相同的热膨胀系数使得传感器工作时的热失配应力减小;采用无引线封装技术,与传统封装技术相比,其减小了器件尺寸。设计传感器的压力量程为0~35 kPa,且能够在-40~200℃的温度范围内正常工作,满量程输出高于90 mV。 展开更多
关键词 微机电系统 绝缘体上硅 全硅 无引线封装 高温压力传感器
在线阅读 下载PDF
重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
7
作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(soi)工艺 单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
原文传递
基于22 nm FD SOI工艺的宽电压高能效运算电路设计
8
作者 杨雅楠 裴秉玺 +3 位作者 张光达 赵夏 钟智勇 何卫锋 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第11期8-14,共7页
基于22 nm FD-SOI工艺,设计并实现了覆盖0.2~0.8 V宽电压范围的高能效运算电路芯片。从架构设计、单元库选择、低功耗逻辑综合与物理设计4个层次对能效进行了对比分析与优化。通过对不同运算架构进行实现和仿真对比,筛选出综合表现最优... 基于22 nm FD-SOI工艺,设计并实现了覆盖0.2~0.8 V宽电压范围的高能效运算电路芯片。从架构设计、单元库选择、低功耗逻辑综合与物理设计4个层次对能效进行了对比分析与优化。通过对不同运算架构进行实现和仿真对比,筛选出综合表现最优的架构设计。评估不同沟道长度和阈值电压的标准单元库,混合使用高驱动单元与低泄漏单元以平衡性能与功耗,优化后的能效降至102.64 fJ/Op,较单一类型单元设计提升了17.5%。逻辑综合阶段应用DesignWare-LP流程,通过逻辑重组与低功耗单元替换提升能效6.7%;物理设计阶段控制单元密度,进一步降低寄生电容。对优化后的芯片进行流片验证,结果表明:在0.24 V工作电压下,加法器与乘法器能效分别达1.55 fJ/Op与14.1 fJ/Op,延迟均低于100 ns,有效弥补了现有方案在宽电压适应性或能效多维优化方面的不足。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 FD-soi 架构对比 单元库选择
在线阅读 下载PDF
高温下SOI FinFET器件总剂量效应研究
9
作者 王子豪 刘景怡 +2 位作者 袁乔枫 郝博为 安霞 《现代应用物理》 2025年第3期115-120,共6页
实验研究了高温条件下SOI(silicon-on-insulator)FinFET器件的总剂量效应,并与室温辐照结果进行了对比。实验结果表明,对于P型SOI FinFET器件,高温辐照引起的电学参数变化量小于室温辐照结果,说明高温与总剂量效应对器件电学特性的影响... 实验研究了高温条件下SOI(silicon-on-insulator)FinFET器件的总剂量效应,并与室温辐照结果进行了对比。实验结果表明,对于P型SOI FinFET器件,高温辐照引起的电学参数变化量小于室温辐照结果,说明高温与总剂量效应对器件电学特性的影响趋势相反;而对于N型SOI FinFET器件,高温辐照后器件电学参数的退化量明显大于室温辐照,即高温条件下总剂量辐照引起的器件特性退化更显著。进一步的分析表明,高温总剂量辐照引起的特性退化并不是高温与总剂量效应间的线性叠加,二者之间存在协同效应。而且,随着器件栅长的减小,高温辐照带来的器件电学特性变化越显著。 展开更多
关键词 soi FinFET 温度 总剂量效应 协同效应 栅长依赖性
在线阅读 下载PDF
200 V高压SOI LDMOS器件设计与优化
10
作者 曲韩宾 赵永瑞 +4 位作者 师翔 唐晓龙 温恒娟 陈辰 周锌 《微处理机》 2025年第3期39-44,共6页
高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD... 高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势,现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD仿真软件Medici进行仿真,优化了漂移区和阱区掺杂剂量和漂移区长度,从而提高器件的击穿电压,降低比导通电阻,并获得合适的阈值电压和开态击穿电压值。经优化后厚栅氧SOI PLDMOS器件的击穿电压达到-235.7 V,比导通电阻达到19.6 mΩ·cm^(2),阈值电压为-36.7 V,开态击穿电压为-250 V;薄栅氧SOI NLDMOS器件的击穿电压达到276.7 V,比导通电阻达到11.5 mΩ·cm^(2),阈值电压为1.9 V,开态击穿电压为119 V。 展开更多
关键词 soi LDMOS 击穿电压 比导通电阻 阈值电压 开态击穿电压
在线阅读 下载PDF
基于SOI认知理论的中学物理思维型教学探索
11
作者 王神姣 王长江 +1 位作者 黄李风 黄宇轩 《理科考试研究》 2025年第1期11-14,共4页
科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效... 科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效率,促进学生的思维能力的发展,促进核心素养真正落地. 展开更多
关键词 soi模式 思维型教学 互感 自感
在线阅读 下载PDF
基于SOI超表面的全斯托克斯偏振探测器研究
12
作者 俞惟明 赵兴岩 《半导体光电》 北大核心 2025年第3期432-437,共6页
偏振探测作为表征光与物质相互作用的关键技术手段,近年来在生物医学成像、高精度光学测量及军事目标识别等领域展现出重要的应用前景。针对光电系统集成化与微型化的发展需求,文章提出一种基于绝缘体上硅(SOI)平台的全斯托克斯偏振探... 偏振探测作为表征光与物质相互作用的关键技术手段,近年来在生物医学成像、高精度光学测量及军事目标识别等领域展现出重要的应用前景。针对光电系统集成化与微型化的发展需求,文章提出一种基于绝缘体上硅(SOI)平台的全斯托克斯偏振探测器。该方案通过将SOI器件的500 nm器件层局部设计成超表面结构,并设计为pin型光电探测器以实现单片集成,成功解决了传统偏振探测系统体积庞大、集成度低的技术瓶颈。结果表明,所设计的探测器在780 nm工作波长下展现出优异的性能,手性超表面像素的圆二色性达到42%,线性超表面像素的消光比高达10 dB。值得注意的是,该器件实现了高精度的斯托克斯参数重构,其中S_(1),S_(2)和S_(3)参数的平均重构误差分别为0.30%,0.85%和11.17%。该研究不仅为集成化偏振探测系统的设计提供了新思路,同时也展现了超表面技术在光电集成领域的巨大应用潜力。 展开更多
关键词 全斯托克斯参数 集成光电探测器 soi超表面 偏振探测
原文传递
基于SOI CMOS工艺的单刀双掷射频开关电路设计
13
作者 杨震 赵鹏 刘刚 《上海电力大学学报》 2025年第3期302-308,共7页
采用0.13μm于绝缘体上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)工艺,设计了一种单刀双掷射频开关电路。该射频开关电路应用于接收发射模块,其支路为串并联拓扑结构,插入损耗较低,且隔离度高。采用负压偏置技术和晶体管堆叠技术,有效提升了开... 采用0.13μm于绝缘体上硅互补金属氧化物半导体(SOI CMOS)工艺,设计了一种单刀双掷射频开关电路。该射频开关电路应用于接收发射模块,其支路为串并联拓扑结构,插入损耗较低,且隔离度高。采用负压偏置技术和晶体管堆叠技术,有效提升了开关的功率处理能力和谐波性能。测试结果表明,在100 MHz~4.2 GHz的工作频率范围内,该射频开关的插入损耗小于0.4 dB,隔离度大于24 dB,输入0.1 dB压缩点为34 dBm,芯片尺寸为360μm×245μm。 展开更多
关键词 soi CMOS工艺 射频开关 插入损耗 隔离度
在线阅读 下载PDF
一种高压SOI功率驱动电路抗核辐射加固设计
14
作者 宋博尊 林雨佳 荆洲 《微处理机》 2025年第5期15-22,共8页
目前,MOSFET和IGBT驱动系统在宇航级设备中应用广泛。为满足高压功率驱动器的抗辐射加固需求,设计了一种抗核辐射加固的高压功率驱动器,重点对驱动器电路中的数字逻辑电路、电平转换电路及双极电路进行了抗辐射加固设计。该电路采用商用... 目前,MOSFET和IGBT驱动系统在宇航级设备中应用广泛。为满足高压功率驱动器的抗辐射加固需求,设计了一种抗核辐射加固的高压功率驱动器,重点对驱动器电路中的数字逻辑电路、电平转换电路及双极电路进行了抗辐射加固设计。该电路采用商用1.0μm高压SOI工艺,高边悬浮电压工作范围可达600 V,具备抗总剂量≥3×10^(-3) Gy(Si)、抗中子注量≥1×10^(-14)n/cm^(2)、抗瞬时电离辐射剂量率≥1×10^(-9)Gy(Si)/s的能力,驱动电流可达2 A。辐照后器件功能与性能指标均满足系统应用要求。测试结果表明,该高压SOI功率驱动电路设计合理,满足预期性能指标。 展开更多
关键词 高压驱动电路 soi工艺 抗总剂量加固 抗中子注量加固 抗瞬时剂量率加固
在线阅读 下载PDF
SOI高温压力传感器的研究 被引量：22
15
作者 张书玉 张维连 +3 位作者 索开南 牛新环 张生才 姚素英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期984-987,共4页
介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进... 介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。 展开更多
关键词 压力传感器 soi 灵敏度 有限元
在线阅读 下载PDF
SOI微型电场传感器的设计与测试 被引量：21
16
作者 杨鹏飞 彭春荣 +2 位作者 张海岩 刘世国 夏善红 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2771-2774,共4页
该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步... 该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,该器件采用侧面屏蔽感应电极的独特设计方案,降低了传感器屏蔽电极的边缘效应;并基于有限元仿真,进一步优化了传感器敏感结构参数。在室温和室内大气压条件下,测试表明,测试量程0～50kV/m,传感器总不确定度优于2%,分辨率为50 V/m。 展开更多
关键词 电场微传感器 微机电系统(MEMS) 绝缘体上硅(soi) 分辨率
在线阅读 下载PDF
基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计 被引量：21
17
作者 李丹丹 梁庭 +2 位作者 李赛男 姚宗 熊继军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1315-1320,共6页
利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温... 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。 展开更多
关键词 高温压力传感器 压阻 敏感薄膜 soi(绝缘体上硅) MEMS(微机电系统)
在线阅读 下载PDF
全耗尽CMOS/SOI工艺 被引量：11
18
作者 刘新宇 孙海峰 +5 位作者 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期104-108,共5页
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级... 对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 展开更多
关键词 全耗尽 CMOS soi工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 注锗
在线阅读 下载PDF
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 被引量：7
19
作者 刘新宇 刘运龙 +3 位作者 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期213-216,共4页
研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储... 研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) 。 展开更多
关键词 CMOS/soi SRAM 抗总剂量辐照 实验 存储器
在线阅读 下载PDF
CMOS/SOI64Kb静态随机存储器 被引量：8
20
作者 韩郑生 周小茵 +2 位作者 海潮和 刘忠立 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期47-52,共6页
对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技... 对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ,电路存取时间仅 40 ns;同时 ,重点研究了 SOI静电泄放 ( Electrostatic- Discharge,ESD)保护电路和一种改进的灵敏放大器 ,设计出一套全新 ESD电路 ,其抗静电能力高达 42 0 0— 45 0 0 V.SOI6 4KbCMOS静态存储器采用 1.2 μm SOI CMOS抗辐照工艺技术 ,芯片尺寸为 7.8m m× 7.2 展开更多
关键词 ATD电路 DWL技术 CMOS soi 静随机存储器
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 250 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部