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一种SiC/Si混合五电平逆变器及其优化调制策略
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作者 莫文逸 张犁 邹宇航 《电源学报》 北大核心 2026年第1期40-50,共11页
提出了1种SiC/Si混合五电平逆变器拓扑及其优化调制策略,所提拓扑由4支SiC MOSFET和4支Si IGBT组成,通过直流侧分裂电容构成五电平结构;所提调制策略中所有高频开关损耗由4支SiC MOSFET承担,4支Si IGBT仅承担通态损耗与部分结电容充放... 提出了1种SiC/Si混合五电平逆变器拓扑及其优化调制策略,所提拓扑由4支SiC MOSFET和4支Si IGBT组成,通过直流侧分裂电容构成五电平结构;所提调制策略中所有高频开关损耗由4支SiC MOSFET承担,4支Si IGBT仅承担通态损耗与部分结电容充放电损耗。损耗建模分析表明,所提SiC/Si混合调制策略能够优化器件损耗分布,充分发挥SiC MOSFET的低开关损耗优势与Si IGBT在大电流条件下的低通态损耗优势。相比于全-Si方案,所提SiC/Si混合方案在大幅提高变换效率的同时仅少量增加硬件成本;相比于全-SiC方案,所提SiC/Si混合方案在实现相近效率性能的同时大幅降低硬件成本,且SiC/Si混合方案在重载工况下的效率优于全-SiC方案。最后,搭建4 kW SiC/Si混合五电平逆变器实验平台,验证所提SiC/Si混合五电平逆变器拓扑及其优化调制策略的可行性与有效性。 展开更多
关键词 五电平逆变器 siC/si混合 脉宽调制 损耗分析 效率
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On-site hydrolytic H_(2)production by CaH_(2)/(Al/Si)composites via Na+bridging effect for fuel cell
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作者 Ali Hammad Siyi Zou +7 位作者 Fandi Ning Ghulam Nabi Yuzhuo Jiang Bin Tian Wentao Huang Muhammad Rashid Shiqi Zhao Xiaochun Zhou 《Journal of Energy Chemistry》 2026年第1期97-110,I0004,共15页
Inorganic materials can solve transportable and on-site hydrolytic hydrogen generation issues.CaH_(2)/(Al/Si)composites are preferable due to their notable chemical properties.However,these composites require pretreat... Inorganic materials can solve transportable and on-site hydrolytic hydrogen generation issues.CaH_(2)/(Al/Si)composites are preferable due to their notable chemical properties.However,these composites require pretreatments,an inert environment,and long hours of physical ball milling for high homogeneity and synergistic effects.CaH_(2)also inhibits the hydrolysis reaction by forming its products on the Al/Si surface,which hinders the direct utilization of composites.This work represents the first investigation of NaH-CaH_(2)(Al/Si)fuel composites,which greatly overcome these limitations and can be directly used for on-site hydrogen generation and proton exchange membrane(PEM)fuel cells.The NaH-CaH_(2)(Al/Si)fuel composites were prepared by using a straightforward mixing method with variable composition ratios,showing high H_(2)yield and fuel cell(FC)performance.NaH addition provides the bridge effect,which opens up a new way to enable efficient hydrolysis and greatly enhances the hydrolysis activity of CaH_(2)/(Al/Si)composites.The novel fuel composites(NaH-CaH_(2)/Al)have extraordinary FC performance and a 0.42 W/cm2 peak power density greater than commercial hydrogen generators.It provides high H_(2)yield 84.4%for NaH-CaH_(2)/Al and 82%for NaH-CaH_(2)/Si compared to NaOH-CaH_(2)(Al/Si),NaCl-CaH_(2)(Al/Si),and KCl-CaH_(2)(Al/Si)composites.The NaH bridge effect hinders the direct water contact and stops the formation of Ca(OH)2 around Al/Si,which provides adequate pathways for the CaH_(2)(Al/Si)hydrolysis.The impressive capabilities of novel fuel composites are anticipated to offer practical uses in fuel cells,automobile applications,and portable/on-board H_(2)generation. 展开更多
关键词 On-site hydrogen HYDROLYsiS Fuel composites NaH-CaH_(2)/(Al/si) Bridge effect Ambient temperature Inorganic materials High H_(2)yield PEM fuel cell
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LiTaO_(3)/SiO_(2)/Poly-Si/Si衬底SAW谐振器高阶模态抑制
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作者 周增毅 帅垚 +3 位作者 吴传贵 彭斌 潘忻强 张万里 《压电与声光》 北大核心 2026年第1期6-11,共6页
通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可... 通过优化Si的晶体取向,将Si相对于LiTaO_(3)单晶薄膜进行面内旋转,可抑制LiTaO_(3)/SiO_(2)/poly-Si/Si(LTOI)衬底SAW谐振器中高阶模态。通过(110)Si、(100)Si、(111)Si体波声速曲线与主模声速Vmain、高阶模态声速V_(p-h)的对比分析,可知当(110)Si面内旋转角度a110=90°/160°/270°/340°时,Si衬底水平剪切体声波声速V_(SH)和垂直剪切体声波声速V_(SV)同时达到较小的值,高阶模态杂波声速V_(p-h)>V_(SH),V_(p-h)>V_(SV),高阶模态杂波的能量辐射到Si衬底中发生泄露,从而达到抑制高阶模态的目的。仿真和流片实验表明,对于使用逆时针旋转270°的(110)Si的LTOI衬底SAW谐振器,其仿真、流片实验的阻抗曲线均未观察到高阶模态杂散响应。 展开更多
关键词 高阶模态抑制 声表面波谐振器 声表面波(SAW) LTOI si的晶体取向
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面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:4
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作者 肖标 郭祺 +2 位作者 涂春鸣 肖凡 龙柳 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1117-1128,共12页
由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或... 由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或可靠性,调控参数单一且尚未兼顾损耗和可靠性的整体优化,考虑多调控参数的HyS集成驱动电路更是极为缺乏。首先,该文在充分挖掘开关时序、驱动电压等多调控参数对HyS特性影响的基础上,提出一种面向开关时序与驱动电压自主协同调控的HyS驱动电路软硬件架构设计方法,所提驱动电路不仅能为HyS提供由不同开关时序与驱动电压组成的三种开关模式,而且能根据负载电流水平实现开关时序与驱动电压的自主协同调控。其次,搭建基于所提驱动电路的HyS型单相逆变器,验证了所提驱动电路的有效性。最后,从逆变器效率、驱动电路功率损耗以及成本三个方面分析了所提驱动电路的优势。 展开更多
关键词 siC/si混合开关 开关时序 驱动电压 协同控制 驱动电路
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Ca/Si对复合胶凝材料力学性能的影响及复合凝胶材料的水化机理 被引量:4
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作者 罗文彬 许晔 +4 位作者 李中林 彭彪 王露森 王胜杰 李义兵 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2025年第1期141-152,共12页
C-S-H等胶凝产物是胶凝材料力学性能的主要来源,胶凝产物主要由钙、硅和铝元素组成,钙、硅元素的比例直接影响胶凝产物的组成和结构。以脱硫石膏、粉煤灰和高炉矿粉为主要原料,制备三元复合胶凝材料,探究不同Ca/Si(0.9~1.3)对脱硫石膏-... C-S-H等胶凝产物是胶凝材料力学性能的主要来源,胶凝产物主要由钙、硅和铝元素组成,钙、硅元素的比例直接影响胶凝产物的组成和结构。以脱硫石膏、粉煤灰和高炉矿粉为主要原料,制备三元复合胶凝材料,探究不同Ca/Si(0.9~1.3)对脱硫石膏-粉煤灰-高炉矿粉三元胶凝材料力学性能的影响,而后采用XRD、SEM、EDS、FTIR、TG等微观结构表征,测试分析了不同Ca/Si胶凝材料的水化机理。结果表明,最佳Ca/Si=1.1的条件下,采用SiO_(2)/Na_(2)O=1、水玻璃用量10%、水胶比0.5时,固化28 d后抗压强度达到62.2 MPa,且胶凝材料中As、Pb、Cd、Cr、Ni、Zn的浸出浓度均符合国家Ⅳ类地表水环境质量标准;合适的Ca/Si可充分促进内部钙、硅、铝元素的水化反应,可在一定程度上提高凝结时间,提高流动度,给予足够时间以促进硅酸盐、铝硅酸盐与钙的充分反应,生成足够足量的胶凝产物,提高材料致密度。 展开更多
关键词 Ca/si 复合胶凝材料 碱激发 水化机理 毒性浸出
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基于SiC导通比例与开关频率协同调控的Si/SiC混合器件综合热管理方法 被引量:1
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作者 韩硕 涂春鸣 +3 位作者 龙柳 肖凡 肖标 郭祺 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第13期5241-5254,I0026,共15页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFE... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiC HyS)有效结合了Si IGBT的大载流能力、低成本与SiC MOSFET的高频、低开关损耗优势,突破了单一器件的性能桎梏。然而,非平稳工况下Si/SiC HyS内部结温波动分布不均衡,存在SiC MOSFET老化过速的问题。目前,针对Si/SiC HyS的热管理策略研究鲜有报道,而变开关频率作为单一器件中应用最为广泛的结温调节方法,难以调节Si/SiC HyS内部的结温差异,导致Si IGBT热容量利用率较低。考虑到SiC导通比例可利用Si IGBT的结温调节空间来降低SiC MOSFET的热应力,从多层级热管理视角出发,提出一种基于SiC导通比例DSiC与开关频率f协同调控的Si/SiC HyS综合热管理方法。所提热管理方法根据设定的结温波动阈值,对开关频率和SiC导通比例的目标参数域进行全面刻画,并实现f-DSiC参数的最短调节路径规划,最终将SiC MOSFET和Si IGBT结温波动平滑至同一阈值以内。实验结果表明,相较于变开关频率方法,采用所提综合热管理方法的Si/SiC HyS最大结温波动降低了24.31%,且任一负载波动下SiC MOSFET和Si IGBT的结温波动均被平滑至同一阈值以内,显著提高了Si/SiC HyS的整体使用寿命。 展开更多
关键词 si/siC混合器件 热管理方法 开关频率 siC导通比例 结温波动
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GeSi/Si共振隧穿二极管 被引量:1
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作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期627-634,共8页
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅... GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。 展开更多
关键词 Gesi/si共振隧穿二极管 Gesi/si异质结 Gesi/si带间共振隧穿二极管 能带结构 材料结构
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混合SiC/Si有源钳位三电平光储功率模块电热优化设计
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作者 赵留青 梁钰茜 +2 位作者 牛富丽 邹铭锐 曾正 《重庆大学学报》 北大核心 2025年第11期25-40,共16页
得益于高效率优势,混合SiC/Si有源钳位(active neutral point clamped,ANPC)三电平电路拓扑在光储发电系统中应用广泛。但传统混合SiC/Si功率模块中,Si器件的使用限制了效率提升,SiC器件引入后又可能导致热分布不均、电压过冲及振荡等... 得益于高效率优势,混合SiC/Si有源钳位(active neutral point clamped,ANPC)三电平电路拓扑在光储发电系统中应用广泛。但传统混合SiC/Si功率模块中,Si器件的使用限制了效率提升,SiC器件引入后又可能导致热分布不均、电压过冲及振荡等问题。提出了一种综合设计方法,结合功率器件损耗均衡与功率模块布局寄生电感优化,以提高混合SiC/Si ANPC电路拓扑的功率模块性能。建立了功率模块损耗模型,并进行热性能优化,降低结温与芯片温差;构建了寄生电感模型,通过优化设计减小寄生电感;研制了基于ANPC拓扑的混合SiC/Si功率模块,并开展电热性能测试。实验结果验证了功率模块在损耗、寄生电感及热分布方面的显著优势。 展开更多
关键词 三电平拓扑 有源钳位 混合siC/si功率模块 电-热优化设计
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Effect of Bi/Si Ratio of BiBSi Glass on Its Structure, Properties and Laser Sealing Shear Strength for Vacuum Glazing 被引量:1
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作者 LIU Wei JIAO Jinxu +7 位作者 LUO Dusha ZHOU Junjie SHI Lifen WANG Weiwei LI Changqing WANG Peng XIONG Dehua LI Hong 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2025年第1期13-24,共12页
The low-melting glass of Bi2O_(3)-B2O_(3)-SiO_(2)(BiBSi)system was used for the first time for laser sealing of vacuum glazing.Under the condition of constant boron content,how the structure and properties vary with B... The low-melting glass of Bi2O_(3)-B2O_(3)-SiO_(2)(BiBSi)system was used for the first time for laser sealing of vacuum glazing.Under the condition of constant boron content,how the structure and properties vary with Bi/Si ratio in low-melting glass was investigated.In addition,the relationships between laser power,low-melting glass solder with different Bi/Si ratios and laser sealing shear strength were revealed.The results show that a decrease in the Bi/Si ratio can cause a contraction of the glass network of the low-melting glass,leading to an increase of its characteristic temperature and a decrease of its coefficient of thermal expansion.During laser sealing,the copper ions in the low-melting glass play an endothermic role.A change in the Bi/Si ratio will affect the valence state transition of the copper ions in the low-melting glass.The absorbance of the low-melting glass does not follow the expected correlation with the Bi/Si ratio,but shows a linear correlation with the content of divalent copper ions.The greater the concentration of divalent copper ions,the greater the absorbance of the low-melting glass,and the lower the laser power required for laser sealing.The shear strength of the low melting glass solder after laser sealing was tested,and it was found that the maximum shear strength of Z1 glass sample was the highest up to 2.67 MPa. 展开更多
关键词 Bi2O_(3)-B2O_(3)-siO_(2)(BiBsi) Bi/si ratio low-melting glass laser sealing vacuum glazing
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基于驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制
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作者 白丹 涂春鸣 +2 位作者 龙柳 肖凡 肖标 《电工技术学报》 北大核心 2025年第16期5068-5080,共13页
Si/SiC混合器件兼具低成本、低损耗等优势,是支撑电力电子装备大容量、高可靠发展的重要器件。而负载电流变化引起的SiC MOSFET大幅结温波动,制约了Si/SiC混合器件整体寿命的提高。为解决该问题,该文详细分析驱动电压对混合器件开关轨... Si/SiC混合器件兼具低成本、低损耗等优势,是支撑电力电子装备大容量、高可靠发展的重要器件。而负载电流变化引起的SiC MOSFET大幅结温波动,制约了Si/SiC混合器件整体寿命的提高。为解决该问题,该文详细分析驱动电压对混合器件开关轨迹及损耗的影响,提出一种考虑驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制策略。所提策略通过在低电流负载区间采用SiC MOSFET损耗较高的驱动电压模式来补偿损耗,高负载电流区间则采用SiC MOSFET损耗较低的驱动电压模式来降低损耗,可以显著平滑Si/SiC混合器件中SiC MOSFET的结温波动,降低其与Si IGBT的结温波动差值,有效延长Si/SiC混合器件整体的剩余使用寿命。实验结果表明,任何负载波动下,该文所提驱动电压主动切换策略均可以将SiC MOSFET的结温波动平滑30%以上,同时SiC MOSFET与Si IGBT的结温波动幅值差减小84.4%。 展开更多
关键词 si/siC混合器件 siC MOSFET 结温波动平滑 驱动电压模式 负载波动
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Fe/Si比对1235铝合金电池箔金相及析出相的影响
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作者 瞿继飞 王生宁 +1 位作者 史慧 周建荣 《甘肃冶金》 2025年第1期116-120,125,共6页
以0.24 mm厚度1235电池箔坯料为研究对象,分别截取不同化学组分的1235合金样品,采用混合酸对其截面进行腐蚀后,利用ImageJ和Nano Measurer处理软件对其金相图片进行边界化处理和析出相尺寸进行统计分析。结果表明:1235合金冷轧坯料截面... 以0.24 mm厚度1235电池箔坯料为研究对象,分别截取不同化学组分的1235合金样品,采用混合酸对其截面进行腐蚀后,利用ImageJ和Nano Measurer处理软件对其金相图片进行边界化处理和析出相尺寸进行统计分析。结果表明:1235合金冷轧坯料截面析出相尺寸基本在5μm范围之内分布,Fe/Si比在4.2时生产的1235合金冷轧坯料横截面上表层的析出相相对稀疏,Fe/Si比在3.8时生产的1235合金冷轧坯料横截面上表层的析出相相对密集。 展开更多
关键词 Fe/si 1235电池箔 金相结构 析出相
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不同Zr/Si含量对近α高温钛合金组织和性能的影响
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作者 渠彬琳 杨振博 +1 位作者 邓玉磊 张长江 《铸造》 2025年第11期1449-1455,共7页
以自行设计的近α高温钛合金为研究对象,采用真空电弧熔炼制备试样并研究Zr/Si含量配比对其组织和热压缩性能的影响。结果表明:Zr、Si元素含量的增加会引起晶格畸变,细化铸态合金中的原始β晶粒和片层α相厚度。12Zr-0.45Si合金中出现... 以自行设计的近α高温钛合金为研究对象,采用真空电弧熔炼制备试样并研究Zr/Si含量配比对其组织和热压缩性能的影响。结果表明:Zr、Si元素含量的增加会引起晶格畸变,细化铸态合金中的原始β晶粒和片层α相厚度。12Zr-0.45Si合金中出现了明显的硅化物偏聚,而9Zr-0.45Si合金中析出的硅化物较为弥散且细小。热压缩后,片层α相发生了扭转,等轴α相析出,在变形过程中发生了动态再结晶和动态回复。在动态软化阶段,动态回复占据主导。对比不同Zr/Si比合金,9Zr-0.45Si合金的室温和900℃热压缩性能综合最佳,表现出最优的成分-性能组合。 展开更多
关键词 近α高温钛合金 Zr/si含量 铸态微观组织 力学性能 热压缩
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考虑驱动参数的Si/SiC混合器件损耗建模研究
13
作者 刘平 曹麒 +3 位作者 肖标 肖凡 郭祺 涂春鸣 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第10期133-144,共12页
针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最... 针对SiC MOSFET与Si IGBT并联构成的Si/SiC混合器件在不同驱动参数下损耗模型精度低问题,提出一种基于驱动参数的损耗建模方法.首先,在两种典型开关时序下分段分析Si/SiC混合器件的暂态过程.其次,基于驱动电压与驱动电阻构建损耗模型.最后,搭建双脉冲测试与稳态参数测量实验平台,在不同驱动电阻、不同负载电流与不同驱动电压条件下验证模型的准确性.实验结果表明,开关时序Ⅰ下开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别达到97.61%和99.20%;在开关时序Ⅱ下,开通损耗与关断损耗模型的拟合度分别为97.83%和97.66%. 展开更多
关键词 功率半导体器件 siC MOSFET si IGBT 混合器件 损耗 驱动参数
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Mg/Si比对Al-Mg-Si合金力学与导热导电性能的影响
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作者 张艺 董其鹏 长海博文 《热加工工艺》 北大核心 2025年第10期56-62,69,共8页
Al-Mg-Si系合金因其优异的导热导电性能被广泛应用于电子通讯散热及电力传输等领域,但受限于力学性能与导电导热性能之间矛盾关系,往往难以实现同步提升。立足于高力学性能合金成分设计,研究了不同Mg/Si比对合金力学性能与导电/导热性... Al-Mg-Si系合金因其优异的导热导电性能被广泛应用于电子通讯散热及电力传输等领域,但受限于力学性能与导电导热性能之间矛盾关系,往往难以实现同步提升。立足于高力学性能合金成分设计,研究了不同Mg/Si比对合金力学性能与导电/导热性能的影响规律,并通过DSC曲线分析与JMatPro模拟计算,对试验所得结果进行了理论分析。结果表明,Mg含量一定时,硬度和强度随Mg/Si比的增加而降低,电导/热导率则呈现相反的趋势。合金性能的变化与主要强化相β''的析出行为有关,在时效过程中,低Mg/Si比合金的β''析出速率远大于高Mg/Si比合金,其中Mg/Si比为1.02时,Mg、Si原子比接近β''形核时的Mg/Si比,析出更为充分,从而在相同时效条件下具备更优异的综合性能。 展开更多
关键词 AL-MG-si合金 Mg/si 强度 热导率 导电率
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垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
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作者 陈丹莹 闫龙 +6 位作者 罗稼昊 郑振宇 姜勇 张凯 周宁 廖宸梓 郭世平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期569-580,共12页
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与... 本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 化学气相沉积 C/si CFD模拟仿真
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废弃粽叶制备N/O/Si自掺杂多孔碳及其电化学性能研究
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作者 申昌健 唐琴 +2 位作者 陈杨 谭罗莉 陈先勇 《湖北民族大学学报(自然科学版)》 2025年第3期320-326,共7页
为满足市场对低成本超级电容器电极材料日益增长的需求,以废弃的粽子包裹叶为前驱体,采用简便的一步KHCO_(3)活化法,在温度为700℃和少量活化剂(KHCO_(3)与粽子包裹叶的质量比为1∶1)条件下制备了N/O/Si自掺杂分级多孔碳,利用所制备的... 为满足市场对低成本超级电容器电极材料日益增长的需求,以废弃的粽子包裹叶为前驱体,采用简便的一步KHCO_(3)活化法,在温度为700℃和少量活化剂(KHCO_(3)与粽子包裹叶的质量比为1∶1)条件下制备了N/O/Si自掺杂分级多孔碳,利用所制备的多孔碳组装对称超级电容器。分析该材料的微观结构并对其电化学性能进行了测试。结果表明,得益于所制备多孔碳的发达孔隙结构和N、O、Si异质原子的共掺杂,超级电容器在0.1 A/g的电流密度下具有142.4 F/g的比电容;在2.0 A/g的电流密度下进行充放电循环10000次后,比电容保持率为85.94%,表现出优异的循环性能。该研究结果对废弃粽子包裹叶的综合再利用及多种异质元素掺杂多孔碳的制备及应用提供了新思路。 展开更多
关键词 生物质废弃物 多孔碳 KHCO 3活化 N/O/si共掺杂 超级电容器
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具有优良性能的三维多孔Zn/Si双掺杂Al(PO_(3))_(3)涂层负载的Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3) /C钠离子电池
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作者 俸锦旺 雷炳新 《材料科学》 2025年第1期140-148,共9页
Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3)(NVP)作为一种多正离子正极材料,在储能领域展现出巨大的潜力。然而,由于其内在导电性差和严重的结构退化,其应用受到了限制。在本研究中,我们采用球磨和煅烧技术的协同混合,制造出了一种Zn/Si双掺杂NVP正极材料... Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3)(NVP)作为一种多正离子正极材料,在储能领域展现出巨大的潜力。然而,由于其内在导电性差和严重的结构退化,其应用受到了限制。在本研究中,我们采用球磨和煅烧技术的协同混合,制造出了一种Zn/Si双掺杂NVP正极材料(Na_(3)V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO_(4)) _(2.9 )(SiO_(4))_( 0.1 )/C)。此外,这种材料的表面还通过湿法工艺附着了一层热稳定的Al(PO_(3))_(3)层。多孔Na_(3)V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO_(4)) _(2.9 )(SiO_(4))_( 0.1 )/C@Al(PO_(3))_(3)正极表现出卓越的稳定性,即使在5C的倍率下循环1000次,容量仍能保持90.8%。此外,在10 C和20 C的较高倍率下,正极的初始容量分别达到94.1 mAh·g^(−1)和84.89 mAh·g^(−1),而在2000次循环后,其容量分别保持在86.19 mAh·g^(−1)和76.54 mAh·g^(−1)。通过Zn/Si共掺杂显著提高了电池的低倍率性能,并且通过Al(PO_(3))_(3)改性显著提高了电池的高倍率性能。多孔Na_(3)V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO_(4)) _(2.9 )(SiO_(4))_( 0.1 )/C@Al(PO_(3))_(3)材料表现出较强的倍率性能和显著的循环稳定性,突出了其在高性能储能应用方面的巨大潜力。因此,本研究提出了一种通过表面改性和双掺杂技术来提高电化学性能的特殊方法。 展开更多
关键词 Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(3) Zn/si共掺杂 表面改性 高倍率性能 长循环寿命
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Interfacial thermal resistance in amorphous Mo/Si structures:A molecular dynamics study
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作者 Weiwu Miao Hongyu He +3 位作者 Yi Tao Qiong Wu Chao Wu Chenhan Liu 《Chinese Physics B》 2025年第10期228-234,共7页
Efficient thermal management is critical to the reliability and performance of nanoscale electronic and photonic devices,particularly those incorporating multilayer structures.In this study,non-equilibrium molecular d... Efficient thermal management is critical to the reliability and performance of nanoscale electronic and photonic devices,particularly those incorporating multilayer structures.In this study,non-equilibrium molecular dynamics simulations were conducted to systematically investigate the effects of temperature,penetration depth,and Si layer thickness on the interfacial thermal resistance(ITR)in nanometer-scale Mo/Si multilayers,widely employed in extreme ultraviolet lithography.The results indicate that:(i)temperature variations exert a negligible influence on the ITR of amorphous Mo/Si interfaces,which remains stable across the range of 200-900 K;(ii)increasing penetration depth enhances the overlap of phonon density of states,thereby significantly reducing ITR;(iii)the ITR decreases with increasing Si thickness up to4.2 nm due to quasi-ballistic phonon transport,but rises again as phonon scattering becomes more pronounced at larger thicknesses.This study provides quantitative insights into heat transfer mechanisms at amorphous interfaces and also offers a feasible strategy for tailoring interfacial thermal transport through structural design. 展开更多
关键词 thermal management Mo/si structure interface thermal resistance molecular dynamics simulation
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Effect of Mg/Si mass ratio on microstructure and mechanical properties of Al-Mg-Si cast aluminum alloy
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作者 Jia-yan Chen Ce Zheng +5 位作者 Cheng Zhu Ying-ju Li Tian-jiao Luo Cui-rong Liu Shao-qiang Xu Yuan-sheng Yang 《China Foundry》 2025年第2期163-172,共10页
The effect of Mg/Si mass ratio on the microstructure and mechanical properties of Al-Mg-Si cast aluminum alloys under sub-rapid solidification conditions was investigated.This study utilized four different Mg/Si ratio... The effect of Mg/Si mass ratio on the microstructure and mechanical properties of Al-Mg-Si cast aluminum alloys under sub-rapid solidification conditions was investigated.This study utilized four different Mg/Si ratios:2.83,1.91,1.73,and 1.53.To analyze the evolution of the microstructure,particularly the second phase,various techniques were employed:optical microscopy(OM),scanning electron microscopy(SEM),energy dispersive spectrometry(EDS),and electron backscatter diffraction(EBSD).Additionally,thermodynamic calculations were performed using the Thermal-calc software to further understand the microstructural changes.Results show that as the Mg/Si ratio decreases from 2.83 to 1.53,α-Al grains become more uniformly distributed.Meanwhile,the morphology of the Mg_(2)Si phases changes from skeletal to short stick shapes with a decreasing aspect ratio.An as-cast Al-Mg-Si alloy with a Mg/Si ratio of 1.53 exhibits high strength,achieving an ultimate tensile strength(UTS)of 320.6 MPa and a yield strength(YS)of 249.9 MPa.The cast alloy with a Mg/Si ratio of 2.83exhibits the highest elongation,reaching 5.31%.This superior elongation is attributed to the uniform distribution of Mg_(2)Si phases,which possess a long skeletal shape.Conversely,the alloy with a Mg/Si ratio of 1.53 demonstrates the lowest elongation,primarily due to the central concentration of Mg_(2)Si phases,which are characterized by their short stick shapes. 展开更多
关键词 Al-Mg-si casting alloys Mg/si mass ratio dendrite arm spacing Mg_2si phase mechanical properties
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SiC/Si混合开关时间延迟及其信号调制方法 被引量:3
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作者 丁四宝 王盼宝 +1 位作者 王卫 徐殿国 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1129-1144,共16页
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了... SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了更简单高效地生成SiC/Si HyS的SiC MOSFET和Si IGBT驱动信号,该文提出一种针对最小SiC导通模式的信号调制电路,通过配置对应的RC缓冲电路中的电阻、电容值即可调节控制模式中的四个时间尺度,该方法具有灵活简单等优点。首先,理论分析最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS结构损耗分布特性;其次,给出信号调制电路原理并介绍信号调制电路的工作原理,建立RC缓冲电路参数和时间尺度之间的函数方程;最后,基于搭建的SiC/Si HyS硬件平台,在双脉冲测试电路中验证最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS损耗特性和所提信号调制电路的有效性,并在1.5 kW两电平逆变器中检验所提信号调制电路的动态运行特性。 展开更多
关键词 siC MOSFET si IGBT 混合开关 开关损耗 信号调制
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