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自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
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作者 胡强 魏同波 +4 位作者 段瑞飞 羊建坤 霍自强 卢铁城 曾一平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2169-2172,共4页
采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描... 采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07cm-2。这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量。通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放。研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。 展开更多
关键词 gan Thick Films 线
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Analysis of fibronectin, fibronectin receptor and interleukin 1 in patients with cirrhosis treated by Yanggan Jieyu decoction 被引量:2
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作者 WU Hong, GAO Jie Sheng, FAN Jian Zhen, Huang Jing and DENG Jan Wei 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS CSCD 1997年第3期49-51,共3页
AIM To investigate the adjusting effects of the Yanggan Jieyu (YGJY, nourishing the liver and alleviate mental depression) decoction on the plasma concentration of fibronectin (FN), fibronectin receptor (FNR), tumor ... AIM To investigate the adjusting effects of the Yanggan Jieyu (YGJY, nourishing the liver and alleviate mental depression) decoction on the plasma concentration of fibronectin (FN), fibronectin receptor (FNR), tumor necrosis factor alpha (TNF α) and the activity of interleukin 1 (IL 1) in patients with cirrhosis. METHODS Thirty four cases of cirrhosis (in decompensation) were divided into YGJY decotion treated group and control group treated by routine method. FN, FNR and TNF α were measured with ELESA and expressed as mg/L (FN, FNR) and ng/L (TNF α), and IL 1 was measured by mice thymocyte proliferation using β scintillation counter and expressed as cpm. RESULTS In YGJY decoction treated group, before treatment, FN was 247 9±97 2, FNR 5 6±2 7, TNF α 83 9±7 1 and IL 1 was 2760 8±813 6, and after treatment. FN was 298 3±93 2 ( P <0 01), FNR 4 3±2 3 ( P <0 05, TNF α 93 6±12 0 ( P <0 05) and IL 1 was 1922 3±847 0 ( P <0 05). The FN and TNF α plasma level after treatment increased remarkably, while FNR and IL 1 decreased obviously. In the control group before treatment, FN was 248 8±101 9, FNR 5 5±1 9, TNF α 126 1±48 1 and IL 1 was 2540 6±603 2, and after treatment was 241 6±77 1 ( P >0 05), FNR 5 4±1 2 ( P >0 05), TNF α 100 6±15 5 ( P >0 05) and IL 1 was 2360 6±860 0 ( P >0 05), the plasma levels of FN, TNF α, FNR and IL 1 did not change signifiantly. CONCLUSION YGJY decoction could prevent the process of the hepatic fibrosis by readjusting the plasma levels of FN, FNR, TNF α and IL 1 mediating acivities in cirrhosis, which is of clinical significance. 展开更多
关键词 liver CIRRHOSIS Yan gan Jie Yu DECOCTION FIBRONECTIN receptors FIBRONECTIN tumor NECROSIS factor INTERLEUKIN 1 medicine Chinese traditional
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融合Transformer与DF-GAN的文本生成图像方法
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作者 马静 车进 孙末贤 《计算机工程》 北大核心 2026年第2期413-422,共10页
文本生成图像任务中的文本编码器不能深度挖掘文本信息,导致后续生成的图像语义不一致。针对该问题,提出一种DXC-GAN文本生成图像方法。引入Transformer系列中的XLNet(Xtra Long Network)预训练模型替换原始文本编码器,捕获大量文本的... 文本生成图像任务中的文本编码器不能深度挖掘文本信息,导致后续生成的图像语义不一致。针对该问题,提出一种DXC-GAN文本生成图像方法。引入Transformer系列中的XLNet(Xtra Long Network)预训练模型替换原始文本编码器,捕获大量文本的先验知识,实现对上下文信息的深度挖掘。添加CBAM(Convolutional Block Attention Module)注意力模块,使生成器更加关注图像中的重要信息,从而解决生成图像细节不完整和空间结构错误问题。在判别器中引入对比损失,与模型中匹配感知梯度惩罚和单向输出结合,使得相同语义图像之间更加接近,不同语义图像之间更加疏远,从而增强文本与生成图像之间的语义一致性。实验结果表明:与DF-GAN相对比,DXC-GAN在CUB数据集上的IS(Inception Score)与FID(Fréchet Inception Distance)分别提升了4.42%和17.96%;在Oxford-102数据集上,IS为3.97,FID为37.82;相较于DF-GAN,DXC-GAN在鸟类图像生成方面有效避免了多头少脚等畸形问题,同时在花卉图像生成上也显著减少了花瓣残缺等图像质量问题;此外,DXC-GAN还增强了文本与图像的对齐性,显著提升了图像的完整度和生成效果。 展开更多
关键词 XLNet CBAM
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氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)
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作者 张泽 王岩国 李辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期253-258,共6页
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ... 直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N 展开更多
关键词 gan Ingan/Algan
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基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
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作者 李世权 蔡利康 +1 位作者 林罡 章军云 《电子技术应用》 2026年第1期43-47,共5页
基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器... 基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%,显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外,还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 线 gan HEMT
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MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 被引量:2
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作者 陆大成 刘祥林 +3 位作者 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期1-5,共5页
报道用自行研制的LP-MOVPE设备, 在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED, 其发射波长分别为430~450nm和520~540nm。
关键词 gan Ingan Algan LED 绿LED MOVPE
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高功率GaN基蓝光二极管激光器性能退化实验研究
7
作者 谢鹏飞 张永刚 +6 位作者 王丞乾 吕文强 武德勇 郭林辉 雷军 王昭 高松信 《强激光与粒子束》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限... 高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限制,因此对其性能退化因素进行深入研究。基于光学显微技术、扫描电子显微表征和能谱分析手段对经过长时老化考核后器件的性能退化因素进行分析研究。实验研究和分析表明,GaN基体材料缺陷、腔面多余物沉积和光化学腐蚀是导致蓝光二极管激光芯片性能退化的主因,同时良好的气密性封装可提高二极管激光芯片的可靠性。 展开更多
关键词 高功率gan蓝光二极管激光器 退
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AlGaN/GaN异质结欧姆接触优化与导通机理研究
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作者 王强 曹京津 +2 位作者 曲莹 范晶晶 李飞扬 《微纳电子技术》 2026年第1期87-93,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻... 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻分别为1.01Ω·mm和304Ω/□。通过TLM结构的变温测试来研究AlGaN/GaN异质结欧姆接触的导通机理。实验结果表明,随着测试温度升高,接触电阻率仅从1.01Ω·mm增加到1.26Ω·mm,展现出良好的温度稳定性。比接触电阻率与温度的拟合曲线表明,场发射是AlGaN/GaN异质结欧姆接触电流传输的主导机制。透射电子显微镜的结果表明,在高温退火中,金属Ti扩散至AlGaN中与之发生反应并产生大量的N空位,在AlGaN势垒层中形成重掺杂,从而减小了势垒宽度,促进了欧姆接触的形成。 展开更多
关键词 ALgan/gan异质结 线(TLM)
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互信息GANs的二分图Top-K推荐长尾增强
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作者 周维柏 李蓉 黄丹 《计算机技术与发展》 2026年第1期127-132,共6页
针对推荐系统中普遍存在的用户-项目交互数据长尾分布问题,该文提出一种融合属性语义流与交互拓扑流的动态双流优化框架。首先,构建属性引导的虚拟交互边生成算法,通过项目属性相容性构建用户与长尾项目的潜在关联通道,生成增广邻接矩... 针对推荐系统中普遍存在的用户-项目交互数据长尾分布问题,该文提出一种融合属性语义流与交互拓扑流的动态双流优化框架。首先,构建属性引导的虚拟交互边生成算法,通过项目属性相容性构建用户与长尾项目的潜在关联通道,生成增广邻接矩阵从而增强拓扑结构鲁棒性,有效扩展了用户与长尾项目间的隐性关联;其次,结合互信息正则化条件对抗生成网络,引入属性约束特征补偿机制,有效缓解尾部项目特征稀疏问题;最后,构建包含局部-全局-长尾判别器的分层对抗架构,通过局部模式校验、全图分布对齐及逆频率动态加权的多重监督策略,实现表征空间的均衡优化。实验表明,该方案在保持头部推荐精度的同时,显著提升了长尾覆盖率与分布公平性,消融研究验证了虚拟边生成、互信息约束及梯度平衡策略对性能提升的关键作用,为解决推荐系统长尾问题提供了有效思路。 展开更多
关键词 互信息gans
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Water Extraction Process of Chinese Herbal Compound Man Gan Ning
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作者 Chunli TANG Jiangcun WEI +4 位作者 Zhen XIE Meiyan QIU Jiabao MA Fengxian ZHAO Hongxia CHEN 《Medicinal Plant》 CAS 2019年第6期60-65,共6页
[Objectives]To optimize the water extraction process of Chinese Herbal Compound Man Gan Ning and establish a method for its extraction and content determination.[Methods]The L9(34)orthogonal test was carried out,the c... [Objectives]To optimize the water extraction process of Chinese Herbal Compound Man Gan Ning and establish a method for its extraction and content determination.[Methods]The L9(34)orthogonal test was carried out,the comprehensive scores of ginsenoside Rb1 content,notoginsenoside R1 content,tanshinone I content and saikosaponin A content in the compound extract were used as evaluation indicators to explore the effects of water addition,the water addition,decoction time and decoction times on the water extraction process,and verification tests were carried out.[Results]The optimized water extraction process was as follows:adding 9 times of water in the first extraction,and extracting for 90 min;adding 7 times of water in the second extraction,and extracting for 60 min;adding 7 times of water in the third extraction,and extracting for 60 min.[Conclusions]The optimized water extraction process is stable and feasible,and can be used for the extraction of various herbs in Compound Man Gan Ning.It can also provide experimental basis for the formulation development of Compound Man Gan Ning sustained release tablet. 展开更多
关键词 MAN gan Ning Orthogonal test Extraction process GINSENOSIDE RB1 Notoginsenoside R1 TANSHINONE I SAIKOSAPONIN A
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2-D Theoretical Model for Current–Voltage Characteristics in AlGaN/GaN HEMT’s 被引量:2
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作者 Manel Charfeddine Hafedh Belmabrouk +1 位作者 Mohamed Ali Zaidi Hassen Maaref 《Journal of Modern Physics》 2012年第8期881-886,共6页
A threshold-voltage-based 2-D theoretical model for the Current–Voltage characteristics of the AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT’s) is developed. The present work proposes an improved charge-control... A threshold-voltage-based 2-D theoretical model for the Current–Voltage characteristics of the AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT’s) is developed. The present work proposes an improved charge-control model by employing the Robin boundary condition when introduced the solution of the 2-D Poisson’s equation in the density of charge depleted in the AlGaN layer. The dependence of 2-DEG sheet carrier concentration on the aluminum composition and AlGaN layer thickness has been investigated in detail. Current–voltage characteristics developed from the 2-DEG model in order to take into account the impact of gate lengths. The relation between the kink effect and existing deep centers has also been confirmed by using an electrical approach, which can allow to adjust some of electron transport parameters in order to optimize the output current. 展开更多
关键词 ALgan/gan High ELECTRON Mobility TRANSISTORS Two-Dimensional ELECTRON Gas Sheet Charge Density CurrentVoltage Characteristics KINK Effect
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一种对抗GAN攻击的联邦隐私增强方法研究
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作者 施寅生 包阳 庞晶晶 《信息网络安全》 北大核心 2026年第1期49-58,共10页
联邦学习通过分布式训练避免数据集中存储,然而,仍存在恶意客户端利用生成式对抗网络(GAN)攻击窃取隐私数据的风险。传统的差分隐私和加密机制等防御手段,存在模型性能与隐私效果权衡难或计算成本高等问题。文章针对联邦学习在图像识别... 联邦学习通过分布式训练避免数据集中存储,然而,仍存在恶意客户端利用生成式对抗网络(GAN)攻击窃取隐私数据的风险。传统的差分隐私和加密机制等防御手段,存在模型性能与隐私效果权衡难或计算成本高等问题。文章针对联邦学习在图像识别任务中面临的GAN攻击风险,提出一种基于Rényi差分隐私的隐私增强方法,旨在提升模型的数据隐私性。Rényi差分隐私的串行组合机制使得在多轮迭代中隐私预算增长速率从传统差分隐私的线性降为亚线性,可有效降低噪声添加量。文章方法利用Rényi差分隐私紧密的噪声组合特性,在客户端梯度更新参数时,通过基于权均衡权重的梯度裁剪和优化的高斯噪声添加,实现差分隐私计算,进而降低隐私泄露风险,同时平衡模型可用性。实验表明,文章方法在模型全局准确性受影响程度可接受的前提下,实现本地数据的隐私保护,增强模型的隐私保护能力,进而有效抵御GAN攻击,保障图像数据隐私性。 展开更多
关键词 gan攻击 Rényi
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基于Voronoi图与改进TT-GAN的光伏时序数据增强方法
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作者 朱耿 蒋元元 +2 位作者 王波 贺旭 王晴 《浙江电力》 2026年第1期102-115,共14页
光伏场站量测数据的匮乏以及传感器故障、通信中断等造成的数据缺失,将影响功率预测的准确性与鲁棒性。因此,以构建统一多源域筛选机制与数据增强框架为目标,提出一种基于Voronoi图与改进TT-GAN(变换器生成对抗网络)的光伏时序数据增强... 光伏场站量测数据的匮乏以及传感器故障、通信中断等造成的数据缺失,将影响功率预测的准确性与鲁棒性。因此,以构建统一多源域筛选机制与数据增强框架为目标,提出一种基于Voronoi图与改进TT-GAN(变换器生成对抗网络)的光伏时序数据增强方法。基于Voronoi图与数据强度指标实现多场景下迁移学习源站点集的动态选取,构建迁移学习赋能的Transformer-GAN模型,改进模型优化处理结构与微调方法,基于自注意力机制与有监督训练增强其处理数据噪声与特征学习的能力,使其适应数据生成和数据修补的不同目标。实验结果表明,所提模型在现有光伏时序数据集基础上实现了数据质量提升,能够提高功率预测的准确性。 展开更多
关键词 VORONOI
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DEVAE-GAN:多级认知工作负荷水平fNIRS数据生成模型
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作者 陈利 马壮 尹钟 《电子科技》 2025年第4期31-38,58,共9页
深度学习方法在fNIRS(functional Near-Infrared Spectroscopy)的应用已成为脑机接口领域的研究热点,但较少的可用数据限制了深度学习模型的性能。文中基于DEVAE-GAN(Dual-Encoder-Variational Autoencoder-Generative Adversarial Netw... 深度学习方法在fNIRS(functional Near-Infrared Spectroscopy)的应用已成为脑机接口领域的研究热点,但较少的可用数据限制了深度学习模型的性能。文中基于DEVAE-GAN(Dual-Encoder-Variational Autoencoder-Generative Adversarial Network)提出适用于fNIRS原始信号生成的方法。将预处理好的fNIRS信号转换为时间和空间表示形式,输入到双编码器中提取时间和空间信息,拼接两条信息并送入解码器中生成样本。为了验证其有效性,在心理负荷任务的公开数据集上进行实验,将不同数量的生成样本扩充到训练数据集,并使用增强的数据集来训练深度神经网络。与多个基线生成模型的对比表明,所提方法生成的样本质量最高,使用该方法后所有被试的平均分类准确率为95.86%,与原始数据集相比提升了0.91%。实验结果表明,所提方法可以有效学习心理负荷任务fNIRS原始数据的分布,生成高质量的样本,提升深度学习模型的性能。 展开更多
关键词 FNIRS DEVAE-gan
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InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱 被引量:3
15
作者 吕国伟 唐英杰 +3 位作者 李卫华 黎子兰 张国义 杜为民 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期39-43,共5页
通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaNGaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaNGaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半... 通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaNGaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaNGaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半高宽也有微小变化。温度升高退火效果更明显。退火使量子阱内应力部分消除,同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化。在常温和低温下的光荧光谱表明,退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移;而且低温退火出现红移,退火温度升高相对低温退火出现蓝移;同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了。讨论了退火对多量子阱光学性质的影响。 展开更多
关键词 INgan/gan 退 MOCVD
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高阈值电压的半环绕式MIS栅极P-GaNHEMT
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作者 何晓宁 贾茂 +3 位作者 李明志 侯斌 杨凌 马晓华 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期333-338,共6页
p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属... p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属环绕p-GaN层,该器件实现了6.9 V的高阈值电压,且栅极操作范围提升至14 V。器件的输出电流由17.1 mA/mm提升至30.5 mA/mm,导通电阻则由106.4Ω·mm降低至47.6Ω·mm。基于SilvacoTCAD软件的仿真结果表明,半环绕式MIS栅极结构显著提升了沟道电流密度,有效降低了栅极下方的尖峰电场强度,从而提高了器件的击穿电压。此外,峰值跨导的误差棒显示样品的平均峰值跨导从5.8 mS/mm增至6.8 mS/mm,进一步验证了半环绕栅(GSA)技术对提升p-GaNHEMT栅极控制能力的显著效果。 展开更多
关键词 (GSA) ALgan/gan HEMT p-gan栅极
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变 被引量:1
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作者 谭伟石 沙昊 +6 位作者 沈波 蔡宏灵 吴小山 蒋树声 郑文莉 贾全杰 姜晓明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期799-804,共6页
用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,... 用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 展开更多
关键词 AlxGa1-x/gan X线 线
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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
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作者 范继锋 王永强 +2 位作者 张艺 李巍 雷鹏 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期241-247,共7页
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基... 为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。 展开更多
关键词 gan (MOSHFET) (2DHG) (SS)
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AlN介质层对GaN表面生长金刚石钝化膜的影响研究
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作者 梁礼峰 郁鑫鑫 +4 位作者 李忠辉 刘金龙 李成明 王鑫华 魏俊俊 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1417-1425,共9页
GaN表面生长金刚石钝化膜可用于改善器件传热能力,提升器件功率特性及可靠性。在GaN和金刚石层中间的介质层,对于实现高质量的GaN表面金刚石(Diamond-on-GaN)至关重要。本研究采用原子层沉积(ALD)技术在GaN表面预先沉积了10 nm的晶态/... GaN表面生长金刚石钝化膜可用于改善器件传热能力,提升器件功率特性及可靠性。在GaN和金刚石层中间的介质层,对于实现高质量的GaN表面金刚石(Diamond-on-GaN)至关重要。本研究采用原子层沉积(ALD)技术在GaN表面预先沉积了10 nm的晶态/非晶态混合的AlN介质层,并通过氧终端金刚石悬浮液在AlN层上实现了高密度静电自组装播种;随后通过优化的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)工艺再生长约120 nm厚的纳米晶金刚石(NCD)薄膜。表面氧终端调控的纳米金刚石悬浮液可以在AlN介质层表面实现高密度播种,结合梯度甲烷的MPCVD金刚石生长工艺,制备出了具有高结晶度、低粗糙度(Ra=15.2 nm)和低残余应力(0.84 GPa)的NCD薄膜。时域热反射(TDTR)测量表明,NCD薄膜的热导率约为123.85 W·m^(-1)·K^(-1),GaN与NCD之间的有效界面热阻(TBReff)为(9.78±0.27) m^(2)·K·GW^(-1)。透射电子显微镜(TEM)分析表明,AlN介质层有效保护了GaN免受等离子体刻蚀,并实现了金刚石和GaN之间的光滑界面。本研究表明,采用薄的ALD AlN作为在GaN表面生长金刚石的介质层可以与氧终端金刚石籽晶实现静电自组装,从而提高金刚石形核密度,再通过梯度甲烷金刚石沉积工艺,能够在GaN上沉积出高质量的NCD薄膜并降低金刚石与GaN的界面热阻。 展开更多
关键词 gan AlN
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增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究
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作者 鲍诚 王登贵 +3 位作者 任春江 周建军 倪志远 章军云 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期16-21,共6页
阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅... 阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅极特性退化,阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件,引入了双层源场板和源接地孔结构设计,并研究了该结构对器件栅极漏电与阈值电压的影响。引入上述结构的器件低温(-50℃)下阈值电压相比高温(155℃)时变化了0.4 V,200 V漏极电应力测试后器件阈值电压相比测试前变化了0.24 V,漏极电压变化时阈值电压变化量为0.2 V,变化量均低于未引入该结构的器件。此外,栅极电压为5 V时,研制的400μm器件栅极漏电为1.4μA,在热应力与电应力测试后的变化量约0.1μA。测试结果表明研制的增强型p-GaN栅结构GaN HEMT能够在复杂环境下安全工作。 展开更多
关键词 gan HEMT P-gan
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