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自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
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作者 胡强 魏同波 +4 位作者 段瑞飞 羊建坤 霍自强 卢铁城 曾一平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2169-2172,共4页
采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描... 采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07cm-2。这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量。通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放。研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。 展开更多
关键词 gan Thick Films 线
原文传递
基于可解释性GAN与ChatGPT协同的网络健康谣言识别研究
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作者 由丽萍 谢松军 《现代情报》 北大核心 2026年第4期183-197,共15页
[目的/意义]网络健康谣言的泛滥误导公众认知、加剧社会恐慌,甚至危及公众生命健康,已成为数字时代公共卫生治理的关键挑战。本文为健康谣言的智能治理提供兼具可信性与适应性的技术路径,对构建健康信息生态、提升公众科学素养具有重要... [目的/意义]网络健康谣言的泛滥误导公众认知、加剧社会恐慌,甚至危及公众生命健康,已成为数字时代公共卫生治理的关键挑战。本文为健康谣言的智能治理提供兼具可信性与适应性的技术路径,对构建健康信息生态、提升公众科学素养具有重要的现实意义。[方法/过程]本文提出基于可解释性GAN与ChatGPT协同的EGAN-GPT模型,通过跨模型特征融合与动态反馈优化机制提升网络健康谣言识别的性能。利用网络健康信息和已经辟谣过的健康谣言数据进行实验分析,将EGAN-GPT模型与8个基线模型在测试集上的识别效果进行对比。[结果/结论]实验结果表明,EGAN-GPT模型对网络健康谣言的识别准确率高达91.6%,F1值达91.5%,较基线模型平均提升6个百分点,在可解释性、鲁棒性及跨场景适应性方面表现显著。 展开更多
关键词 可解释性gan ChatGPT
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应力释放对InGaN/GaN量子阱有源区发光特性的影响机制
3
作者 郭一庸 武智波 +3 位作者 徐昊一 李长富 高渊 冀子武 《聊城大学学报(自然科学版)》 2026年第2期249-254,共6页
制备了两个不同的绿光InGaN/GaN量子阱(QW)结构(具有和不具有应力释放层),研究了其电致发光(EL)的注入电流依赖性和光致发光(PL)的温度依赖性。EL测量结果显示,与不具有应力释放层的QW结构(S1)相比,具有应力释放层的QW结构(S2)有一个较... 制备了两个不同的绿光InGaN/GaN量子阱(QW)结构(具有和不具有应力释放层),研究了其电致发光(EL)的注入电流依赖性和光致发光(PL)的温度依赖性。EL测量结果显示,与不具有应力释放层的QW结构(S1)相比,具有应力释放层的QW结构(S2)有一个较强的EL强度、显著的能量红移和一个较小的效率下垂;而PL测量结果则显示了S2比S1有更少的非辐射中心、更大的活化能和更高的内量子效率。这些结果表明,应力释放层的导入不仅缓解了有源区的应力、增加了In原子的并入,还提高了其有源区的结构质量、增强了其局域效果,同时降低了其电子泄露。这一解释得到了高分辨率X射线衍射测量结果的证实,结果显示S2比S1有更低的位错密度和更好的结构/结晶质量。 展开更多
关键词 Ingan/gan量子阱
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Analysis of fibronectin, fibronectin receptor and interleukin 1 in patients with cirrhosis treated by Yanggan Jieyu decoction 被引量:2
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作者 WU Hong, GAO Jie Sheng, FAN Jian Zhen, Huang Jing and DENG Jan Wei 《World Journal of Gastroenterology》 SCIE CAS CSCD 1997年第3期49-51,共3页
AIM To investigate the adjusting effects of the Yanggan Jieyu (YGJY, nourishing the liver and alleviate mental depression) decoction on the plasma concentration of fibronectin (FN), fibronectin receptor (FNR), tumor ... AIM To investigate the adjusting effects of the Yanggan Jieyu (YGJY, nourishing the liver and alleviate mental depression) decoction on the plasma concentration of fibronectin (FN), fibronectin receptor (FNR), tumor necrosis factor alpha (TNF α) and the activity of interleukin 1 (IL 1) in patients with cirrhosis. METHODS Thirty four cases of cirrhosis (in decompensation) were divided into YGJY decotion treated group and control group treated by routine method. FN, FNR and TNF α were measured with ELESA and expressed as mg/L (FN, FNR) and ng/L (TNF α), and IL 1 was measured by mice thymocyte proliferation using β scintillation counter and expressed as cpm. RESULTS In YGJY decoction treated group, before treatment, FN was 247 9±97 2, FNR 5 6±2 7, TNF α 83 9±7 1 and IL 1 was 2760 8±813 6, and after treatment. FN was 298 3±93 2 ( P <0 01), FNR 4 3±2 3 ( P <0 05, TNF α 93 6±12 0 ( P <0 05) and IL 1 was 1922 3±847 0 ( P <0 05). The FN and TNF α plasma level after treatment increased remarkably, while FNR and IL 1 decreased obviously. In the control group before treatment, FN was 248 8±101 9, FNR 5 5±1 9, TNF α 126 1±48 1 and IL 1 was 2540 6±603 2, and after treatment was 241 6±77 1 ( P >0 05), FNR 5 4±1 2 ( P >0 05), TNF α 100 6±15 5 ( P >0 05) and IL 1 was 2360 6±860 0 ( P >0 05), the plasma levels of FN, TNF α, FNR and IL 1 did not change signifiantly. CONCLUSION YGJY decoction could prevent the process of the hepatic fibrosis by readjusting the plasma levels of FN, FNR, TNF α and IL 1 mediating acivities in cirrhosis, which is of clinical significance. 展开更多
关键词 liver CIRRHOSIS Yan gan Jie Yu DECOCTION FIBRONECTIN receptors FIBRONECTIN tumor NECROSIS factor INTERLEUKIN 1 medicine Chinese traditional
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融合Transformer与DF-GAN的文本生成图像方法
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作者 马静 车进 孙末贤 《计算机工程》 北大核心 2026年第2期413-422,共10页
文本生成图像任务中的文本编码器不能深度挖掘文本信息,导致后续生成的图像语义不一致。针对该问题,提出一种DXC-GAN文本生成图像方法。引入Transformer系列中的XLNet(Xtra Long Network)预训练模型替换原始文本编码器,捕获大量文本的... 文本生成图像任务中的文本编码器不能深度挖掘文本信息,导致后续生成的图像语义不一致。针对该问题,提出一种DXC-GAN文本生成图像方法。引入Transformer系列中的XLNet(Xtra Long Network)预训练模型替换原始文本编码器,捕获大量文本的先验知识,实现对上下文信息的深度挖掘。添加CBAM(Convolutional Block Attention Module)注意力模块,使生成器更加关注图像中的重要信息,从而解决生成图像细节不完整和空间结构错误问题。在判别器中引入对比损失,与模型中匹配感知梯度惩罚和单向输出结合,使得相同语义图像之间更加接近,不同语义图像之间更加疏远,从而增强文本与生成图像之间的语义一致性。实验结果表明:与DF-GAN相对比,DXC-GAN在CUB数据集上的IS(Inception Score)与FID(Fréchet Inception Distance)分别提升了4.42%和17.96%;在Oxford-102数据集上,IS为3.97,FID为37.82;相较于DF-GAN,DXC-GAN在鸟类图像生成方面有效避免了多头少脚等畸形问题,同时在花卉图像生成上也显著减少了花瓣残缺等图像质量问题;此外,DXC-GAN还增强了文本与图像的对齐性,显著提升了图像的完整度和生成效果。 展开更多
关键词 XLNet CBAM
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氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)
6
作者 张泽 王岩国 李辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期253-258,共6页
直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ... 直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N 展开更多
关键词 gan Ingan/Algan
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多尺度融合的AOT-GAN网络电成像空白条带智能填充
7
作者 黄露逸 王飞 +1 位作者 孔令松 姜启书 《煤田地质与勘探》 北大核心 2026年第2期226-234,共9页
【目的】针对电成像图因仪器极板分布与推靠机制导致的井眼覆盖不全、存在空白条带问题,为克服传统填充方法在强非均质地层中易失真、难以保持裂缝等精细结构的局限,采用基于生成对抗网络的AOT-GAN网络对空白条带进行填充,以实现高精度... 【目的】针对电成像图因仪器极板分布与推靠机制导致的井眼覆盖不全、存在空白条带问题,为克服传统填充方法在强非均质地层中易失真、难以保持裂缝等精细结构的局限,采用基于生成对抗网络的AOT-GAN网络对空白条带进行填充,以实现高精度、高保真的信息重建。【方法】基于原始电成像图与CIFLog全井眼填充图构建高质量数据集,在GAN网络中引入自适应上下文感知与多尺度特征增强机制,结合4种损失函数动态优化,形成兼顾全局语义与局部细节的AOT-GAN网络。依据图像评价指标优选超参数,采用该网络填充不同缝网形态及纹理特征电成像图,并与经典的GAN网络、Criminisi算法、Bicubic插值法进行效果对比。【结果和结论】AOT-GAN在峰值信噪比(32.93 dB)与结构相似性指数(77.58%)上均优于经典算法,填充效果自然无痕,能有效保持高角度缝、网状缝的连续性,准确还原包卷层理与燧石结核等纹理细节,为基于电成像图的储层参数计算提供了可靠的数据支撑与理论依据。 展开更多
关键词 AOT-gan网络
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基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
8
作者 李世权 蔡利康 +1 位作者 林罡 章军云 《电子技术应用》 2026年第1期43-47,共5页
基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器... 基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%,显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外,还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 线 gan HEMT
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氢离子注入GaN高电子迁移率晶体管栅极正向输运、退化与击穿
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作者 张东楷 胡晴 +5 位作者 郭玉龙 翟颖 刘栩珊 王梓旭 于国浩 闫大为 《物理学报》 北大核心 2026年第5期295-301,共7页
本文基于氢等离子体注入技术实现了增强型p-GaN高电子迁移率晶体管向耗尽型器件的转变,研究了栅极正向电流的输运、电流退化与击穿行为.通过变温电流-电压(T-I-V)扫描、低频噪声测试与锁相红外成像技术,获得以下结果:1)在双对数坐标系... 本文基于氢等离子体注入技术实现了增强型p-GaN高电子迁移率晶体管向耗尽型器件的转变,研究了栅极正向电流的输运、电流退化与击穿行为.通过变温电流-电压(T-I-V)扫描、低频噪声测试与锁相红外成像技术,获得以下结果:1)在双对数坐标系下栅极正向T-I-V曲线呈显著幂律关系,斜率对温度不敏感,对应热激活能仅约52 meV,电流噪声具有典型1/f特性,表明正向电流应主要为缺陷辅助跳跃电流;2)在长时间正向栅压应力作用下,器件I-V特性退化为典型整流特性,表明局部高阻GaN区重新形成p-GaN,半对数坐标系下,电流线性区的理想因子高达2.6,电流噪声谱具有1/f特性,证明缺陷辅助隧穿电流成为主要输运机制;3)通过锁相红外成像技术精准定位击穿“热点”位置,并结合像素温度矫正技术测得“热点”处真实温度. 展开更多
关键词 gan高电子迁移率晶体管 退 穿
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时频双域注意力机制GAN的电磁信号降噪
10
作者 边杏宾 石森 +1 位作者 胡志勇 马俊明 《计算机系统应用》 2026年第3期219-230,共12页
在电磁信息安全领域,电磁泄漏红信号的检测受电磁噪声干扰影响严重.传统降噪方法在处理非平稳信号和复杂噪声环境时存在局限性.提出一种基于生成对抗网络(GAN)的降噪方法,通过生成器与判别器的对抗学习实现高效降噪.针对电磁信号的非平... 在电磁信息安全领域,电磁泄漏红信号的检测受电磁噪声干扰影响严重.传统降噪方法在处理非平稳信号和复杂噪声环境时存在局限性.提出一种基于生成对抗网络(GAN)的降噪方法,通过生成器与判别器的对抗学习实现高效降噪.针对电磁信号的非平稳特性设计了时频双域注意力机制(time-frequency dual-domain attention mechanism, TF-DAM),生成器采用基于TF-DAM改进的U-Net架构,结合残差网络和dropout层增强泛化能力,利用编码器-解码器结构和跳跃连接保留信号细节,训练过程中采用动态调整损失权重的策略提高训练效率和降噪效果.实验表明,该方法在信噪比提升和细节保留上优于传统方法,在非平稳信号处理中表现突出.本研究为电磁信号降噪提供了新思路,具有较高应用价值. 展开更多
关键词 U-Net
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物联网中面向视频传输的GAN增强型语义通信系统
11
作者 向晨 刘鹏程 +2 位作者 吕娇 王潇 王周恺 《无线电工程》 2026年第2期231-241,共11页
物联网环境中高可靠视频传输对于智能监控、远程操作等关键应用至关重要,然而物理信道噪声与视觉语义噪声的耦合却时常影响视频传输质量。为在兼顾传输可靠性的前提下,有效提升物联网环境中的视频传输质量,提出一种基于生成对抗网络(Gen... 物联网环境中高可靠视频传输对于智能监控、远程操作等关键应用至关重要,然而物理信道噪声与视觉语义噪声的耦合却时常影响视频传输质量。为在兼顾传输可靠性的前提下,有效提升物联网环境中的视频传输质量,提出一种基于生成对抗网络(Generative Adversarial Network,GAN)的多维噪声鲁棒性视频语义通信系统。该系统在深度视频语义通信(Deep Video Semantic Communication,DVSC)系统中引入GAN,结合残差通道注意力模块(Residual Channel Attention Block,RCAB)和多尺度卷积-反卷积结构,提升在复杂噪声干扰下的语义保持与细节重建能力。此外,系统还利用多尺度判别器和谱归一化技术,有效稳定对抗训练、缓解模式崩溃,增强判别器在恶劣信道条件下对视频帧的辨别能力。通过融合像素级保真度、感知相似度及对抗损失,设计多目标优化函数,以协同优化视频重建质量。实验结果表明,与传统方法相比,系统在低信噪比(Signal to Noise Ratios,SNR)及其他多维噪声条件下提高了视频重建质量与鲁棒性,尤其在高噪声环境中,质量提升明显。验证了系统在提升物联网视频通信可靠性上的有效性,为超可靠低时延通信(Ultra-Reliable and Low Latency Communications,URLLC)提供了一种新的解决思路。 展开更多
关键词
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MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 被引量:2
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作者 陆大成 刘祥林 +3 位作者 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期1-5,共5页
报道用自行研制的LP-MOVPE设备, 在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED, 其发射波长分别为430~450nm和520~540nm。
关键词 gan Ingan Algan LED 绿LED MOVPE
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高功率GaN基蓝光二极管激光器性能退化实验研究
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作者 谢鹏飞 张永刚 +6 位作者 王丞乾 吕文强 武德勇 郭林辉 雷军 王昭 高松信 《强激光与粒子束》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限... 高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限制,因此对其性能退化因素进行深入研究。基于光学显微技术、扫描电子显微表征和能谱分析手段对经过长时老化考核后器件的性能退化因素进行分析研究。实验研究和分析表明,GaN基体材料缺陷、腔面多余物沉积和光化学腐蚀是导致蓝光二极管激光芯片性能退化的主因,同时良好的气密性封装可提高二极管激光芯片的可靠性。 展开更多
关键词 高功率gan蓝光二极管激光器 退
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基于GAN与超分辨率重建的裂缝图像增强技术研究
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作者 满轲 孙东兴 +2 位作者 宋志飞 邓稀肥 江胜华 《智能感知工程》 2026年第1期37-44,共8页
针对基于深度学习的裂缝识别任务中样本数据不足、图像质量较低的问题,开展基于生成对抗网络(Generative Adversarial Network,GAN)与超分辨率(Super-resolution,SR)重建的裂缝图像增强技术研究。首先,通过对Tunnel Crack、CFD公开裂缝... 针对基于深度学习的裂缝识别任务中样本数据不足、图像质量较低的问题,开展基于生成对抗网络(Generative Adversarial Network,GAN)与超分辨率(Super-resolution,SR)重建的裂缝图像增强技术研究。首先,通过对Tunnel Crack、CFD公开裂缝数据集进行筛选与清洗,建立基础裂缝数据集;其次,采用镜像变换、亮度调整、随机遮掩等方法扩充样本集,并利用SA-BAGAN-GP模型进行对抗生成,结合自注意力机制有效提升生成图像的结构一致性和裂缝纹理的真实性;再次,针对生成图像细节模糊的问题,引入基于Real-ESRGAN的超分辨率重建算法实现对裂缝边缘与细节的显著增强;最后,利用Labelme进行数据标注,构建包含2400张裂缝图像及对应标签的高质量数据集,为裂缝识别算法的优化提供可靠的数据支撑。 展开更多
关键词 gan
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基于Ga-Ga_(2)O_(3)反应的OVPE法GaN生长研究
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作者 武文潇 于翔宇 +4 位作者 甘云海 李悦文 郑有炓 张荣 修向前 《人工晶体学报》 北大核心 2026年第2期217-222,共6页
高速率外延生长是制备大尺寸氮化镓(GaN)衬底的关键。本研究提出了一种简洁无额外副产物的氮化镓高速外延生长策略,即利用金属Ga与Ga_(2)O_(3)高温反应生成Ga_(2)O作为镓源的氧化物气相外延(OVPE)法,结合热力学计算和生长实验分析,验证... 高速率外延生长是制备大尺寸氮化镓(GaN)衬底的关键。本研究提出了一种简洁无额外副产物的氮化镓高速外延生长策略,即利用金属Ga与Ga_(2)O_(3)高温反应生成Ga_(2)O作为镓源的氧化物气相外延(OVPE)法,结合热力学计算和生长实验分析,验证了其可行性,为高速率生长GaN提供了新的技术路径和理论支撑。热力学计算分析确定了Ga-Ga_(2)O_(3)生成Ga_(2)O反应的吉布斯自由能与温度关系,该反应在1073~1273 K具有显著的自发性,且Ga_(2)O饱和蒸气压随温度升高呈指数增长,利于Ga_(2)O高效生成。基于Ga_(2)O完全转化假设建立了GaN生长速率模型,计算了不同温度下Ga-Ga_(2)O_(3)反应及生成GaN的理论生长速率,并进行了OVPE生长验证。结果显示,理论与实测生长速率在镓源温度依赖性趋势上高度一致,但理论值约为实验值的5倍,据此推算实际转化效率约为20%。通过拟合分析,推导出更高温度(1100~1300℃)下Ga_(2)O的生成速率和GaN的理论生长速率,结合实验结果,可以得出:在1 mol Ga_(2)O_(3)与4 mol GaN的标准反应配比下,镓源温度为1300℃时,2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底实际生长速率可达约1080μm/h,6英寸可达约120μm/h。 展开更多
关键词 Ga_(2)O
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基于改进GAN模型的煤矿机械齿轮箱磨损故障检测
16
作者 石岚 《煤矿机械》 2026年第3期193-197,共5页
针对煤矿机械齿轮箱磨损故障检测存在的故障检测精度低、易受噪声干扰等不足,提出一种基于改进生成对抗网络(GAN)模型的检测方法。首先,构建GAN模型并计算Wasserstein距离;然后,利用神经网络模型定义齿轮箱故障形式,并提取内涵的故障特... 针对煤矿机械齿轮箱磨损故障检测存在的故障检测精度低、易受噪声干扰等不足,提出一种基于改进生成对抗网络(GAN)模型的检测方法。首先,构建GAN模型并计算Wasserstein距离;然后,利用神经网络模型定义齿轮箱故障形式,并提取内涵的故障特征以实施数据的预训练;最后,推导出检测模型的损失函数,实现对煤矿机械齿轮箱故障的定位与检测。实验结果表明,该方法能够根据磨损程度的不同而检测出煤矿机械齿轮箱的故障情况,在齿轮箱轻度磨损中检测出的噪声值为57.2 dB。该方法具有较好适用性和检测效果,能够基于特征提取和故障数据训练实现对磨损情况的检测。 展开更多
关键词 gan 齿 Wasserstein
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AlGaN/GaN异质结欧姆接触优化与导通机理研究
17
作者 王强 曹京津 +2 位作者 曲莹 范晶晶 李飞扬 《微纳电子技术》 2026年第1期87-93,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻... 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻分别为1.01Ω·mm和304Ω/□。通过TLM结构的变温测试来研究AlGaN/GaN异质结欧姆接触的导通机理。实验结果表明,随着测试温度升高,接触电阻率仅从1.01Ω·mm增加到1.26Ω·mm,展现出良好的温度稳定性。比接触电阻率与温度的拟合曲线表明,场发射是AlGaN/GaN异质结欧姆接触电流传输的主导机制。透射电子显微镜的结果表明,在高温退火中,金属Ti扩散至AlGaN中与之发生反应并产生大量的N空位,在AlGaN势垒层中形成重掺杂,从而减小了势垒宽度,促进了欧姆接触的形成。 展开更多
关键词 ALgan/gan异质结 线(TLM)
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高像素密度GaN基Micro-LED阵列芯片的制备
18
作者 周秀衡 李玲 +4 位作者 马非凡 徐良玉 萧俊龙 唐甜 赵永周 《微纳电子技术》 2026年第4期60-67,共8页
为满足增强现实(AR)/虚拟现实(VR)等高分辨率微显示器的应用需求,设计并制备了一款0.31英寸(1英寸=2.54 cm)、1344×784分辨率的绿光微型发光二极管(Micro-LED)微显示器,采用无源矩阵驱动方式。其像素间距为5μm,像素密度为5000 PP... 为满足增强现实(AR)/虚拟现实(VR)等高分辨率微显示器的应用需求,设计并制备了一款0.31英寸(1英寸=2.54 cm)、1344×784分辨率的绿光微型发光二极管(Micro-LED)微显示器,采用无源矩阵驱动方式。其像素间距为5μm,像素密度为5000 PPI。在器件制备过程中,重点优化了氧化铟锡(ITO)透明导电膜的成膜工艺,研究对比了电子束蒸镀与磁控溅射工艺制备ITO膜层的性能差异,发现磁控溅射技术结合干法刻蚀工艺更能保障高像素密度显示阵列的薄膜质量与图形精度,并通过优化光刻胶材料(选用高分辨率、高对比度且具有强附着力的负性光刻胶),有效解决了微米级像素制备中的电极光刻偏移问题。此外,在硅背板上制备凸点下金属化层,实现了高像素密度Micro-LED显示阵列的精准集成。制备的Micro-LED微显示器展现出优异的光学与电学特性,在2.3 V驱动电压下即可实现均匀发光,亮度超过50000 cd/m^(2);驱动电压提升至4.5 V时,亮度可达5335651 cd/m^(2),充分展现了其在超高亮度显示领域的应用潜力。 展开更多
关键词 (Micro-LED) Micro-LED gan基材料 LED
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互信息GANs的二分图Top-K推荐长尾增强
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作者 周维柏 李蓉 黄丹 《计算机技术与发展》 2026年第1期127-132,共6页
针对推荐系统中普遍存在的用户-项目交互数据长尾分布问题,该文提出一种融合属性语义流与交互拓扑流的动态双流优化框架。首先,构建属性引导的虚拟交互边生成算法,通过项目属性相容性构建用户与长尾项目的潜在关联通道,生成增广邻接矩... 针对推荐系统中普遍存在的用户-项目交互数据长尾分布问题,该文提出一种融合属性语义流与交互拓扑流的动态双流优化框架。首先,构建属性引导的虚拟交互边生成算法,通过项目属性相容性构建用户与长尾项目的潜在关联通道,生成增广邻接矩阵从而增强拓扑结构鲁棒性,有效扩展了用户与长尾项目间的隐性关联;其次,结合互信息正则化条件对抗生成网络,引入属性约束特征补偿机制,有效缓解尾部项目特征稀疏问题;最后,构建包含局部-全局-长尾判别器的分层对抗架构,通过局部模式校验、全图分布对齐及逆频率动态加权的多重监督策略,实现表征空间的均衡优化。实验表明,该方案在保持头部推荐精度的同时,显著提升了长尾覆盖率与分布公平性,消融研究验证了虚拟边生成、互信息约束及梯度平衡策略对性能提升的关键作用,为解决推荐系统长尾问题提供了有效思路。 展开更多
关键词 互信息gans
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高阻Si衬底上预铺Al工艺对GaN材料晶体质量和射频损耗影响研究
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作者 杨乾坤 彭大青 +3 位作者 李传皓 张东国 王克超 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 2026年第1期6-10,共5页
采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺A... 采用金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在高阻Si(111)衬底上生长了氮化物材料,研究衬底的预铺Al工艺对衬底表面形貌、氮化镓结晶质量及射频损耗等的影响。结果表明,采用低温低流量长时间的预铺Al工艺,抑制了表面Al聚集物的形成,减少了AlN表面坑,提升了Si衬底上GaN材料的晶体质量。基于优化的预铺Al工艺,GaN(002)/(102)半高宽达到391 arcsec/510 arcsec,5 GHz下射频损耗为0.16 dB/mm,25 GHz下射频损耗为0.37 dB/mm。 展开更多
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