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电纺直写压电光电子型柔性光电探测器及其传感特性
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作者 杜贤若 王俊翔 +2 位作者 陈瑞欣 陈华坛 郑高峰 《光学精密工程》 北大核心 2026年第1期72-85,共14页
针对柔性光电探测器性能受限于微纳光敏结构与柔性基底间界面结合弱、暗电流高及功耗大等影响,提出一种基于压电光电子效应的性能增强策略,利用电纺直写技术构建以氧化锌(ZnO)为主纤维、铜氨络合物(Cu(NH_(3)))(CN)为辅助调控纤维的双... 针对柔性光电探测器性能受限于微纳光敏结构与柔性基底间界面结合弱、暗电流高及功耗大等影响,提出一种基于压电光电子效应的性能增强策略,利用电纺直写技术构建以氧化锌(ZnO)为主纤维、铜氨络合物(Cu(NH_(3)))(CN)为辅助调控纤维的双组分体系,制备高度可控的ZnO@(Cu(NH_(3))(CN)多层纳米纤维堆叠结构。该结构显著增强了纤维间的界面耦合稳定性,并利用堆叠界面产生的压电光电子效应在接触界面引入非对称势垒与内建电场,抑制热激发电子迁移,将器件暗电流降低至1.12×10^(-7)A,显著减少静态功耗。通过合理调控堆叠层数(5~25层),实现器件阈值电压在6~20 V内可调,赋予其可编程的逻辑控制能力。实验结果表明,在254 nm紫外光照射下,探测器响应度达13.3 A/W,响应时间与恢复时间分别为11 ms和9 ms,表现出优异的光学探测性能。ZnO与(Cu(NH_(3)))(CN)纳米纤维正交堆叠结构在微观电场调控与光电转换效率提升方面具有显著优势,在低功耗、高响应的柔性光电探测系统中具有重要应用潜力,为下一代柔性光电器件的设计提供了新思路。 展开更多
关键词 电纺直写 柔性光电探测器 压电光电子增强效应 光控电路
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Laser-Assisted Reduction of Highly Conductive Circuits Based on Copper Nitrate for Flexible Printed Sensors 被引量:12
2
作者 Shi Bai Shigang Zhang +4 位作者 Weiping Zhou Delong Ma Ying Ma Pooran Joshi Anming Hu 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第4期49-61,共13页
Stretchable electronic sensing devices are defining the path toward wearable electronics. High-performance flexible strain sensors attached on clothing or human skin are required for potential applications in the ente... Stretchable electronic sensing devices are defining the path toward wearable electronics. High-performance flexible strain sensors attached on clothing or human skin are required for potential applications in the entertainment,health monitoring, and medical care sectors. In this work,conducting copper electrodes were fabricated onpolydimethylsiloxane as sensitive stretchable microsensors by integrating laser direct writing and transfer printing approaches. The copper electrode was reduced from copper salt using laser writing rather than the general approach of printing with pre-synthesized copper or copper oxide nanoparticles. An electrical resistivity of 96 l X cm was achieved on 40-lm-thick Cu electrodes on flexible substrates. The motion sensing functionality successfully demonstrated a high sensitivity and mechanical robustness.This in situ fabrication method leads to a path toward electronic devices on flexible substrates. 展开更多
关键词 Laser direct writing Copper circuit Stretchable sensor Laser reduction
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新型低电压SRAM读写辅助电路设计
3
作者 刘勇 彭春雨 《中国集成电路》 2025年第1期54-58,64,共6页
随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写... 随着微处理器对低功耗与高能效需求的增长,SRAM作为其主要功耗与面积来源,优化SRAM功耗至关重要。降低电源电压是降低功耗的重要方法,但也会严重影响SRAM的读写性能。针对此问题,本文提出了一种新型读写辅助电路结构,该结构可以增强写入能力和加快位线放电速度。此电路通过在写入期间将字线电压先升至欠驱电压后升至过驱电压,以在确保稳定性的同时加强写能力;在读取时,轻微提高字线电压至高于VDD电压,从而加快位线放电速度,增大两条位线电压差值,从而提高SRAM的可靠性。仿真结果表明,提出的结构可以将最小工作电压降低至0.4V,相比未使用辅助电路的结构写能力提升一倍以上,字线打开相同的一段时间,两条位线电压差值可以增加40%以上。相比于传统结构在各自最小电压下功耗可降低20%以上,而相比于在标准电压下的传统结构,功耗可降低70%以上,且只增大3%的面积。 展开更多
关键词 低电压 低功耗 静态随机存取存储器(SRAM) 读写辅助电路
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电介质表面电路的激光直写及精密刻蚀
4
作者 刘通 张开虎 +3 位作者 赵越 刘新宇 孙一凯 陆云霞 《表面技术》 北大核心 2025年第24期90-97,共8页
目的提供一种实现柔性聚合物表面金属电路的激光高性能直写及无损聚合物的电路精修方法。方法以聚酰亚胺(PI)表面铜电路为例,利用由乙酸铜、正辛胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(AMP)、甲酸及甲醇,配备了低分解温度的铜前驱体油墨,并通过功率... 目的提供一种实现柔性聚合物表面金属电路的激光高性能直写及无损聚合物的电路精修方法。方法以聚酰亚胺(PI)表面铜电路为例,利用由乙酸铜、正辛胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(AMP)、甲酸及甲醇,配备了低分解温度的铜前驱体油墨,并通过功率仅1 W量级、波长532 nm的连续激光,将油墨以激光光热还原沉积的原理在PI表面直写形成铜线条;使用绿皮秒激光(12 ps、532 nm)及红外飞秒激光(小于1 ps且1030 nm),对前述PI表面铜线条和磁控溅射法在PI表面镀覆的1μm铜膜进行局域化去除;使用TG-DSC测试铜前驱体油墨分解温度。结果所配备前驱体油墨热分解温度为180℃,这有利于在直写过程不伤PI;铜电路直写效率和效能分别为2.0×10^(6)μm^(3)/s(即0.12 mm^(3)/min)、0.067 mm^(3)/min/W,且所写铜材电阻率为11.8×10^(-8)Ω·m;展示了可使用绿皮秒激光高选择性擦除PI表面铜膜且不伤PI的效果,而与之形成鲜明对比的是使用红外飞秒激光易出现的PI损伤问题:对于不同波长和脉宽组合形成的加工效果反差,结合铜反射谱,从铜和PI各自的去除阈值对激光波长和脉宽的依赖关系进行了机理分析。结论采用连续激光辐照所配置的低成本铜前驱体油墨,可实现PI表面铜的高效且较高导电性的直写效果;超快激光脉宽和波长的协同调控,可促进聚合物与金属加工阈值的异化,从而易实现无伤聚合物的电路精修,其中以绿皮秒激光为代表的光源可适用于多种金属电路的高选择性刻除。 展开更多
关键词 激光直写 聚合物 表面电路 选择性刻除 前驱体油墨 超快激光 加工阈值
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适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计
5
作者 莫愁 王艳芳 +1 位作者 李嘉威 陆楠楠 《电子与封装》 2025年第1期29-34,共6页
自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电... 自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电压相差较大,影响器件寿命,低温时写电压与临界翻转电压接近,甚至可能低于临界翻转电压,导致写入困难。针对MTJ的临界翻转电压的负温度特性,设计了一款宽温区温度自适应的写电压产生电路,在-40~125℃下为MTJ提供稳定的写电压,实现宽温度范围尤其是低温下数据的正常写入,并提高了高温下器件的寿命。经过后仿真验证,该电路在-40~125℃温度范围内均能实现MTJ成功写入,且写入电压与临界翻转电压的差值在100 mV左右。 展开更多
关键词 自旋转移力矩随机磁存储器 磁隧道结 宽温区 温度自适应 写电压产生电路
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区域文化成因之科举史视角:以南宋浙东地区为例
6
作者 包伟民 《史学月刊》 北大核心 2025年第7期24-37,共14页
南宋时期,浙东地区科举考试的成就异常凸显,如果深入分析浙西与浙东以及浙东地区内部不同州府的演进路径,可以发现其中呈现出明显不同的特征。温州的案例说明了地区经济一旦达到某种相对发达的水准,就可以满足作为科举考试活动发展的基... 南宋时期,浙东地区科举考试的成就异常凸显,如果深入分析浙西与浙东以及浙东地区内部不同州府的演进路径,可以发现其中呈现出明显不同的特征。温州的案例说明了地区经济一旦达到某种相对发达的水准,就可以满足作为科举考试活动发展的基本前提。王朝国家的政治总是凌驾于一切之上,科举作为选官制度的性质,不仅规范了考试内容,也影响到思想史的演进。与地区经济相比,政治与文教的影响无疑更为重要。向行政型中心城市集聚的向心力,正是南宋浙东作为近畿的政治影响力波及科举考试成功率的直接体现。这一案例提示我们,宜从更宽广、更长远的视野来观察地区文化特征的成因。 展开更多
关键词 南宋 科举考试 浙东地区 永嘉文体 政治向心力
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基于射频识别技术(RFID)的汽车防盗系统开发设计 被引量:6
7
作者 余海洋 曹志良 刘绍波 《计算机测量与控制》 2016年第2期144-146,150,共4页
作为热门的电子产品之一,射频识别装置受到市场的追捧,射频电子技术的市场潜力非常巨大,论文将射频识别技术(Radio Frequency Identification Technology)应用在汽车防盗系统中,文中提出的射频识别装置由两部分组成,分别是汽车启动顶部... 作为热门的电子产品之一,射频识别装置受到市场的追捧,射频电子技术的市场潜力非常巨大,论文将射频识别技术(Radio Frequency Identification Technology)应用在汽车防盗系统中,文中提出的射频识别装置由两部分组成,分别是汽车启动顶部的应答器和内部的阅读器构成,对整个装置的硬件和软件系统进行设计开发,首先搭建硬件系统的整体框架进行,重点对射频卡读写电路进行设计,包含射频电源和外围元件的选择以及射频电路的设计,软件系统设计方面,重点研究了读卡和写卡软件设计,给出了相应的时序图和程序流程图,达到了射频程序可靠读写的目的;结论表明,射频识别装置避免了市场上使用电池遥控装置,有效地实现了汽车防盗的目的。 展开更多
关键词 射频识别技术 汽车防盗系统 读写电路 串行通信程序
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基于单片机的磁卡读写机 被引量:2
8
作者 徐冠捷 曹柏荣 《微计算机信息》 北大核心 2006年第01Z期99-100,103,共3页
本文介绍磁卡读写机读电路和写电路的设计和工作原理、磁卡信息记录格式。电路简单实用,磁卡读写稳定,拉卡速度宽。
关键词 磁卡读电路 磁卡写电路 磁卡记录格式 磁卡读写机 AT等系列单片机
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时序仿真和驱动编写在数字电路实践教学中的应用研究 被引量:4
9
作者 张玲 晏伯武 《软件》 2016年第3期107-109,共3页
在数字电路实践教学中首次将数字集成电路的功能时序与驱动编程结合,对数字集成电路进行信号仿真,获得芯片的时序图,再根据时序图对芯片进行驱动程序的编写,不仅使学生深刻理解数字集成电路的基本原理和作用,而且提高了学生的芯片设计... 在数字电路实践教学中首次将数字集成电路的功能时序与驱动编程结合,对数字集成电路进行信号仿真,获得芯片的时序图,再根据时序图对芯片进行驱动程序的编写,不仅使学生深刻理解数字集成电路的基本原理和作用,而且提高了学生的芯片设计能力和驱动编写能力,提高了学生的学习兴趣。 展开更多
关键词 驱动编写 信号仿真 集成电路
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DSC系列Flash在线编程研究与实现 被引量:1
10
作者 王欢 林志贵 +1 位作者 张彩霞 钟晴晴 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2012年第5期84-88,共5页
在分析MC56F8257 Flash存储器的特点和在线编程技术的基础上,提出一种针对DSC双哈佛结构的Flash在线编程方法,给出其擦除/写入流程,对技术难点进行了阐述,并进行调试结果分析,实现了DSCMC56F8257 Flash的页擦除和字写入功能.
关键词 FLASH DSC MC56F8257 在线编程 擦出 写入
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新型相变随机存储器单元仿真系统
11
作者 胡作启 李兰 袁成伟 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期50-53,共4页
为研究相变随机存储器(PCRAM)的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4~150 ns和0.25~3.00 ... 为研究相变随机存储器(PCRAM)的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4~150 ns和0.25~3.00 V之间可调的脉冲,适用于对多种结构存储元进行仿真.边缘接触式结构存储单元仿真结果表明:研制的系统能对存储单元的读、写性能进行评估,并为电路和存储元设计提供数据. 展开更多
关键词 相变存储 仿真系统 读写电路 物理仿真 有限元法
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VxWorks系统下CF卡中HEX格式文件读写方法研究
12
作者 周勇军 《测控技术》 CSCD 2015年第4期109-111,115,共4页
为修理VxWorks系统下含486处理器板件,迫切需要开展板件Flash器件内部代码读写研究。为此,从系统组成、基本结构以及编程开发方面,对VxWorks系统进行较为全面的诠释,并在此基础上,针对CF卡,对其HEX格式文件进行读写,设计出相应的读写流... 为修理VxWorks系统下含486处理器板件,迫切需要开展板件Flash器件内部代码读写研究。为此,从系统组成、基本结构以及编程开发方面,对VxWorks系统进行较为全面的诠释,并在此基础上,针对CF卡,对其HEX格式文件进行读写,设计出相应的读写流程框图,给出程序清单,并针对盛博486平台,对所提出的文件读写方法进行实验验证,结果表明其有效性。 展开更多
关键词 VXWORKS系统 486处理器 软件读写 CF卡 电路板修理
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忆阻器的建模及高精度忆阻值读写电路的设计 被引量:3
13
作者 高耀梁 甘朝晖 尹力 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1145-1150,共6页
使用现有电路元件设计了一种荷控忆阻器的理论模型。由于把忆阻器应用于存储器、神经网络、信号处理等领域均涉及到忆阻器的读写操作,并且目前忆阻器大多是数字量0和1的操作,没有模拟量的操作。所以利用了荷控忆阻器的电荷特性,给出一... 使用现有电路元件设计了一种荷控忆阻器的理论模型。由于把忆阻器应用于存储器、神经网络、信号处理等领域均涉及到忆阻器的读写操作,并且目前忆阻器大多是数字量0和1的操作,没有模拟量的操作。所以利用了荷控忆阻器的电荷特性,给出一种描述如何读取忆阻器的模拟忆阻值的方法。利用了荷控忆阻器的频率特性,设计了一个反馈式忆阻值写电路,该电路能够在忆阻器的阻态范围内进行任意模拟量的写操作。仿真结果验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 忆阻器 建模 读写电路 SPICE
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《学术论文编写规则》解读 被引量:1
14
作者 龚永林 《印制电路信息》 2023年第6期62-66,共5页
结合电子电路行业的专业技术论文中常见问题,解读新版国家标准《学术论文编写规则》(GB/T 7713.2—2022),明确专业技术论文写作是工程技术人员的一项基本技能。论文写作从前置部分、正文部分到附录部分都有相应的规则要求,技术论文应严... 结合电子电路行业的专业技术论文中常见问题,解读新版国家标准《学术论文编写规则》(GB/T 7713.2—2022),明确专业技术论文写作是工程技术人员的一项基本技能。论文写作从前置部分、正文部分到附录部分都有相应的规则要求,技术论文应严格遵照规则撰写,以提高论文的发表质量的要求。 展开更多
关键词 学术论文 编写规则 国家标准 电子电路行业
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非接触式IC卡智能水表抄表系统的研制与实现 被引量:3
15
作者 叶勇 《工业控制计算机》 2002年第10期51-54,共4页
本文主要介绍以Philips的微处理器87C552和基站芯片MFCM200为核心的智能水表抄表系统,并介绍该系统的工作原理和实现方法。
关键词 非接触式IC卡 智能水表抄表系统 微处理器 射频电器 读写器 射频卡 专用集成电路
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射频识别读写设备应用设计 被引量:12
16
作者 厉鲁卫 包建荣 +1 位作者 蒋苗林 周朔燕 《计算机工程与设计》 CSCD 2004年第6期947-950,953,共5页
主要结合对射频识别原理和组成的分析采用符合ISO/IEC 14443A标准的Philips公司MIFARE技术的MFRC500射频集成电路芯片、ATMEL89C51单片机芯片及辅助电子元器件等来实现射频卡读写设备的设计。该设计首先对射频IC卡读写设备原理进行分析... 主要结合对射频识别原理和组成的分析采用符合ISO/IEC 14443A标准的Philips公司MIFARE技术的MFRC500射频集成电路芯片、ATMEL89C51单片机芯片及辅助电子元器件等来实现射频卡读写设备的设计。该设计首先对射频IC卡读写设备原理进行分析,再根据其原理完成硬件电路设计和软件功能实现,最后在此基础上配置相应的通信协议,来具体实现射频IC卡读写设备的各种操作接口以供射频识别系统的应用。 展开更多
关键词 射频识别 RFID ISO/IEC14443 A标准 MF RC500射频芯片 应答器PICC 阅读器PCD
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Bloch线存储功能芯片专用电路设计
17
作者 陈善宝 张志强 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第1期78-81,共4页
研究了场存取方式的Bloch线存取功能芯片结构,设计了配套的读写操作专用时序脉冲电路,着重分析了电路元器件参数对长下降沿梯形波变换的影响以及时序脉冲幅度、上升沿、下降沿等对读写操作区的影响,为场存取功能芯片设计提供了重要... 研究了场存取方式的Bloch线存取功能芯片结构,设计了配套的读写操作专用时序脉冲电路,着重分析了电路元器件参数对长下降沿梯形波变换的影响以及时序脉冲幅度、上升沿、下降沿等对读写操作区的影响,为场存取功能芯片设计提供了重要依据. 展开更多
关键词 Bloch线存储 芯片 电路 读写功能 磁泡存贮器
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IC卡计算机POS售饭系统 被引量:2
18
作者 虞闯 张东阳 董慧颖 《沈阳工业学院学报》 1999年第3期68-72,共5页
本文系统地介绍了以IC卡为媒介的POS售饭系统.它采用双机互补工作方式,主机与POS窗口机之间实时联网,该系统安全、准确无误、性能稳定可靠,实现了售饭管理的科学化和现代化.
关键词 IC卡 POS窗口机 售饭管理 POS售饭系统
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1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计 被引量:1
19
作者 谭玥 杜永乾 +1 位作者 李桂芳 刘诗斌 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期20-27,共8页
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进... 使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进,通过增加写入支路上晶体管的数量来增加写入电流及降低基本存储单元(1T1MTJ)结构中晶体管的压降,有效地缩短了磁隧道结翻转过程的开关延迟时间,提高了写入驱动电路的工作速度;读取电路采用改进的三稳态传输结构,降低了电路功耗,提高了读取数据的准确性.最后设计实现了1Kb的STT-MRAM的非易性存储,仿真结果表明所设计的STT-MRAM能够实现数据的存取过程. 展开更多
关键词 磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性读写电路
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基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用 被引量:3
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作者 金冬月 陈虎 +6 位作者 王佑 张万荣 那伟聪 郭斌 吴玲 杨绍萌 孙晟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第19期348-358,共11页
电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(magnetic random access memory, MRAM)的核心器件,具有读写速度快、功耗低、与CMOS工艺相兼容等优点,现已... 电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(magnetic random access memory, MRAM)的核心器件,具有读写速度快、功耗低、与CMOS工艺相兼容等优点,现已得到国内外学者的广泛关注.然而随着VCMA-MTJ尺寸不断缩小、MRAM存储容量不断增大,工艺偏差对MTJ性能的影响变得越来越显著,甚至会引起VCMA-MTJ电路的读写错误.本文在充分考虑磁控溅射薄膜生长工艺中自由层厚度偏差(γtf)、氧化势垒层厚度偏差(γtox)以及离子束刻蚀工艺中由侧壁再沉积层引入的刻蚀工艺稳定因子(α)偏差影响的情况下,给出了基于工艺偏差的VCMA-MTJ电学模型,并将该模型应用到VCMA-MTJ读写电路中,研究了工艺偏差对上述电路读写错误率的影响.结果表明:当γtf≥13%, γtox≥11%时, VCMA-MTJ将无法实现磁化状态的有效切换;当α≤0.7时, VCMA-MTJ磁化方向的进动过程变得不稳定.进一步地, VCMA-MTJ电路的读错误率和写错误率也将随着工艺偏差的增大而增大.研究表明,通过增大外加电压(Vb)和减小外加电压脉冲宽度(tpw)可有效降低VCMA-MTJ电路的写错误率,增大电路的读驱动电压(Vdd)可有效降低VCMA-MTJ电路的读错误率. 展开更多
关键词 磁隧道结 电压调控磁各向异性 工艺偏差 读写电路
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