期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
New Hybrid Digital Circuit Design Techniques for Reducing Subthreshold Leakage Power in Standby Mode
1
作者 Manish Kumar Md. Anwar Hussain Sajal K. Paul 《Circuits and Systems》 2013年第1期75-82,共8页
In this paper, four new hybrid digital circuit design techniques, namely, hybrid multi-threshold CMOS complete stack technique, hybrid multi-threshold CMOS partial stack technique, hybrid super cutoff complete stack t... In this paper, four new hybrid digital circuit design techniques, namely, hybrid multi-threshold CMOS complete stack technique, hybrid multi-threshold CMOS partial stack technique, hybrid super cutoff complete stack technique and hybrid super cutoff partial stack technique, have been proposed to reduce the subthreshold leakage power dissipation in standby modes. Techniques available in literature are compared with our proposed hybrid circuit design techniques. Performance parameters such as subthreshold leakage power dissipation in active and standby modes, dynamic power dissipation and propagation delay, are compared using existing and proposed hybrid techniques for a two input AND gate. Reduction of subthreshold leakage power dissipation in standby mode is given more importance, in comparison with the other circuit design performance parameters. It is found that there is reduction in subthreshold leakage power dissipation in standby and active modes by 3.5× and 1.15× respectively using the proposed hybrid super cutoff complete stack technique as compared to the existing multi-threshold CMOS (MTCMOS) technique. Also a saving of 2.50× and 1.04× in subthreshold leakage power dissipation in standby and active modes respectively were observed using hybrid super cutoff complete stack technique as compared to the existing super cutoff CMOS (SCCMOS) technique. The proposed hybrid super cutoff stack technique proved to perform better in terms of subthreshold leakage power dissipation in standby mode in comparison with other techniques. Simulation results using Microwind EDA tool in 65 nm CMOS technology is provided in this paper. 展开更多
关键词 subthreshold LEAKAGE Power STANDBY mode Active mode Propagation DELAY
暂未订购
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
2
作者 范继锋 王永强 +2 位作者 张艺 李巍 雷鹏 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期241-247,共7页
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基... 为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。 展开更多
关键词 GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压
原文传递
基于0.18 μm CMOS工艺的电流型模拟运算电路 被引量:2
3
作者 卢锦川 詹小英 《现代电子技术》 北大核心 2016年第5期135-139,共5页
提出了一种新的低电压低功耗CMOS电流型模拟多功能运算电路,该电路能够运行乘法器、求平方器、除法器以及不同类型的可控增益放大器。该设计基于跨导线性原则,使用场效晶体管(MOSFET)且运行在亚阈值区,其由6个相匹配的晶体管组成,并形... 提出了一种新的低电压低功耗CMOS电流型模拟多功能运算电路,该电路能够运行乘法器、求平方器、除法器以及不同类型的可控增益放大器。该设计基于跨导线性原则,使用场效晶体管(MOSFET)且运行在亚阈值区,其由6个相匹配的晶体管组成,并形成两个重叠的跨导线性回路,电路设计采用0.18μm CMOS技术,使用±0.6 V低压直流电源供电。通过Tanner TSpice软件进行了仿真验证,仿真结果表明,当将其配置为一个放大器时,-3 d B频率约为1.5 MHz,线性误差为0.63%,总谐波失真为0.08%,最大功耗为1.16μW。 展开更多
关键词 模拟运算电路 电流型电路 CMOS 亚阈值
在线阅读 下载PDF
CMOS集成温度传感器中的器件模型分析 被引量:1
4
作者 熊琦 曾健平 +1 位作者 彭伟 曾云 《电子与封装》 2006年第7期32-35,共4页
根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了... 根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。 展开更多
关键词 集成温度传感器 亚阈值模型 压电结型效应 电阻
在线阅读 下载PDF
一种用电流基准核作温度互补性补偿的基准电压源
5
作者 欧龙振 李琦 刘云 《桂林电子科技大学学报》 2012年第5期364-368,共5页
为克服传统带隙基准源在温度性能上的缺陷,设计了一种低温度系数的带隙基准电路。该电路在传统电流模基准结构的基础上,引入一个工作在亚阈值区电流基准核产生的电流来达到高阶补偿的目的。在一阶补偿的基础上,补偿电流的进一步补偿,大... 为克服传统带隙基准源在温度性能上的缺陷,设计了一种低温度系数的带隙基准电路。该电路在传统电流模基准结构的基础上,引入一个工作在亚阈值区电流基准核产生的电流来达到高阶补偿的目的。在一阶补偿的基础上,补偿电流的进一步补偿,大大降低了基准输出的温度系数。电路设计采用0.18μm的CMOS工艺,利用Cadence软件的Spectre仿真工具对电路进行仿真,仿真结果表明,在2.7V电源电压下,基准输出电压为1.265V,温度在-40~125℃变化时,基准输出电压仅变化0.2mV,相比一阶补偿的变化(约为2.5mV),精度提升了10多倍;电源电压在1.8~3.5V变化时,基准输出电压变化4.5mV;在出色的温度性能下有良好的抗干忧性,满足了高性能基准源的要求。 展开更多
关键词 电流模基准源 亚阈值区 电流基准源 电流基准核 温度补偿
在线阅读 下载PDF
577nm阈下微脉冲激光治疗黄斑水肿时光凝斑的影像学观察 被引量:1
6
作者 侯军军 闫爱珍 +1 位作者 袁红 贾亚丁 《中华眼视光学与视觉科学杂志》 CAS 2012年第7期414-417,共4页
目的用多波长照相技术(F=10)观察577nm阈下微脉冲激光光凝治疗黄斑水肿时光凝斑的形态学改变。方法前瞻性系列病例研究。黄斑水肿患者17例(19眼)纳入研究。所有患者均经眼底荧光索血管造影(FFA)及光学相干断层扫描(OCT)检查确... 目的用多波长照相技术(F=10)观察577nm阈下微脉冲激光光凝治疗黄斑水肿时光凝斑的形态学改变。方法前瞻性系列病例研究。黄斑水肿患者17例(19眼)纳入研究。所有患者均经眼底荧光索血管造影(FFA)及光学相干断层扫描(OCT)检查确诊,其中,糖尿病黄斑水肿患者8例(10眼),视网膜中央静脉阻塞引起的黄斑水肿患者5例(5眼),视网膜分支静脉阻塞引起的黄斑水肿患者4例(4眼)。首先在传统连续波激光下对患眼进行阌能量P测定,然后在F-10的retromode模式检测下对这19眼进行阈下微脉冲光凝测试及治疗,微脉冲激光所用能量的调整参照阈能量P。留取患眼光凝前后眼底彩照及自发荧光成像,并随访观察术后1个月患眼中心凹厚度(CMT)及最佳矫正视力(BCVA)变化。分别采用配对t检验、配对秩和检验对数据进行分析。结果术后即刻retromode成像中,6眼在122-4%P能量下出现光凝斑;8眼在153.1%P能量下出现光凝斑:5眼在183.7%P能量下出现光凝斑。术后即刻在眼底彩照及自发荧光成像下光凝区未发生改变。术后1个月患眼CMT较术前明显降低,差异有统计学意义(t=4.238,P〈0.01),BCVA与术前相比无明显变化。结论Retromode成像可检测到阈下微脉冲激光光凝产生的不可见光凝斑,在治疗时可用于指导光凝能量大小的选择。 展开更多
关键词 阈下微脉冲激光 黄斑水肿 激光光凝斑 激光能量 RETRO mode
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部