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硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响
被引量：
3
1
作者
赵湘辉
魏爱香
+1 位作者
招瑜
刘俊
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期140-144,共5页
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试...
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。
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关键词
太阳能电池
CuInSe2薄膜
磁控溅射
硒化工艺
原文传递
真空快速退火对CIGS太阳能电池性能的影响
被引量：
1
2
作者
田力
张晓勇
+3 位作者
毛启楠
李学耕
于平荣
王东
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期35-40,共6页
采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/Cd S/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的CIGS电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91%提高到14.01%。进一步研究发现,退...
采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/Cd S/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的CIGS电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91%提高到14.01%。进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代VCu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升。
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关键词
CuInxGa1-xSe
退火
溅射后硒化
均匀性
同质结
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职称材料
题名
硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响
被引量：
3
1
作者
赵湘辉
魏爱香
招瑜
刘俊
机构
广东工业大学材料与能源学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期140-144,共5页
基金
广东省省部产学研项目(2011A090200003)
文摘
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。
关键词
太阳能电池
CuInSe2薄膜
磁控溅射
硒化工艺
Keywords
Solar cell
CuInSe2
Magnetron
sputtering
selenization
method
s
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
原文传递
题名
真空快速退火对CIGS太阳能电池性能的影响
被引量：
1
2
作者
田力
张晓勇
毛启楠
李学耕
于平荣
王东
机构
北京大学工学院
普尼太阳能(杭州)有限公司
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期35-40,共6页
基金
国家高技术研究发展计划(2012AA050702
2013AA050904)
+3 种基金
国家重大科学研究计划(2011CB933300
2013CB934004)
国家自然科学基金(21371016)
国家科技支撑计划(2011BAK16B01)~~
文摘
采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/Cd S/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的CIGS电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91%提高到14.01%。进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代VCu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升。
关键词
CuInxGa1-xSe
退火
溅射后硒化
均匀性
同质结
Keywords
CulnxGa1-xSe
annealing
sputtering/selenization sequential method
uniformity
homojunction
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响
赵湘辉
魏爱香
招瑜
刘俊
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
原文传递
2
真空快速退火对CIGS太阳能电池性能的影响
田力
张晓勇
毛启楠
李学耕
于平荣
王东
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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