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SOI材料的制备技术 被引量：3
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作者 肖清华 屠海令 +3 位作者 周旗钢 王敬 常青 张果虎 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期460-467,共8页
SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SO... SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本。 展开更多
关键词 SOI 注氧隔离 智能剥离 硅片键合 减薄 外延层转移 硅
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