期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究
被引量：
1
1
作者
杨振英
杨树彬
+1 位作者
王新才
殷志南
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
2007年第2期131-133,共3页
优化设计了硅半导体芯片及桥区参数,并对SCB冲击片起爆HNS-Ⅳ炸药及影响发火能量的因素进行了试验研究。结果表明,致密性好的SCB多晶硅,厚度为4μm时,50%发火能量低,起爆重现性好。
关键词
应用化学
起爆
半导体桥冲击片
发火能量
半导体芯片
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究
被引量：
1
1
作者
杨振英
杨树彬
王新才
殷志南
机构
中国兵器工业第
出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
2007年第2期131-133,共3页
文摘
优化设计了硅半导体芯片及桥区参数,并对SCB冲击片起爆HNS-Ⅳ炸药及影响发火能量的因素进行了试验研究。结果表明,致密性好的SCB多晶硅,厚度为4μm时,50%发火能量低,起爆重现性好。
关键词
应用化学
起爆
半导体桥冲击片
发火能量
半导体芯片
Keywords
applied chemistry
initiation
semiconductor slapper
firing energy
semiconductor
chip
分类号
TJ453 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究
杨振英
杨树彬
王新才
殷志南
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
