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Dynamic responses of series parallel-plate mesoscopic capacitors to time-dependent external voltage
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作者 王锦华 全军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期448-451,共4页
We investigate the dynamic responses of the series parallel-plate mesoscopic capacitors to a time-dependent external voltage. The results indicate that the quantum coherence between two capacitors strongly depends on ... We investigate the dynamic responses of the series parallel-plate mesoscopic capacitors to a time-dependent external voltage. The results indicate that the quantum coherence between two capacitors strongly depends on the frequency of the external voltage and the distance between the two capacitors (c-c distance). The behaviors of the series capacitance incompletely follow the Kirchhoff's laws; only in the low frequency case or the limit of the c-c distance, the capacitance approaches to the classical series capacitance. In addition, the real part of the frequency-dependent capacitance shows a maximum and a minimum, which appear around the peak of the imaginary part. These phenomena may be associated with the plasmon excitation in the mesoscopic capacitors. 展开更多
关键词 electron transport mesoscopic capacitor CAPACITANCE quantum coherence
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介观LC电路的量子压缩效应 被引量:6
2
作者 阮文 雷敏生 嵇英华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期227-231,共5页
根据介观电容器可看成一个介观隧道结的物理事实,对介观LC电路作了相应的量子处理.研究表明:介观LC电路将由初始的真空态演化到压缩真空态,并对压缩真空态下的量子涨落进行研究。
关键词 量子光学 介观LC电路 电容耦合能 压缩真空态 量子涨落 压缩效应
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介观RLC电路的量子效应 被引量:2
3
作者 阮文 谢安东 +2 位作者 易学华 伍冬兰 刘清 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期729-733,共5页
将介观电容器看作介观隧道结,对介观RLC电路作了相应的量子力学处理.研究了介观RLC电路系统的量子态演化.研究表明:考虑介观电容耦合效应的影响,介观RLC电路系统将由初始的Fock态演化到压缩Fock态,并讨论了电荷及磁通在压缩Fock态下的... 将介观电容器看作介观隧道结,对介观RLC电路作了相应的量子力学处理.研究了介观RLC电路系统的量子态演化.研究表明:考虑介观电容耦合效应的影响,介观RLC电路系统将由初始的Fock态演化到压缩Fock态,并讨论了电荷及磁通在压缩Fock态下的量子涨落. 展开更多
关键词 量子光学 介观RLC电路 电容耦合能 压缩效应
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纳米线MOSFET量子电容讨论 被引量:2
4
作者 张洪涛 《武汉工业学院学报》 CAS 2006年第4期29-31,共3页
讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛... 讨论了纳米线MOSFET量子电容测量及影响因素,同时讨论了计算方法,得出量子电容为1.2 aF。观察到室温单电子遂穿现象,是一个单电子晶体管。提出了一种新的模型,解释室温出现大电流单电子库仑阻塞效应,认为是类似于库柏对电子对纳米线岛“似单电荷”的库仑阻塞效应起作用,亦即进入岛的非单子而是电子对,出岛的也如此。这样就解释了大电流量子台阶出现的现象。 展开更多
关键词 纳米线 碳化硅 量子电容 单电子晶体管 库柏对
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中国的量子化霍尔效应电阻标准 被引量:2
5
作者 张钟华 贺青 《物理通报》 2001年第5期1-5,共5页
基于量子化霍尔效应建立的电阻量子化标准已在世界范围内取得了巨大的成功。为了从量子化霍尔电阻导出十进电阻量值,中国计量科学研究院建立了高准确度的低温电流比较仪。2000年中国和日本的双边比对表明,两国用量子化霍尔电阻导出的1... 基于量子化霍尔效应建立的电阻量子化标准已在世界范围内取得了巨大的成功。为了从量子化霍尔电阻导出十进电阻量值,中国计量科学研究院建立了高准确度的低温电流比较仪。2000年中国和日本的双边比对表明,两国用量子化霍尔电阻导出的1Ω电阻量值仅差1.3nΩ,在公开发表的类似比对数据中为最好结果。中国计量科学研究院用计算电容法测定的Klitzing常数h/e^2的SI值为国际上四个最佳实验结果之一,已在1998年的新一轮基本物理常数平差工作中被正式采用。 展开更多
关键词 量子化霍尔效应 低温电流比较仪 计算电容法 电阻标准 计量
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有限温度下介观电容耦合电路中的量子涨落
6
作者 梁麦林 袁兵 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期794-796,800,共4页
为提高信号的稳定性和保真度,对电路中的量子涨落进行了研究.利用热场动力学(TFD)方法计算了有限温度下介观电容耦合电路中的量子涨落.在零温情况下,电容耦合电路的本征态是平移Fock态.有限温度时,这些态成为热平移Fock态.计算结果表明... 为提高信号的稳定性和保真度,对电路中的量子涨落进行了研究.利用热场动力学(TFD)方法计算了有限温度下介观电容耦合电路中的量子涨落.在零温情况下,电容耦合电路的本征态是平移Fock态.有限温度时,这些态成为热平移Fock态.计算结果表明,对于以往未加注意的电路耦合部分,电容耦合使电荷的量子涨落减小,电流的量子涨落增加. 展开更多
关键词 有限温度 电容耦合电路 量子涨落 温度效应 热场动力学 介观电路 量子电子学
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电容耦合效应对介观LC电路量子效应的影响
7
作者 阮文 雷敏生 嵇英华 《江西科学》 2004年第5期319-322,共4页
将介观电容作为介观隧道结,提出电子波函数在介观电容两极板间有可能存在相互耦合的事实,从而给出介观LC电路的量子化方案。并讨论了电容耦合效应对介观LC电路中电荷和磁通量子涨落的影响。
关键词 介观LC电路 电容耦合能 量子涨落
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两电荷量子位之间的可控耦合
8
作者 段慧慧 姜年权 《井冈山大学学报(自然科学版)》 2017年第3期25-29,共5页
提出了一种由微机械谐振子驱动的可变平行板电容器产生两约瑟夫森电荷量子位的可控耦合的新方法,通过改变微机械谐振子的驱动频率可以实现和控制两量子比特纠缠门。文中也分析了方案在实验上的可行性。
关键词 量子信息 电荷量子位 微机械谐振子 可变电容 量子纠缠门
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量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响研究
9
作者 陈璐 《岭南师范学院学报》 2015年第3期43-47,共5页
通过自洽方法讨论了介观器件间的量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响.结果表明量子相干性强烈依赖电容器极板间距和外部电压的频率.当极板间距较小或者高频段时,量子相干性对输运特性的影响尤为明显,说明在此类... 通过自洽方法讨论了介观器件间的量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响.结果表明量子相干性强烈依赖电容器极板间距和外部电压的频率.当极板间距较小或者高频段时,量子相干性对输运特性的影响尤为明显,说明在此类条件下,电流特性不遵循基尔霍夫定律. 展开更多
关键词 电子输运 介观电容器 电容 量子相干性
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MODEL ANALYSIS AND PARAMETER EXTRACTION FOR MOS CAPACITOR INCLUDING QUANTUM MECHANICAL EFFECTS
10
作者 Hai-yan Jiang Ping-wen Zhang 《Journal of Computational Mathematics》 SCIE EI CSCD 2006年第3期401-411,共11页
The high frequency CV curves of MOS capacitor have been studied. It is shown that semiclassical model is a good approximation to quantum model and approaches to classical model when the oxide layer is thick. This conc... The high frequency CV curves of MOS capacitor have been studied. It is shown that semiclassical model is a good approximation to quantum model and approaches to classical model when the oxide layer is thick. This conclusion provides us an efficient (semiclassical) model including quantum mechanical effects to do parameter extraction for ultrathin oxide device. Here the effective extracting strategy is designed and numerical experiments demonstrate the validity of the strategy. 展开更多
关键词 Poisson Equation SchrSdinger Equation MOS capacitor quantum Effect Sensitivity Parameter Extraction.
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